7月25日，三星电子在韩国京畿道华城厂区内的极紫外光刻（EUV）专用V1生产线举行了适用新一代全环绕栅极（Gate AllAroundT，简称GAA）技术的3纳米芯片产品出厂纪念活动。三星电子上月底宣布基于GAA技术的3纳米工艺半导体产品投入量产。3纳米工艺是半导体制作工程中最为尖端的制程技术，三星电子赶超台积电和英特尔等竞争商，率先推出该技术。

  与此前使用鳍式场效应晶体管（FinFET）的芯片相比，新产品采用芯片面积更小、电耗减少、性能提升的GAA技术，在技术层面意义重大。三星电子将首次把3纳米GAA工艺用于高性能计算机群（HPC），并计划与主要合作商携手将其扩至移动系统级芯片（SoC）等多种产品群。三星电子计划继华城厂区之后，在平泽厂区也投入量产GAA3纳米芯片。