1月10月，因应经营困境，东芝拟进行3个独立子公司改组，其中负责半导体的东芝电子零组件，将以功率半导体为主要投资方向，投资建设12英寸晶圆功率半导体生产线，并在现有硅材料功率半导体之外，追加碳化硅(SiC)或氮化镓(GaN)等化合物功率半导体产品，促进集团事业连动。

  东芝电子零组件功率组件技师长高下正胜表示，功率半导体过去多都是用4~8英寸晶圆生产线，但电动车与再生能源带来高速成长的需求，强化8英寸晶圆生产线但还是不够，因此决定同时在日本石川县加贺东芝电子内增建12英寸晶圆厂，让总产能提高90%，满足未来需求。

  新的12英寸功率半导体生产线将在2023年完工生产，而东芝电子零组件改组为Toshiba Device Co预定将在同年进行，届时重点产品除现有硅材料MOSFET与IGBT/IEBT外，还有SiC与GaN等化合物功率半导。