英飞凌推出面向18〜40kHz开关用途的低损耗IGBT
英飞凌科技于2016年10月17日推出了支持18kHz?40kHz开关频率的低损耗1200V耐压IGBT（绝缘栅双极型晶体管）“RC-E系列”（英文发布资料）。新产品在IGBT上集成续流用体二极管，采用了该公司自主技术“TRENCHSTOP”。英飞凌表示，“此次的产品面向开关频率低、要求低导通损失的用途优化了特性。另外，成本方面，也面向要求低中价位的用途实现了优化”。主要用于感应加热（IH）烹
IGBT
日经技术在线 . 2016-11-14 945
干得漂亮，国产高压大功率IGBT中标国家智能电网
小编语：此前在跟一位来自中国南车的工程师沟通的时候就得知，国内包括南车、北车在内的一些厂商近年来在IGBT产品方面没少折腾，很大程度上制衡了几个国际大厂的价格垄断，如今北车中标智能电网项目，相信里面有照顾民族产业的成分，但如此重要项目，产品质量还是要有保证才行，小编觉得我们还是要喜大普奔一下，威武！ 作为国家科技重大专项——智能电网高压芯片封装与模块技术研发及产业化项目的中国北车永济电机公司以
智能电网
-- . 2014-10-15 815
深入浅出解析IGBT的工作原理及作用
本文通过等效电路分析，通俗易懂的讲解IGBT的工作原理和作用，并精简的指出了IGBT的特点。可以说，IGBT是一个非通即断的开关，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。 IGBT（绝缘栅双极型晶体管），是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱
GTR
中国电力电子产业网 . 2014-09-02 695
IGBT的崛起——国产功率器件的曙光
IGBT是功率器件技术演变的最新产品，是未来功率器件的主流发展方向。IGBT 器件（绝缘栅双极型晶体管）是一种MOSFET与双极晶体管复合器件。既有功率MOSFET易于驱动、控制简单、开关频率高的优点。又有功率晶体管的导通电压低、通态电流大、损耗小的优点。基于技术和功能上的优势，IGBT产品可以实现对以往功率器件产品的逐步替代。IGBT产品集合了高频、高压、大电流三大技术优势。IGBT能够实现
功率器件
华强电子网 . 2014-08-05 905
2013年度大事记：蓝牙/IGBT/802.11p全面爆发
蓝牙4.0超越过往 三大操作系统支持飞速发展 微软、苹果等操作系统早已经原生支持蓝牙4.0，谷歌也于近日发布Android 4.3版本，可原生支持Bluetooth Smart Ready技术。这意味着蓝牙4.0得到了苹果、谷歌、微软为代表的三大操作系统的支持。鉴于Android高达70%的市场份额，它的原生支持将使得蓝牙4.0迎来更大的市场空间。“蓝牙产品总出货量已经超过90亿，而每年均
802.11p
华强电子 . 2013-12-13 1015
IGBT厂商开拓新市场，低电压应用成为目标
IGBT业者正积极抢进600伏特以下的低电压应用。全球经济不稳定，加上主要应用市场竞争日益激烈，使得IGBT产业近来成长趋缓。为开创成长新契机，IGBT业者遂致力研发适合低电压应用领域的新技术与产品方案，甚至朝向12寸晶圆制造发展。 Yole Developpement电力电子部门分析师Alexandre Avron 受到全球政府降低再生能源及运输支出的影响，绝缘闸双极电晶体（I
IGBT
新电子 . 2013-05-06 965
IR Gen8 1200V IGBT技术平台为工业应用提升效率及耐用性
国际整流器公司 （InternaTIonal RecTIfier，简称IR） 推出新一代绝缘闸双极电晶体 （IGBT） 技术平台。全新第八代 （Gen8） 1200V IGBT技术平台利用IR新一代沟道闸极场截止技术，为工业及节能应用提供卓越的性能。 崭新的Gen8设计让顶尖的Vce（on） 能够减少功耗，增加功率密度，以及提供超卓的耐用性。IR亚太区销售副总裁潘大伟表示：“IR透过开发全
IGBT
未知 . 2012-11-21 635
IGBT 系统设计详解
IGBT，中文名字为绝缘栅双极型晶体管，它是由MOSFET（输入级）和PNP晶体管（输出级）复合而成的一种器件，既有MOSFET器件驱动功 率小和开关速度快的特点（控制和响应），又有双极型器件饱和压降低而容量大的特点（功率级较为耐用），频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常 工作于几十kHz频率范围内。 理想等效电路与实际等效电路如图所示： IGBT 的静态特性一般用不
双极型器件
本站整理 . 2012-03-06 905
中国半导体产业观察之IGBT
IGBT是功率器件技术演变的最新产品，是未来功率器件的主流发展方向。IGBT 器件（绝缘栅双极型晶体管）是一种MOSFET与双极晶体管复合器件。既有功率MOSFET易于驱动、控制简单、开关频率高的优点。又有功率晶体管的导通电压低、通态电流大、损耗小的优点。基于技术和功能上的优势，IGBT产品可以实现对以往功率器件产品的逐步替代。IGBT产品集合了高频、高压、大电流三大技术优势。IGBT能够实现
功率器件
SERIChina . 2012-02-17 1185
IGBT走虚拟IDM之路：设计与加工是分离还是统一？
电子科技大学微电子与固体电子学院教授、副院长 张波 目前我国IGBT产业在国家政策及重大项目的推动及市场牵引下得到了迅速发展，呈现出大尺寸区溶（FZ）单晶材料、IGBT芯片工艺和IGBT模块封装技术全面蓬勃发展的大好局面。 我国IGBT成就显著 天津中环半导体股份有限公司研制的6英寸FZ单晶材料已批量应用，在国家“02”科技重大专项的推动下，8英寸FZ单晶材料已取得重大突破；电磁灶
芯片工艺
中电网 . 2012-02-16 885
IGBT:走虚拟IDM之路
目前我国IGBT产业在国家政策及重大项目的推动及市场牵引下得到了迅速发展，呈现出大尺寸区溶(FZ)单晶材料、IGBT芯片工艺和IGBT模块封装技术全面蓬勃发展的大好局面。 我国IGBT成就显著 天津中环半导体股份有限公司研制的6英寸FZ单晶材料已批量应用，在国家“02”科技重大专项的推动下，8英寸FZ单晶材料已取得重大突破;电磁灶用1200V NPT型IGBT已由多家企业(江苏东光、华
IDM
中国电子报 . 2012-02-15 915
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