CFMS | MemoryS 2026都有哪些亮点？

在今年的CFMS | MemoryS 2026已经结束，现场热闹程度更甚从前，由于去现场参观的人实在太多，在接近中午十分，去往二楼主会场和展厅的电梯被停，楼梯拉起了警戒线，不再放人进入。

为何今年的闪存峰会有这么多人关注呢？估计跟去年下半年开始存储价格不断上涨，供应开始紧缺有关。主办方CFM闪存市场的总经理邰炜在开场分享中都提到，“今年就连酒店工作人员都在问我，存储行业缺货还要缺多久？”

他同时指出，AI正在快速吞噬存储产能。根据CFM闪存市场数据，2026年AI服务器在整体服务器出货中占比将突破20%，进一步推高存储配置。AI推理正驱动eSSD成为2026年NAND Flash最大的应用市场。此外，端侧AI有望成为新的增长动力，汽车市场也正成为AI落地的重要场景之一。

在价格方面，自从2025年Q4开始，存储价格迎来了快速上涨，合约价与现货价同步上涨，行业焦点从“看谁更便宜”转向“看谁能拿到货”。邰炜预计存储价格应该会在2026年Q3后趋稳，但不同产品间将出现分化。

在峰会上，存储产业的头部企业基本都到场了，根据他们的分享，以及展示的产品，芯查查总结了今年闪存峰会主要的亮点如下：

一是存储行业进入“超级周期”

这是邰炜在开场分享中的观点，在他看来，这一次存储价格的上涨，不是一次简单的周期反弹，而是一场长周期的范式转移。存储市场进入了AI驱动的超级长周期。他预计，2026年，全球半导体存储市场规模将突破6000亿美元。

产能倾斜导致结构性短缺常态化。在邰炜看来，目前存储原厂普遍采取稳住价格、保证利润都策略，将先进产能优先投入高毛利、高技术壁垒的AI存储产品，成熟制程与消费级产能被持续挤压，行业库存水位已经跌至历史安全线以下。由于存储产能扩张周期长达18至24个月，新产能最早也要到2027年才能释放，供应短缺问题短期内难以缓解，结构性错配已经成为常态。

二是eSSD将会取代HBM，成为KV Cache主战场。

这是参加峰会的多家存储原厂的共识。三星、铠侠、长江存储等企业不约而同地都将KV Cache（键值缓存）下放到NVMe eSSD，并作为核心发展方向。

大模型上下文从4K Token暴涨至128K Token，单请求的KV Cache存储空间直接飙升32倍，遇到高并发请求时甚至会高达TB级别，昂贵的HBM与DRAM在容量和成本上均面临物理极限。

因此，产业界开始构建Context Memory Storage（上下文存储层），将KV Cache下放至eSSD。例如，江波龙的iSA（存储智能体）与SPU配合，通过HLC（High Level Cache）高级缓存技术，将温冷数据下沉至SSD，在397B超大模型本地部署时，可节省近40%的DRAM容量需求。

长江存储则推出了多款PCIe 5.0接口的企业级eSSD新品满足KV Cache需求。例如覆盖4TB至32TB容量，高性能的PE522、高安全性的PE511，以及覆盖32TB~128TB大容量的QLC eSSD产品PE501等。

铠侠针对KV Cache扩展应用，推出了企业级CM9系列CMX版，容量为25.6TB，预计今年第三季度上市。

闪迪在KV Cache应用场景，推出了具备第五代PPE的SN861，容量为32TB。

群联电子则推出了用于AI PC推论的Phison Hybrid AI SSD，可大量部属地端使用AI推论，安全可靠，数据不外泄，成本可控，预计将可减少超过50%以上的DRAM使用量。

三是PCIe 6.0首次出现商业化产品

三星在峰会上展出了其前沿的16通道PCIe 6.0固态硬盘PM1763，这是全球首款面向 AI 服务器的 PCIe 6.0 SSD，在 25W 功耗内实现了比上一代产品I/O性能 2 倍的提升，同时，能效提升了1.6倍。该产品凭借突破性的性能和能效表现，获得了本届峰会的”PCIe 6.0 年度创新先锋奖”。 

这标志着存储接口正式从Gen5迈向Gen6时代，三星也透露了未来PCIe 7.0和PCIe 8.0的产品预研，代际切换明显提速。

四是超大容量QLC eSSD全面爆发

铠侠 LC9（245.76TB）、长江存储 PE501（128TB）、三星 512TB EDSFF——三家原厂不约而同地在本次峰会推出或预告超大容量 QLC 产品。这预示着 QLC 已经从”低端消费品”转型为 AI 数据中心里性价比最高的大容量方案，单盘大容量正在替代”多块小容量 SSD 拼凑”的传统配置思路。

技术层面上，铠侠最新量产的BiCS8 NAND Flash为218层，并持续向300层以上演进，其持续推进的第9代与第10代BiCS Flash，结合CBA技术，第10代产品达332层，密度较第8代提升59%，读取吞吐量提升10%，写入吞吐量提升15%，数据传输能效提升15%。

三星最新量产的V9 NAND Flash达到了286层，相比V8 NAND Flash存储密度提高了约50%。

SK海力士最新量产的V9 NAND Flash采用了321层堆叠结构，是业界最早进入300层级量产阶段的NAND Flash之一。

美光最新量产的第9代NAND Flash采用了276层堆叠结构。

五是HBF快速起步，有望在2028年爆发

今年的峰会多家厂商提到了HBF技术。该技术从2025年初闪迪首次提出概念，7月成立HBF技术咨询委员会，再到三星、SK海力士、闪迪三方签署谅解备忘录，共同推进HBF标准化，进度非常快。

2026年2月，闪迪与SK海力士联合召开“HBF规格标准化联盟启动会”，宣布正式启动HBF全球标准化进程，推动HBF标准化工作。基于各厂商的时间规划，HBF有望在2027年实现商业化，预计2028年有望爆发。

进展最快的是闪迪，该公司计划2026年下半年交付首批HBF内存样品，预计2027年初提供首批采用HBF技术的推理设备样品。

三星已经启动了HBF产品开发的概念设计和其他早期工作。最快会在2027年底或2028年初将HBF技术应用于NVIDIA、AMD或谷歌的实际产品中。

长江存储明确将HBF作为核心战略方向，依托Xtacking4.0架构的晶圆级键合经验，计划通过TSV与混合键合技术，将多层3D NAND Flash直接与GPU或AI加速器进行集成。此外，长江存储提出“HBF+NPU”助力存算协同，为端侧智能设备提供解决思路。

六是模组厂商的商业模式重塑

传统消费电子需求疲软，多家机构都预计2026年手机出货量将会下滑10%～15%，但Flash合约价却节节攀升，形成了严重的价格倒挂。为了跨越周期，独立主控与模组厂商必须从“倒卖库存”转向“提供深层次价值”。

例如江波龙通过构建涵盖芯片设计、硬件、固件软件，以及封装测试等服务的存储产品Foundry模式，以深度定制化来抵御通用存储的红海价格战。在端侧AI应用场景，江波龙锚定材料散热综合工程能力，以及芯片设计能力，提供更具竞争力的产品。

本次峰会上，江波龙推出了SPU（Storage Processing Unit，存储处理单元）与iSA（Intelligence Storage Agent，存储智能体），构建起“芯片硬件+智能调度”的端侧AI存储软硬件协同技术闭环。其SPU产品WM8500采用了5nm工艺制造，单盘最大容量达128TB。具备存内无损压缩、HLC（High Level Cache）高级缓存技术两大关键能力，存内无损压缩平均压缩比达2:1，实测覆盖文本/代码/数据库等多类数据，大幅节省SSD容量和成本；还能通过HLC技术实现温冷数据下沉至SSD，节省近40% DRAM容量需求。

此外，在封装方面，江波龙依托中国工程师自研优势，完成SiP（System in Package，系统级封装）全流程设计，可将 SoC、eMMC/UFS、LPDDR、WiFi、Bluetooth、NFC等多类芯片集成于一颗封装内。可应用于针对AI 眼镜、智能手表、POS机等对空间体积、机身轻薄度、散热控制有着严苛要求的终端产品。