铭镓半导体4 英寸氧化镓晶圆衬底技术突破
12 月 9 日消息，北京铭镓半导体有限公司近期使用导模法成功制备了高质量 4 英寸（001）主面氧化镓（β-Ga2O3）单晶，完成了 4 英寸氧化镓晶圆衬底技术突破，并且进行了多次重复性实验，成为掌握第四代半导体氧化镓材料 4 英寸（001）相单晶衬底生长技术的产业化公司。 据晶片测试分析，其结晶质量和加工技术也保持在产品级标准。劳厄测试衍射斑点清晰、对称，说明晶体单晶性良好，无孪晶，X
晶圆
芯闻路1号 . 2022-12-11 2 1260
昭和电工宣布开始批量生产6英寸SiC衬底
3月31日消息，昭和电工宣布开始大规模生产用于功率半导体的6英寸碳化硅（SiC）单晶衬底。该公司是世界上最大的SiC外延片的外部销售商，外延薄膜是在基片上生长的。通过在内部制造基材，该公司旨在提高质量并加强其稳定的供应系统。它还将继续从外部来源采购基质。生产量、生产地点和投资金额均未披露。 昭和电工考虑在内部生产SiC基片已有一段时间，2010-2015年期间参与日本国家电力半导体研发项目；201
国际资讯
芯闻路1号 . 2022-03-31 2382
第三代功率半导体的年复合增长率将在2025年达到48%，2022下半年将量产8寸衬底
3月11日，目前最具发展潜力的材料是具备高功率及高频率特性的宽禁带（Wide Band Gap；WBG）半导体，包含碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN），主要应用大宗为电动车、快充市场。 据TrendForce集邦咨询研究预估，第三类功率半导体产值将从2021年的9.8亿美元（约61.9亿人民币），至2025年将成长至47.1亿美元（297.7亿人民币），年复合成长率达48%。 SiC适
芯片
芯闻路1号 . 2022-03-11 2162
RF SOI产能严重不足，衬底等原材料缺货是元凶？
5G 的日益临近正在推升业界对 300mm 和 200mm 射频晶圆的需求，晶圆短缺，供不应求。 为了应对智能手机对 RF SOI 工艺的巨大需求造成的供不应求，几家晶圆代工厂正在努力扩大 RF SOI 工艺的产能。 许多代工厂正在提高 200mm RF SOI 晶圆的产能，以满足急剧增长的需求。格罗方德、TowerJazz、台积电和联电也正在扩大和提高 RF SOI 的 300mm 晶圆产能，为
RF SOI
-- . 2018-05-21 995
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