三星电子3纳米GAA技术芯片出厂
7月25日，三星电子在韩国京畿道华城厂区内的极紫外光刻（EUV）专用V1生产线举行了适用新一代全环绕栅极（Gate AllAroundT，简称GAA）技术的3纳米芯片产品出厂纪念活动。三星电子上月底宣布基于GAA技术的3纳米工艺半导体产品投入量产。3纳米工艺是半导体制作工程中最为尖端的制程技术，三星电子赶超台积电和英特尔等竞争商，率先推出该技术。 与此前使用鳍式场效应晶体管（FinFET）
韩国
芯闻路1号 . 2022-07-25 2269
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