英特尔高管：尚未在量产工厂启动基于EUV光刻的Intel 4制程生产
8月30日，英特尔技术开发高级总监Pat Stover和逻辑技术与开发产品工程总监兼副总裁William Grimm接受媒体采访，透露了英特尔后续处理器开发的新消息： 目前，Intel 4制程仅在俄勒冈州的D1工厂进行量产。其中包括所有D1C/D1D/D1X，每月总产量为40000个。然而，这是所有进程节点的总和，而不是仅Intel4的40000个。 爱尔兰的Fab 34是第一座Intel 4量产
快讯
芯闻路1号 . 2023-08-30 2484
机构：新一代光刻技术专利竞争，台积电在晶圆代工排名第一
据外媒报道，研究机构TechInsights日前梳理了各大企业在EUV、纳米压印等新一代光刻技术领域专利持有情况，对象包括ASML、台积电、三星电子、卡尔蔡司等主要玩家。 TechInsights发现，主要企业EUV光刻专利数量为1114件，其中蔡司（353例）和ASML（345例）占据了相当大的比例，台积电在晶圆代工界排名第一，也拥有279项专利，三星电子为137项，是其主要竞争对手台积
台积电
芯闻路1号 . 2023-02-05 2665
华懋科技：联营企业拟投资建设年产8000吨光刻材料新建项目
7月20日消息，华懋（厦门）新材料科技股份有限公司（以下简称“华懋科技”）发布关于公司联营企业拟投资建设年产8000吨光刻材料新建项目的公告。 公告显示，年产8000吨光刻材料新建项目总投资20亿元人民币，资金来源为东阳华芯自有及自筹资金。东阳凯阳以其在东阳华芯的认缴额2.8亿元进行出资，公司目前无为项目建设提供包括担保、财务资助等其他资金支持的计划。目前，项目已取得歌山镇北江农垦场纬三路
光刻
芯闻路1号 . 2022-07-20 1486
发明光刻机技术，美国却没有光刻机，为什么？
光刻可以说是半导体制造中最重要的一步。今天最先进的 EUV 光刻机是极其复杂的机器，其成本与一架新的波音喷气式客机一样高。 从 1984 年与飞利浦的合资企业开始，ASML 已经发展成为世界第二大芯片设备制造商，也是 EUV 机器的唯一供应商。 事实上，美国可以说是光刻技术的发明者，在本文中，我们将就他们为何发明了光刻技术，却最终没有光刻机就行简要分析。 需要提一下，本
光刻机
航空制造网 . 2021-11-09 2173
新型反射显示:基于等离子超体表面无光刻制程
等离子体超表面（Plasmonic Metasurfaces）是一项非常有希望用于反射式显示器的技术，相比于现有产品，基于该技术的反射式显示器具有更宽的色域和更高的空间分辨率。不过遗憾的是，到目前为止，这种等离子体技术的商业化一直都还存在问题，其颜色调节还很困难。 此外，该技术的实施还需要借助高成本的纳米光刻制造技术。解决这些问题一直都是彭佳龙研究小组的攻克方向，他们来自剑桥大学（英国剑桥）卡文迪
纳米
YXQ . 2019-06-28 925
台积电 | 首次加入EUV极紫外光刻技术 7nm+工艺芯片已量产
台积电官方宣布，已经开始批量生产7nm N7+工艺，这是台积电第一次、也是行业第一次量产EUV极紫外光刻技术，意义非凡。 台积电表示，7nm+ EUV工艺的良品率已经提高到和初代7nm同样的水平，将今年带动7nm工艺芯片的产能显著提升。预计2019年的总产能折合可达1200万块300mm晶圆，其中7nm工艺的会有100万块，比去年猛增150％。 根据此前消息，华为麒麟985将率先应用台积电7nm+
台积电
YXQ . 2019-05-28 965
光刻工艺的苛刻高精度、重复性和稳定性要求
光刻技术，顾名思义就是一种用光刻印的技术，它广泛应用于半导体制造行业以及许多其他纳米技术应用中；为适应当今微电子产品日趋微型化的趋势，相关应用领域越来越需要具备高生产能力的光刻设备。 本文探讨了位置反馈技术在现代光刻工艺中的应用，以及最新光栅系统和传统激光尺系统各自的优势与潜能，这些特性为机器设计人员提供了极大的灵活性，使其能够探索如何在不影响性能的前提下最大程度地减少光刻设备的占地面积。 半导体
半导体
YXQ . 2019-05-15 1175
突发！ASML对手，宣布破产！
荷兰的芯片机制造是世界有名的，其中的ASML就是世界领先的佼佼者，但是，上周有消息传出，其荷兰的竞争对手、代尔夫特的芯片机制造商Mapper证实正式宣布破产。商谈，但是具体内容没有透露。 Mapper有员工270人，但是，申请押后还款已有一段时间了。 Mapper有员工270人，但是，申请押后还款已有一段时间了。 目前，Mapper能否再生尚不清楚。监护人证实，已有多家公司对此兴趣，但是，破产公司
芯片
工程师李察 . 2019-01-05 1005
EUV光刻工艺终于商业化 新一代EUV光刻工艺正在筹备
随着三星宣布7nm EUV工艺的量产，2018年EUV光刻工艺终于商业化了，这是EUV工艺研发三十年来的一个里程碑。不过EUV工艺要想大规模量产还有很多技术挑战，目前的光源功率以及晶圆产能输出还没有达到理想状态，EUV工艺还有很长的路要走。在现有的EUV之外，ASML与IMEC比利时微电子中心还达成了新的合作协议，双方将共同研发新一代EUV光刻机，NA数值孔径从现有的0.33提高到0.5，可以进一
光刻
网络整理 . 2018-10-30 780
IC设计工程师必须要知道光刻的原因
在30多年的半导体制造历史上，最大的一个挑战就是跟上1965年摩尔做出的预测，即集成电路中的晶体管数目每两年翻一番。 为了实现这个目的，IC尺寸越来越大，而特征尺寸越来越小。有两个方法来减小特征尺寸，一是减小用来刻印特征到晶圆的激光器波长，一是调整成像设备的数值孔径，使得晶圆上的成像更加清晰。 但是当特征尺寸低于光源波长时，从248nm的光刻工具开始情况有了改变。当尺寸小于激光波长时，
IC设计
网络整理 . 2018-03-29 1095
e世绘︱一份台积电的预测，让这些半导体设备厂商的2017年充满悬念？
台积电是全球规模最大的纯代工厂，最近降低了公司 2017 年代工业务的营收预期。 台积电目前正在致力于实现到 2018 年全面使用 EUV 光刻技术生产 7nm 芯片，这将对设备厂商在 2017 年的沉积和蚀刻设备销售造成明显的影响。 台积电估计，整个半导体行业 2017 年的增长率为 7%，明显低于 Gartner 估计的 12.3%，这意味着一些设备厂商的销售情况将进一步恶化。 由于供应链库存
台积电
-- . 2017-04-20 1270
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