3月31日消息，昭和电工宣布开始大规模生产用于功率半导体的6英寸碳化硅（SiC）单晶衬底。该公司是世界上最大的SiC外延片的外部销售商，外延薄膜是在基片上生长的。通过在内部制造基材，该公司旨在提高质量并加强其稳定的供应系统。它还将继续从外部来源采购基质。生产量、生产地点和投资金额均未披露。

昭和电工考虑在内部生产SiC基片已有一段时间，2010-2015年期间参与日本国家电力半导体研发项目；2018年，昭和电工接管新日铁住友金属（现在的新日铁）集团的SiC基片相关资产，并继续开发大规模生产技术。一些客户决定采用该公司的6英寸基板的SiC外延片，并且已经开始大规模生产。

预计未来汽车应用对使用SiC衬底的功率半导体的需求将进一步增加。昭和电工将通过内部生产，与现有的供应商一起使其基材供应商多样化来应对强劲需求。