企业 | SK 海力士大连扩产遇阻

据知情人士透露，美方暂未批准 SK 海力士用于大连工厂扩产的美国产芯片制造设备出口许可，这也令这家韩国存储企业计划在纽约建设存储芯片工厂的项目增添变数。 SK 海力士正在向美方申请出口许可，希望为大连工厂新增设备。企业方面提出，提升大连工厂产能所获得的收益，可作为其美国新建工厂的资金来源。

知情人士表示，美国商务部暂未批复这批新增许可。两名知情人士称，SK 海力士旗下美国子公司 Solidigm 计划投入约 450 亿美元，在纽约州马西（Marcy）建设两座 NAND 闪存工厂，远期总投资规模最高有望达到 1000 亿美元。NAND 闪存属于断电后数据仍可保留的存储芯片，广泛用于数据中心存储场景。

大连扩产进度，绑定纽约建厂谈判

这场谈判的核心矛盾在于：为吸引境外芯片制造投资落地本土，美国本届政府愿意在多大尺度上调整现行出口管制规则。美方相关管制措施出台的初衷，是限制美国技术流向、规避相关安全风险。美中经济与安全审查委员会委员利兰・米勒（Leland Miller）表示：“归根结底，这类事项必须得到白宫层面认可，才有可能继续推进。” 该委员会是美国国会下设的跨党派机构。

白宫方面暂未就此置评。

知情人士称，双方磋商仍在进行，大连工厂扩产许可能否获批，是 Solidigm 纽约建厂计划能否落地的关键前提。

与商务部多轮会晤，尚未收到正式驳回通知

一名知情人士透露，自 8 月下旬起，Solidigm 高管已经和美国商务部官员举行了近十次会谈。企业方面的诉求是，需要提升在华产能、推进更先进 NAND 工艺制造，一方面为美国建厂积累营收，另一方面维持自身行业竞争力。知情人士称，在上一轮会谈中，美国商务部副部长杰弗里・凯斯勒（Jeffrey Kessler）明确表态，美方不支持新增美国制造设备用于大连工厂的产能升级与扩产。

不过，商务部还没有正式驳回 “向大连厂区空置洁净车间出口美国设备” 这一项许可申请；双方还在另行磋商一份 2027 年许可，用于大连工厂维持现有运转所需设备。

知情人士介绍，8 月下旬的会谈上，Solidigm 联席 CEO 理查德・钦（Richard Chin）等高管与美国商务部长霍华德・卢特尼克（Howard Lutnick）、凯斯勒会面。美方官员对这笔潜在投资、在美落地 NAND 产线的方案表达积极态度，希望尽快推进协商。此后 Solidigm 已经起草多版许可申请文件，持续和商务部沟通修改方案。

美国商务部发言人暂未回应置评请求。 Solidigm 上周对外发布声明称：“Solidigm 是在美国创立、总部设于美国的企业，我们会持续评估各类战略选项，更好服务客户、夯实长期竞争力。

目前公司正在全球范围内筛选 NAND 闪存晶圆厂备选落地地点，尚未敲定任何具体方案。” 这家总部位于加州兰乔科尔多瓦（Rancho Cordova）的企业，目前仍维持该说法。SK 海力士方面在非工作时段暂未回应采访请求。