4 月 12 日消息,台积电决定今年率先量产第二版 3nm 工艺 N3B,将于今年 8 月于台湾省新竹 12 厂研发中心第八期工厂及南科 18 厂和P5 厂同步投片,以鳍式场效晶体管(FinFET)架构,对标三星的环绕闸极(GAA)制程。
有消息称,台积电的 3nm 工艺仍将在今年晚些时候投入生产。进入生产的变体被称为“N3B”,Digitims 预计初始产量将在每月 4 万至 5 万片之间。“N3B”之后,很快就会有一个被称为“N3E”的高级变体,预计将在 2023 年投入生产。
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