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  • 赛昉科技SoC于22年第二季度量产 翠展微电子打造国产IGBT新名片

      合肥市高新区领导莅临赛微电子基地调研   近日，合肥高新区党工委委员、管委会副主任吕长富，合肥高新集团党委书记、董事长蔡霞，合肥高新区半导体投资促进中心副主任田君，合肥高新集团招商部经理李安，合肥高投合伙人杨明，合肥高投投资经理潘丹阳等一行莅临赛微电子北京8英寸MEMS基地参观调研。赛微电子首席运营官、赛莱克斯北京总经理沈勇，赛微电子董事、副总经理、董秘张阿斌，赛微电子副总经理、财务总监蔡猛，

    翠展微电子

    翠展微电子 赛昉科技 赛微 . 2022-03-07 3178

  • 变频电源驱动电路中IGBT的过热保护

      变频电源在正常工作情况下流过IGBT的电流较大，开关频率较高，故而器件的损耗也比较大，如果热量不能及时散掉，使得器件的结温Tj超过Tjmax，则可能造成IGBT损坏。   IGBT的功耗包括稳态功耗和动态动耗，其动态功耗又包括开通功耗和关断功耗。在进行热设计时，不仅要保证其在正常工作时能够充分散热，而且还要保证其在发生短时过载时，IGBT的结温也不超过Tjmax。   当然，受设备的体积和重量

    IGBT

    上海雷卯电子leiditech . 2022-01-14 2345

  • 下游需求快速增长 IGBT供需缺口或延至2023年

      目前，能源革命对MOSFET、IGBT等功率半导体提出了较大需求，以光伏、风电为代表的智能电网建设以及新能源汽车等主要终端市场，从电气化率和能耗管理两层面为功率半导体行业带来了新增量。   其中，IGBT兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面优点，有望尤其深度受益。据开源证券预计，风电+光伏+储能新增装机市场对IGBT的需求规模将由2021年的86.7亿美元上升至2025年的1

    IGBT

    芯闻路1号 . 2022-01-10 2805

  • 扬杰科技IGBT全年营收增5倍 功率半导体景气获验证

      1月9日，扬杰科技公告，预计2021年实现归母净利润7.19亿-7.94亿元，同比增长90%-110%。Q4单季度，公司实现归母净利润1.54亿-2.29亿元，若以区间上限来计，同比增长97.6%。   公司表示，全年业绩大增主要得益于：新建产能加速释放；子公司2021年营收增长；产品中，MOSFET产品营收同比增长130%，小信号产品82%，IGBT产品500%，模块产品35%。   值得一

    扬杰科技

    芯闻路1号 . 2022-01-10 2 2596

  • SiC和硅基IGBT的效率相差了多少？

       最近功率电子比较热门，我这边把几份材料的一些观点梳理一下。   2022年是中国碳化硅使用的很重要的一个年份，主要是目前800V系统带来了很多变化，具体从各个层面到底有哪些差异，我想根据梳理材料来和大家探讨。   我们首先来说IGBT，其实在电动汽车领域特别要感谢英飞凌，在欧洲汽车企业没进来之前，日产、本田和丰田都是围绕自己的技术开发逆变器，而且把IGBT的冷却和迭代技术作为核心；特斯拉在导

    《汽车电子瞭望台》系列

    汽车电子设计 . 2021-12-15 2457

  • IGBT集电极电压超过额定电压会发生什么？

      在IGBT数据手册中，显眼的位置都会给出最大额定电压的定义，例如：          FF450R12ME4中关于最大额定电压的定义       我们常常被告诫：实际应用中，IGBT集电极电压绝对不能超过额定值，否则器件有可能被击穿。       然后有的同学并不死心：如果我只超了一点点呢，1210V就会击穿吗？如果只是一个非常短非常短，比如只有1us的脉冲呢？功率器件也没那么脆弱啊对不对？

    IGBT

    互联网 . 2021-12-09 1 1812

  • 浅谈功率半导体烧结贴片技术

      技术正在不断发展。工业部门跟随发展，公司专注于市场上最需要的应用，根据消费者的需求改变他们的生产重点。AMX 为其烧结压机发明了一种新型烧结工具 Micro-Punch，它可以独立地以特定压力（热敏电阻、IGBT、MOSFET）将每个组件压在基板上，芯片，芯片）。据 AMX 称，Micro-Punch 工具可确保压力均匀并消除以下高价值问题：模具断裂、倾斜、分层和空隙。Micro-Punch

    功率半导体

    powerelectronicsnews . 2021-11-12 1740

  • 功率半导体上市公司10强

    功率半导体是电力电子的核心，通过半导体的特殊性能，实现电能的转换与电路的控制（变频、变相、变压、逆变、整流、增幅、开关等功能），广泛应用于工业控制、汽车电子、无线通讯和消费电子等领域。   中国是全球最大的功率半导体消费国，市场占比超过 40%。但遗憾的是，在中高端的功率半导体供应商中，特别是 IGBT 和中高压 MOSFET 器件，主要是欧美系厂商为主，比如如英飞凌（Infineon）、安森美（

    功率半导体

    -- . 2020-07-22 1315

  • 基于IGBT器件的三相逆变器驱动电路的设计与分析

    1、 前 言 电 力 电 子 变 换 技 术 的 发 展 ， 使 得 各 种 各 样 的 电 力 电 子 器 件 得 到 了 迅 速 的 发 展 。 20世 纪 80年 代 ， 为 了 给 高 电 压 应 用 环 境 提 供 一 种 高 输 入 阻 抗 的 器 件 ， 有 人 提 出 了 绝 缘 门 极 双 极 型 晶 体 管 （ IGBT）。 在 IGBT中 ， 用 一 个 MOS门 极 区 来

    驱动电路

    电源技术应用 . 2020-07-16 1450

  • IGBT为什么这么难？

    内容精要：IGBT，需要大量的经验积累和技术储备，不是短时间内靠砸团队、砸资金就能突破的。市场层面，认证周期较长，替换成本高，壁垒更是很高。不管是技术还是市场，IGBT 行业对新进入者都极其不友好。毕竟我们起步晚了那么多年，要追赶，还是存在重重障碍。   IGBT 是一个难啃的骨头，这是一个公认的事实。   市场需求大，中国企业落后，这又是一个不争的事实。   根据市场研究机构的数据，中国目前 I

    IGBT

    -- . 2020-07-16 1725

  • 拙见 | 短路振荡如何改善

    之前我们有提到过 IGBT 的短路及其保护，以及门极驱动电路的设计，为了使 IGBT 能够在满足产品设计的要求时发挥其最大的性能，往往需要经过反反复复的测试，才能确定较优的参数和性能。今天我们就来聊聊 IGBT 短路测试中经常出现，但可能不太被重点分析的一种现象——短路振荡。   在我们设计产品进行 IGBT 选型的时候，我们在关注电流、电压、损耗等等性能参数中，短路耐量一直是备受关注的一点。而这

    IGBT

    -- . 2020-07-06 5700

  • IGBT还有哪些投资机会？

    最近 IGBT 两个引人关注的标志性事件：   一个是斯达半导（603290），自 2020 年 2 月 4 日上市后，连续 22 个涨停，总市值高达 323.86 亿，市盈率高达 300 倍，引发了资本市场对这个功率半导体器件的重点关注。   一个是比亚迪旗下控股子公司比亚迪半导体，准备分拆上市，进入 2020 年，已经完成了两轮融资，估值高达 102 亿。   投资方更是阵容豪华，涵盖韩国 S

    IGBT

    -- . 2020-07-03 925

  • 连续22个涨停下的中国IGBT

    关于 IGBT 的科普文章，请参考“科创之道”之前发布的科普文《电磁炉里的高科技》。IGBT，一枚小小的功率半导体器件，却在电力电子领域发挥巨大作用，被誉为电力电子的 CPU，电路很简单，功能也很简单，就是不断地将强电流切断、连通，通过开关功能，实现电流的变频。但是可别小看了 IGBT 这简单的功能，迄今为止，我们的 IGBT 高端产品还是被国外垄断。斯达半导体，刚刚 IPO 上市，连续 22 个

    CPU

    -- . 2020-03-25 1050

  • 变频器电路板IGBT拆卸方法图解

    老司机手把手教你快速拆卸变频器IGBT模块 工欲善其事，必先利其器。怎样才能拆一个IGBT模块只用十分钟呢？ 最好用的就是一把大功率烙铁加空压机，烙铁融化后用气枪一吹就干净了，如果没有空压机，用大功率电烙铁和吸锡器也不难，下边简单说说，每个牌子变频器拆起来会有点小差异。 没有金刚钻别揽瓷器活，最好用的就是一把大功率烙铁加空压机，烙铁融化后用气枪一吹就干净了，拆一个IGBT模块不用十分钟。如果没有空

    IGBT

    网络整理 . 2020-03-09 1075

  • 选择栅极驱动器时,需要考虑的四大电路特性

    在电源电子（例如驱动技术）中，IGBT（隔离式栅极驱动器 - Insulated Gate Bipolar Transistor）经常用作高电压和高电流开关。这些功率晶体管由电压控制，其主要损耗产生于开关期间。为了最大程度减小开关损耗，要求具备较短的开关时间。 然而，快速开关同时隐含着高压瞬变的危险，这可能会影响甚至损坏处理器逻辑。因此，需要为IGBT提供合适栅极信号的栅极驱动器，还需要执行提供短

    IGBT

    YXQ . 2019-08-07 1180

  • 注册资金2.5亿美元 总投资7.5亿美元 IGBT签约落户嘉善县开发区

    7月16日，IGBT功率半导体项目签约落户嘉善县开发区。嘉善县领导徐鸣阳、郑明、何全根、陆春浩参加签约仪式。 据了解，IGBT功率半导体项目注册资金2.5亿美元，总投资7.5亿美元，主要从事高端绝缘栅双极型晶体管的自主研发和制造，一期用地34亩，二期预留用地46亩，一期达产后预计年产值将超过20亿元。项目亩均投资超过6400万元，亩均产值预计超5800万元，亩均税收预计将超过440万元。项目还将在

    半导体

    LONG . 2019-07-19 1125

  • 总投资200亿元!名芯半导体项目落户赣州经开区

    近日，江西赣州经开区官方微信平台消息显示，赣州经开区与名芯有限公司（香港）、电子科技大学广东电子信息工程研究院（以下简称“电研院”）签订三方合作框架协议，名芯半导体项目落户赣州经开区。 据介绍，名芯半导体项目总投资200亿元，将分两期建设：一期投资60亿元，建设一条8英寸功率晶圆生产线；二期投资120-140亿元，规划建设第三代6/8英寸晶圆制造生产线或12英寸硅基晶圆制造生产线。两期项目达产达标

    IGBT

    YXQ . 2019-06-12 610

  • 2018年功率晶体管销售额再创新高 增长14％

    根据2019年的报告，功率晶体管的销售额增长率达到两位数，2018年增长14％，达到创纪录的163亿美元，更是打破2017年增长11％的纪录。 功率晶体管的强劲增长势头进入今年第一季度，全球销售额与2018年同期相比增长了近10％，但预计2019年下半年增长率将大幅放缓。 此外，预计2019年功率晶体管的销售额将增长5％，达到创纪录的171亿美元，然后在2020年下降2％，达到168亿美元。 在过

    IGBT

    YXQ . 2019-05-17 635

  • 捷捷微电投建MOS管、IGBT等项目，增募资不超9.11亿元

    集微网消息 在半导体分立器件行业，尽管中国已经发展成为全球最大的半导体分立器件市场，但就半导体分立器件的供给而言，目前全球半导体分立器件主要以美日欧企业为主，高端市场几乎被这三大主力垄断。 2010年以来，国务院及各部委多次颁布了鼓励半导体行业发展的政策，国家政策的支持将加速我国高端功率器件的发展进程，加速 IGBT、MOSFET 等高端功率器件芯片生产工艺的研制和开发进程。 未来，我国必然会出现

    IGBT

    未知 . 2018-09-26 1010

  • 英飞凌IGBT芯片技术又升级换代了？

    基于最新的微沟道沟槽栅芯片技术，英飞凌推出全新1200V TRENCHSTOP™ IGBT7 ，同时采用最新EmCon 7二极管芯片与之搭配成IGBT开关，带来功率器件领域的革命性变革。 想先人一步领略新品魅力？敬请莅临6月25日举行的2018 英飞凌功率半导体技术研讨会上海站，我们将在下午变频驱动分会场上进行IGBT7技术特性的首次国内宣讲，揭开英飞凌下一代IGBT的神秘面纱。 IGBT7和Em

    英飞凌

    未知 . 2018-06-21 815

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