消息称台积电 3nm 量产获重大突破，今年 8 月投片
4 月 12 日消息，台积电决定今年率先量产第二版 3nm 工艺 N3B，将于今年 8 月于台湾省新竹 12 厂研发中心第八期工厂及南科 18 厂和P5 厂同步投片，以鳍式场效晶体管（FinFET）架构，对标三星的环绕闸极（GAA）制程。 有消息称，台积电的 3nm 工艺仍将在今年晚些时候投入生产。进入生产的变体被称为“N3B”，Digitims 预计初始产量将在每月 4 万至 5 万片之
台积电
芯闻路1号 . 2022-04-12 1832
多晶硅表面纹理化的典型方法
湿化学蚀刻是多晶硅表面纹理化的典型方法,湿化学蚀刻法也是多晶体硅表面锯切损伤的酸织构化或氢氧化钾锯切损伤去除后的两步化学蚀刻,这些表面纹理化方法是通过在氢氟酸-硝酸-H2O的酸性溶液中进行化学蚀刻来实现的。在这种解决方案中，我们可以通过简单的工艺蚀刻多晶硅表面来降低反射光谱。在400 ~ 1100纳米范围内，氢氧化钾锯损伤去除后的酸性化学腐蚀获得了27.19%的反射率。这一结果比刚刚锯下的损伤
晶片
华林科纳半导体设备制造 . 2022-03-28 1475
芯片世界观︱台积电、三星、格罗方德将在7nm工艺节点全面超越英特尔？
近年来，半导体逻辑器件的世界版图大浪淘沙，目前仅存活下四家公司。本文接下来总结每家公司的现状，并介绍了怎么对他们进行比较的。ASML 分析了许多逻辑节点，然后制定了一个公式： 标准节点尺寸 = 0.14 x (CPHP x MMHP)0.67 其中，CPHP 是互联多晶硅的半节距，MMHP 是最小金属半节距。 标准单元的尺寸是轨道高度的若干倍，其中，轨道高度即为最小金属半节距，而轨道宽
工艺
-- . 2016-09-06 1685
应用材料：你们都错了，200mm市场还远没有结束
200mm远没有终结 在半导体产业集体大跃进，我们高呼先进工艺制造向12英寸的300mm晶圆飞奔的时候，在联电、台积电、三星等大厂积极投入12英寸晶圆厂的扩建扩产的大背景下，作为半导体设备领导厂商的应用材料给出的一组数据让我们大大的惊讶了一次，应用材料200mm系统部门战略和技术营销总监Mike Rosa介绍，2013年应用材料的200mm设备在亚太区的营收为1500万美元，2014年这一数字为2
工艺
-- . 2015-09-12 1025
三星成FD-SOI工艺救命稻草？
不少代工厂都宣称已经从意法半导体那里获得了FD-SOI技术的授权，然后就再没动静了。 GlobalFoundries在两年前就发表了这样的声明，三星在去年的设计自动化会议上也做出了类似的声明，但是这两家公司从那以后就再也没有给出更多的关于FD-SOI的消息。当然，关于14/16nm，人们最关注的还是FinFET，但事实上，把设计迁移到FinFET上的案例也相当少。 很多设计还是停留在28nm或更大
工艺
-- . 2015-02-11 1580
流程工艺设备垂直联网的设计方案
工业以太网是一个基于以太网技术标准进行实现所有控制、调节仪器设备自动化技术的高层次概念。因为一般情况下企业已拥有把办公计算机连接成为一个网络的LAN以太网了，而这种网络有可能与工业以太网联网，并且仍然使用LAN网络中产品生产过程中的各种控制和监控设备。但在这样构建一个网络时，所使用的元器件必须符合生产现场的使用要求。因为仪器设备在生产现场的使用要求与办公室有着很大的区别。其中就包括适应恶劣环境的要
联网
中国传动网 . 2010-06-03 685
- 1