MOS管从传统封装到先进封装的演进
随着电子设备小型化及摩尔定律趋缓，MOS管封装技术从传统TO封装向QFN和BGA演进。驱动因素包括高频/高集成需求、纳米材料及3D工艺突破。合科泰推出多系列产品，其中先进封装MOS覆盖消费电子、汽车等高功率场景，满足高效散热及高可靠性要求。
MOS管
厂商投稿 . 2025-04-07 1 3230
电动工具产品需要哪些分离元器件？
在现代工业和生活中，电动工具扮演着不可或缺的角色，在这背后，MOS管作为电动工具的关键核心部件，就像一颗强劲的“动力引擎”。
电动工具
厂商投稿 . 2025-03-24 3060
MOS管在电动车窗开关中的应用
随着电动车辆技术的快速发展，电动车窗系统已经成为现代汽车的重要组成部分。电动车窗不仅提升了驾驶的便利性，还提高了车辆的安全性和舒适性。在这一系统中，MOS管（金属氧化物半导体场效应管）作为一种关键的电子元件，发挥着至关重要的作用。本文将探讨MOS管在电动车窗开关中的应用、选型要点，并推荐微碧半导体的相关产品。 MOS管在电动车窗中的作用 MOS管在电动车窗开关中主要用于电流的控制和开关的
微碧
VBsemi微碧半导体 . 2024-08-19 2415
HT7179 12V升24V内置MOS大电流升压IC解决方案
在很多电子产品设计与应用中经常会涉及到升压电路的设计，对于较大的功率输出，比如70W以上的DC-DC升压电路，由于专用升压芯片封装散热的局限性，导致内部开关管的功率受到限制，很难做到集成MOS开关管的大功率升压转换IC。尤其内置MOS管的同步升压芯片在大功率应用更是如此；又或者芯片的价格昂贵，在一般民用消费电子产品应用时受到很大限制。所以传统70W以上的DC-DC升压电路基本上都是采用控制器外接开
MOS开关管
厂商供稿 . 2021-07-17 1 1236
渥尔曼电路的基本结构及设计总结
共基极放大电路的频率特性好但是其输入阻抗低，具有难以使用的缺点，渥尔曼电路刚好能够很好的解决这个问题，下面总结渥尔曼电路的基本结构及设计方法。 基本结构 将晶体管或者mos管总想堆积起来，使一个三极管的集电极与另一个三极管的发射级连接，或者使源级和漏级连接，一个三极管的源级或者mos管的栅极直接交流接地，构成的组合叫做渥尔曼电路。具体的结构如下图所示。 在渥尔曼电路中，上面的三级管基极交流接地，则
共基极放大电路
博客园 . 2020-11-24 1390
CMOS异或门的设计方法及技巧
CMOS电路因其在在功耗、抗干扰能力方面具有不可替代的优势，以及在设计及制造方面具有简单易集成的优点而得到广泛应用。如今，在大规模、超大规模集成电路特别是数字电路中早已普遍采用CMOS工艺来来进行设计与制造。 一、CMOS门电路设计规则 静态的CMOS电路的设计有着一定的规则，而正是这些规则使得其电路的设计变得非常简单。如图所示，COMS电路中最主要的部分是上拉网络PUN(Pull Up Ne
CMOS
博客园 . 2020-11-10 2010
GPIO工作模式的八种模式电路图解析
共8种工作模式，4种输入，1.输入浮空模式2.输入上拉模式 3.输入下拉模式4.模拟输入模式 4种输出模式：开漏输出、开漏复用功能、推挽输出、推挽复用输出 ps：mos管就是场效应管，三极管有的时候也叫晶体管。场效应管为电压驱动，mos管为电流驱动，mos管不会有电流流入或者流出控制端，而晶体管会有。 ps：下图中vss为负电压 1.输入浮空模式 无上下拉电阻，
MOS管
博客园 . 2020-10-18 1495
两个PMOS管背靠背用法详解
这篇文章来自于微信群的一次交流，主角就是下面的这个电路。 2 个 PMOS 并联 电路描述：Q3 是三极管，Q1 和 Q2 是 PMOS 管，左右两边的+12V 是输入，VIN 是输出，用来给模块供电，PHONE_POWER 是控制信号。 电路逻辑：PHONE_POWER 输出高电平时，Q3 导通，Q1 和 Q2 导通，VIN=+12V；PHONE_POWER 输出低电平时，Q3 截止
PMOS
-- . 2020-09-22 1370
一种低功耗电源管理电路设计方案
方案选择 在使用手持机时候必须对电源进行有效的管理，节约电源，降低功耗，延长电池的寿命，常用电源管理方案有低功耗管理方案和系统断电管理方案。 1． 低功耗管理方案 低功耗方案即为在系统不需要测量的时候，让MCU处于深度睡眠，并且关闭FPGA的PLL时钟输出，并且采用三极管关闭液晶以及一些外围电路的电源，这样系统总电流理论上能小于1mA。但是激光测距仪长时间是处于未测量状态，即使电流非常小，时间累计
mcu
博客园 . 2020-09-10 1550
稳压二极管的作用以及在BMS上的应用
最近遇到了稳压二极管漏电流偏大的案例，问题还在持续分析中，借助这个由头，总结下稳压二极管方面的基础知识。（图片来源于 VISHAY 官网） 稳压二极管的工作原理 定义：稳压二极管，英文名称 Zener diode，又叫齐纳二极管；稳压二极管是二极管中的一种，由硅材料制成，也是一个 PN 结，但是由于制造工艺不同，当这种 PN 结处于反向击穿状态时，PN 结不会损坏，并且当电流在一定范围变化时，
稳压二极管
-- . 2020-08-21 1120
臭名昭著的MOS管米勒效应
如下是一个 NMOS 的开关电路，阶跃信号 VG1 设置 DC 电平 2V，方波（振幅 2V，频率 50Hz），T2 的开启电压 2V，所以 MOS 管 T2 会以周期 T=20ms 进行开启和截止状态的切换。 首先仿真 Vgs 和 Vds 的波形，会看到 Vgs=2V 的时候有一个小平台，有人会好奇为什么 Vgs 在上升时会有一个小平台？ MOS 管 Vgs 小平台 带着这个疑问
MOS管
-- . 2020-08-11 825
网友问答 | 关于I2C电平转换电路
今天的文章来源于网友问答，我在群里给解答了一下，关于 I2C 电平转换，我之前写过一篇串口电平转换，其实是一个东西，然后今天我再简单写一下。 之前的文章：3.3V 和 5V 串口通信电平转换电路 聊天记录中给出的原图就是下面这张。 1. 我首先问了一下，VDD_SN 的电压，这个电压肯定是要小于右边的 3.3V 的，因为什么呢？ VDD_SN 高于 3.3V，NMOS Q1
I2C电平转换
-- . 2020-07-21 1270
带你读懂MOS管参数「热阻、输入输出电容及开关时间」
我们打开一个 MOS 管的 SPEC，会有很多电气参数，今天说一说热阻、电容和开关时间这三个。 热阻，英文 Thermal resistance，指的是当有热量在物体上传输时，在物体两端温度差与热源的功率之间的比值，单位是℃/W 或者是 K/W。 半导体散热的三个途径，封装顶部到空气，封装底部到电路板，封装引脚到电路板。 结到空气环境的热阻用 ThetaJA 表示，ThetaJA =
MOS管
-- . 2020-07-20 640
MOSFET小信号模型直观理解
1、CS单管放大电路 共源级单管放大电路主要用于实现输入小信号的线性放大，即获得较高的电压增益。在直流分析时，根据输入的直流栅电压即可提供电路的静态工作点，而根据 MOSFET的I-V特性曲线可知，MOSFET的静态工作点具有较宽的动态范围，主要表现为MOS管在饱和区的VDS具有较宽的取值范围，小信号放大时 输入的最小电压为VIN-VTH，最大值约为VDD，假设其在饱和区可以完全表现线性特性，并且
MOS管
传感器技术 . 2020-07-15 3045
MOS管的导通条件、基本开关电路
“ 这篇文章主要关于 MOS 管的导通条件和基本开关电路。” 01 导通条件 NMOS 管和 PMOS 管的导通条件不一样。 对于 NMOS，当 Vg-Vs>Vgs(th)时，MOS 管导通，即 G 极和 S 极的差大于一定值，MOS 管会导通，但是也不能大太多，Vgs(th)和其他参数需要看 MOS 管的 SPEC。 对于 PMOS，和 NMOS 管是相反的，当 Vs-Vg>vsg(
MOS管
-- . 2020-06-27 1250
干货 | 从器件的结温角度探讨产品的可靠性
工程师在设计一款产品时用了一颗9A的MOS管，量产后发现坏品率偏高，经重新计算后，换成5A的MOS管，问题就解决了。为什么使用电流裕量更小的MOS管，产品可靠性却提高了呢？本文将从器件的结温角度跟你说说产品的可靠性。 工程师在设计的过程中非常注意元器件性能上的裕量，却很容易忽视热耗散设计，案例分析我们放到最后说，为了帮助理解，我们先引入一个公式： 其中Tc为芯片的外壳温度，PD为芯片在该环境中的耗
MOS管
YXQ . 2019-08-06 1620
MOS管和IGBT管的定义与辨别
MOS管和IGBT管作为现代电子设备使用频率较高的新型电子器件，因此在电子电路中常常碰到也习以为常。可是MOS管和IGBT管由于外形及静态参数相似的很，有时在选择、判断、使用容易出差池。MOS管和IGBT管可靠的识别方法为选择、判断、使用扫清障碍！ MOS管 MOS管即MOSFET，中文名金属氧化物半导体绝缘栅场效应管。其特性，输入阻抗高、开关速度快、热稳定性好、电压控制电流等特性。 IGBT管
MOS管
yxw . 2019-07-09 755
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