英国剑桥，2026年6月9日 —— 创新氮化镓（GaN）功率器件全球领导者剑桥氮化镓器件公司（Cambridge GaN Devices，CGD）宣布与恩智浦半导体（NXP® Semiconductors）达成合作，共同加速数据中心和汽车市场的产品开发与上市进程。
作为当前增长最快的应用领域之一，数据中心和新能源汽车市场为GaN技术带来了巨大发展机遇。国际能源署（IEA）预计，到2030年，全球数据中心能耗将较当前水平翻一番，能源效率提升已成为行业发展的关键课题。数据显示，数据中心功率半导体市场预计将以11.0%的复合年增长率（CAGR）增长，到2032年全球市场规模将达到42.9亿美元；与此同时，ResearchandMarkets.com预测，电动汽车牵引逆变器市场将以16.1%的复合年增长率增长，并于2034年达到676亿美元的市场规模。
根据双方达成的长期合作协议，恩智浦将基于CGD先进的GaN产品开发系统级解决方案，并获得CGD下一代GaN技术的优先使用权，同时充分利用CGD团队在GaN工艺与器件技术领域的深厚积累。与此同时，CGD也将受益于恩智浦丰富的处理器和模拟器件产品组合、系统设计能力以及全球市场渠道资源，通过优化的系统级解决方案进一步加速市场拓展。
Fabio Necco | CGD 首席执行官表示，“通过与恩智浦紧密合作，我们正在加速向新一代GaN功率电子技术的转型。这项合作旨在充分发挥GaN的性能优势，在实际数据中心和汽车系统中提升效率、功率密度和可靠性。在这些应用领域，性能、成本和可持续发展必须同步实现。”
Chris Bretz | 恩智浦高级电源系统副总裁表示，“CGD将先进的GaN创新技术与实用、可扩展的电源解决方案完美融合，实现卓越的稳健性、可靠性和系统级性能。凭借深厚的器件技术积累和丰富的产业化经验，CGD已成为恩智浦加速高效率GaN技术在数据中心、工业和汽车等高增长市场落地应用的理想长期合作伙伴。”
与传统功率半导体技术相比，GaN器件能够支持更高频率的开关运行，并实现更高的能源转换效率。
当前数据中心功耗需求正快速增长，而这一趋势主要由人工智能（AI）应用的迅猛发展所驱动。2022年，单个服务器机柜的功耗通常约为40kW，而如今已达到200kW甚至更高。预计到2030年，单个机柜的功耗需求将突破1MW。
随着计算密度不断提升以及新一代供电架构的广泛应用，市场对功率密度、更高降压比以及能源转换效率提出了更为严苛的要求。CGD的ICeGaN®技术凭借其独特优势，能够有效满足这些需求，实现更高开关频率运行、更高功率密度，并相比离散式GaN方案提供更卓越的可靠性表现。
在汽车牵引逆变器应用中，GaN技术能够有效提升轻载工况下的系统效率。CGD的ICeGaN™技术是业内唯一采用单晶片GaN架构、且可兼容标准驱动器的解决方案，支持多个器件并联运行，从而满足牵引逆变器对大电流输出能力的需求。
凭借双方在知识产权和技术能力上的高度互补， CGD 与恩智浦将能够为客户提供独具差异化优势的系统级解决方案，助力客户充分发挥 GaN 器件在数据中心和汽车这两大战略性高增长市场中的性能与价值优势。
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