JLHF800B120RD3E7DN是金兰LD3封装模块中的一个典型产品，该产品为半桥拓扑，并内置热敏电阻（NTC）。该产品采用AMB(Si3N4)陶瓷基板，具有较高的热导率、更好的可靠性；芯片采用第七代IGBT, 实现了更高的功率密度和更低的功率损耗。该产品可广泛应用于储能、光伏逆变、工业变频、电动汽车等领域。

  
产品特点

• 全温度范围VCE耐压大于1200V
• 饱和压降低至1.7V，更低的导通损耗，卓越的开关损耗
• 10us的短路时间
• 除常规可靠性项目外，还可以通过1000小时常温反偏阻断实验（100%Vce，RTRB）
• 采用AMB(Si3N4)基板，较常规基板热阻降低25%以上
• 采用AMB(Si3N4)基板，耐高低温冲击能力提高8倍以上
• 优化外壳结构，更长的爬电距离；
• 优化接线端子，在大电流下更低的端子温升

参数对比

选择与金兰模块相近规格的友商产品在相同条件下进行参数对比，包括国外I公司750A产品、国外F公司800A产品，国外O公司800A产品，目前国内LD3封装能做到800A额定电流的产品还比较少。 

Vcc=800V，VGE＝15V，tp≤10μs

从测试结果来看：

（1）从产品的交直流参数以及损耗上看，金兰模块与市场主流厂家最新竞品参数达到相近水平。

（2）由于金兰模块使用AMB(Si3N4)基板，产品热阻与使用相同基板的F公司竞品接近，与I公司和O公司产品相比热阻具有明显优势。

（3）参与测试样品都满足了10us 短路测试的要求。

由此可见，金兰模块在电特性、短路能力达到市场主流厂家最新竞品水平的前提下，具备更好的散热能力，可以在实际应用中具备更好的温升表现。此外，金兰模块除可以通过常规可靠性考核项目外，还可以通过1000小时常温反偏阻断实验（100%Vce，RTRB），在光伏、储能等应用中可以具备更好的可靠性表现。

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