5月6日消息，中科院物理研究所科研人员通过优化生长工艺，改善晶体结晶质量，成功制备单一 4H 晶型的 8 英寸碳化硅（SiC）晶体，并加工出厚度约 2mm 的 8 英寸 SiC 晶片。

早在2017 年，陈小龙研究员、博士生杨乃吉、李辉副研究员、王文军主任工程师等开始 8 英寸 SiC 晶体的研究，通过持续攻关，掌握了 8 英寸生长室温场分布和高温气相输运特点，以 6 英寸 SiC 为籽晶，设计了有利于 SiC 扩径生长的装置，解决了扩径生长过程中籽晶边缘多晶形核问题；设计了新型生长装置，提高了原料输运效率；通过多次迭代，逐步扩大 SiC 晶体的尺寸；通过改进退火工艺，减小了晶体中的应力从而抑制了晶体开裂。2021 年 10 月在自研的衬底上初步生长出了 8 英寸 SiC 晶体。

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