台积电子公司创意电子5纳米HBM3 IP通过流片验证

来源: 芯闻路1号 作者:玉衡 2023-09-07 14:15:40

9月7日,台积电子公司、知名设计服务厂商创意电子(GUC)宣布,其采用台积电5nm制程技术的HBM3 IP解决方案已通过8.4 Gbps流片验证,此方案基于CoWoS技术,已于台积电北美技术论坛公开展示。

 

据了解,创意电子亦已推出采用3nm的HBM3 IP, 支持台积电CoWoS-S和CoWoS-R,并可达到目前尚在规划中的下一代HBM3E/P内存速度。

 

创意电子总经理戴尚义博士表示:“我们很荣幸能展示全球第一款8.4 Gbps的HBM3控制器和物理层IP设计方案。创意电子采用台积电7nm、5nm和3nm技术,建立了完备的2.5D/3D小芯片IP产品组合。本公司将结合包括CoWoS、InFO和TSMC-SoIC在内的多项3DFabric技术设计专业,为客户的人工智能(AI)/高效能运算(HPC)/xPU/网络/先进驾驶辅助系统(ADAS)产品提供稳健且全方位的解决方案。”

 

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