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恩智浦获汽车连接联盟(CCC)认证，加速数字车钥匙发展

恩智浦半导体近日宣布，其单芯片NFC和嵌入式安全元件解决方案SN220已通过汽车连接联盟®️（简称CCC）2023年12月推出的数字钥匙认证。这标志着恩智浦成为首家获得该认证的数字车钥匙解决方案提供商。恩智浦提供涵盖完整数字汽车钥匙生态系统的一整套解决方案，包括超宽带 (UWB)、NFC芯片和低功耗蓝牙等，可适用于移动设备制造商和汽车厂商的应用需求。重要意义数字车钥匙的作用不仅仅是让驾驶员能够无缝、安全地使用汽车。驾驶员还能通过数字钥匙控制家庭成员、代驾司机等人对汽车的使用权限。随着这一功能越来越受欢迎，其互操作性和安全性成为关键。 CCC拥有超过200名成员，其中包括领先的汽车制造商、智能设备制造商和科技公司。该协会最近推出了一项符合CCC数字密钥规范的认证计划，旨在汽车、移动电话和其他免手持汽车门禁设备组成的整个生态系统中，实现无缝的互操作性和安全性。恩智浦半导体智能汽车门禁总经理Michael Leitner表示： “作为CCC的创始成员，恩智浦长期以来一直是安全汽车门禁生态系统的核心推动者。该认证验证了未来可推动汽车数字钥匙发展的规范。作为首家获得该认证的解决方案提供商，恩智浦全面集成的系统解决方案将为这个快速增长的市场树立质量和安全标准。” 汽车连接联盟主席Alysia Johnson表示： “该认证对于在消费者和行业中建立信任至关重要，它将支持汽车和设备制造商提供安全、用户友好的数字钥匙门禁体验。我们的目标是建立全球兼容性，实现无缝、安全的数字钥匙体验，无论涉及哪种汽车或移动设备。” 小米互联高级总监张墅潇表示：“小米的首要任务是确保卓越的用户体验。SN220具有出色性能，以及CCC认证的互操作性，这对我们来说非常重要，也符合小米致力于为用户提供新颖有趣的创新的承诺。” 更多详情 SN220是一款融合解决方案，将NFC控制器与嵌入式安全元件结合在单个芯片中，构成整体数字钥匙系统解决方案的一部分。恩智浦的数字钥匙不仅包含安全元件和NFC，还利用UWB和低功耗蓝牙来确保一致、无缝的用户体验。

NXP

NXP客栈 . 22小时前 440
日月光二度调高今年资本支出明年先进封装营收会再倍增

日月光投控搭上AI热潮带来先进封装强劲需求，营运长吴田玉昨（25）日表示，原订今年先进封装营收增加2.5亿美元的目标将可超标，为满足订单需求，二度调高今年资本支出，看好本季业绩续扬，明年先进封装营收会再倍增。凯米台风袭台，多数县市昨天再休一天台风假，日月光在台风天仍举行线上法说会，吴田玉释出好消息。吴田玉并未透露今年日月光投控资本支出确切金额，仅表示，今年资本支出主要用于先进封装与先进测试，其中53%用于封装、38%用于测试、1%为材料、8%为EMS 。法人指出，日月光投控去年资本支出约15亿美元，原预期今年约21亿美元，年增四至五成，4月上调至年增五成以上，此次二度上调后，全年资本支出可望达30亿美元，较去年倍增，凸显客户需求远超乎预期。日月光投控财务长董宏思补充，下半年是传统旺季，但市场复苏速度低于公司预期，毛利率也会略受压抑，预估未来会逐步回升至目标区间，不过在先进封装业务方面，感受到需求强劲成长，也积极扩产追赶客户需求。展望本季营运，吴田玉指出，根据当前业务评估及汇率假设，若以新台币计价，封测事业营收将季增高个位数百分比、毛利率介于23%到23.5%之间；电子代工服务（EMS）方面，若以新台币计价，营收将季增15%至20%，营益率略高于去年第4季的3.5%。市场预期，日月光投控本季合并营收约1,580亿元至1,600亿元，季增12%至14%，力拼同期次高。吴田玉强调，先进封装业务呈现强劲成长态势，正积极扩产以追赶上客户的需求，甚至为满足AI、高效能运算（HPC）等先进封装需求，集团与晶圆厂、客户有更直接的互动，进而去建构足够的产能，包括封装与测试。吴田玉指出，集团年初设定先进封装营收增加2.5亿美元的目标，目前看来将可超标，且成长态势延续至明年。法人推算，日月光投控今年先进封装占整体封测营收比重可望超过5%，优于原预估的4%至5%区间，明年占比持续拉升，整体先进封装营收朝再倍增的目标前进。吴田玉透露，日月光投控持续建构先进测试产能，包含Burn in（老化测试），同时将有利于客户一元化（turn-key）服务解决方案的量能，估计明年效益就会开始显现。吴田玉分析，CoWoS先进封装技术开发需要数年的时间，且无论是oS或是CoW，集团已与代工合作伙伴共同开发多年。

CoWoS

芯查查资讯 . 22小时前 1 475
联想冲刺AI PC 代工厂仁宝、纬创迎大商机

联想积极冲刺AI PC业务，力拼成为领导者，联想执行副总裁、IDG（智慧设备业务）负责人Luca Rossi喊出"2027年所有新个人电脑均配备AI功能"的目标。联想宣示扩大投入AI PC力道，台系代工厂也将雨露均沾，仁宝（2324）出货比重最大，抢先迎来AI PC大商机，另一代工厂纬创也沾光。联想4月宣布推出号称"地表最强"的AI PC系列产品，首发市场选定中国大陆，陆续在美国、日本等地推出。 Luca Rossi透露，就目前需求来看，美国与中国大陆用户对AI PC产品兴趣相当浓厚。随着AI PC系列产品声量高涨，联想也展现十足信心，看好AI PC将刺激市场需求成长，Luca Rossi预期，许多消费者将以AI PC取代旧电脑，今年AI PC市场渗透率将达近10 %，2026年渗透率可能进一步提升至50%、甚至60%。仁宝第2季受惠客户需求动能较预期强劲，带动PC出货量季增16%，优于原先预期的季增个位数百分比。仁宝并看好，AI PC将刺激下半年市场需求，预估今年AI PC渗透率约个位数百分比，随着下半年AI PC新品逐渐问世，出货量也会比上半年成长。纬创认为，虽然目前AI PC在消费应用上需求看来还不大，但商用AI产品动能很强劲，今年随着换机潮、AI PC市场启动，PC产业会小幅成长，出货量成长幅度估在5%以内，明、后年会更显著。联想预估，今年全球PC市场将持平表现，未来两年重返成长，现阶段已有超过三亿台电脑使用期间达三至五年，加上微软明年停止对Windows 10的支援，成为未来几年推升PC换机潮的重要动能。联想力推AI PC新品的同时，也宣示强化AI生态系与应用，先前喊出年底前AI应用大增逾20倍、达上千款的目标，盼复制苹果模式、“以软带硬”，打造自有AI生态系，也为其AI PC销售前景增添更多想像空间。 Luca Rossi并强调，联想在开发AI PC时，会考虑每个市场的语言、文化及法规，内部正设计许多AI功能，并将与不同地区的合作伙伴合作。目前联想中国市场选定携手阿里巴巴，基于阿里巴巴旗下阿里云的自研大型AI语言模型通义千问，进行一系列技术创新，打造“真AI PC”。

联想

芯查查资讯 . 22小时前 1 470
禾赛获上汽通用汽车激光雷达量产定点

据禾赛科技消息称，近日，禾赛科技宣布与国内合资乘用车领域的龙头上汽通用汽车达成定点合作，将为上汽通用汽车未来车型提供禾赛 AT 系列车规级远距激光雷达。禾赛作为上汽通用汽车的数字化生态合作伙伴，于今年受邀出席了上汽通用汽车别克品牌日发布会，双方将不断深化在未来出行领域的协同合作，共同推进高阶智驾方案系统的研发与普及。据悉，上汽通用汽车到 2025 年新技术领域总投入将达到 700 亿元，预计将在 2024 至 2025 年累计推出 12 款全新的新能源车型，其中就包括奥特能纯电车型和全新一代 PHEV 智电插混车型，以满足市场的多样化需求。在智能网联化方面，上汽通用汽车也在加快提升核心竞争力，全新一代超级辅助驾驶系统陆续在各品牌车型上快速部署，同时，还将推出覆盖更广泛使用场景的高阶智能辅助驾驶功能，打造智能、安全、可靠的辅助驾驶体验。禾赛 AT 系列激光雷达基于自研芯片化架构打造，实现了高度集成的收发模块及稳定可靠的一维转镜扫描方案，赋能从 ADAS 到 L4 的自动驾驶系统，为汽车提供高置信度、全天候的三维感知，成为智能驾驶系统的核心功能件和安全件。自 2022 年大规模量产交付以来，AT128 已成功赋能多款国内新能源市场热门乘用车型上市，累计交付量已经超过了 35 万台（截至 2024 年第一季度）。

上汽

芯查查资讯 . 22小时前 475
亚马逊研发新AI芯片：性能提高40%-50%，使用成本是NVIDIA一半

亚马逊在位于得克萨斯州奥斯汀的一家芯片实验室里，对一款受到严密保护的新型服务器设计进行了测试。亚马逊云业务AWS旗下安纳普尔纳实验室（Annapurna Labs ）的工程总监拉米·辛诺（Rami Sinno）表示参观实验室时表示，该服务器配备了亚马逊的人工智能（AI）芯片，与市场领导者英伟达的芯片竞争。亚马逊正在开发自己的处理器，以限制对英伟达昂贵芯片的依赖，该芯片为其亚马逊网络服务的部分人工智能云业务提供动力。亚马逊希望通过自主研发的芯片帮助客户以更低的成本进行复杂的计算并处理大量数据。其竞争对手微软和Alphabet也在做类似的研发。亚马逊于2015年收购了Annapurna实验室，Sinno称，亚马逊的客户越来越需要英伟达更便宜的替代品。 AWS计算和网络副总裁戴维·布朗（David Brown）表示：“因此，在某些情况下，性能可提高40%甚至50%，因此成本应该是使用英伟达芯片的一半。” 消息称，虽然亚马逊的AI芯片研发才刚刚起步，但其执行非AI计算的主力芯片Graviton已经开发了近十年，目前已是第四代CPU芯片AWS Graviton4，AI芯片Trainium 2和Inferentia是较新的设计。 AWS的销售额占亚马逊整体收入的近五分之一，与去年同期相比，今年第一季度其销售额飙升17%，达到250亿美元。AWS控制着云计算市场约三分之一的份额，而微软的Azure则占据约25%的份额。

AI芯片

芯查查资讯 . 22小时前 2 645
总投资100亿元，长电微电子晶圆级微系统集成高端制造项目将投产

据江阴高新区消息，近日，江苏省重大产业项目长电微电子晶圆级微系统集成高端制造项目（一期）完成了规划核实工作，后续将正式竣工投产。据悉，长电微电子晶圆级微系统集成高端制造项目总投资100亿元，一期建成后，可达年产60亿颗高端先进封装芯片的生产能力。项目聚焦全球领先的2.5D/3D高密度晶圆级封装等高性能封装技术，提供从封装协同设计到芯片成品生产的一站式服务。该项目建成后将成为我国集成电路封测和芯片成品制造行业生产技术水平最高、单体投资规模最大的大型智能制造项目之一，以支持5G、人工智能、汽车电子等高附加值领域的应用。资料显示，长电科技是全球领先的集成电路制造和技术服务企业，提供全方位的芯片成品制造一站式服务，包括集成电路的系统集成、设计仿真、技术开发、产品认证、晶圆中测、晶圆级中道封装测试、系统级封装测试、芯片成品测试并可向世界各地的半导体客户提供直运服务。

晶圆

芯查查资讯 . 22小时前 4 535
总投资160亿，湖南三安SiC项目二期通线在即

据湖南三安官微消息，7月24日，湖南三安半导体举行芯片二厂M6B设备入场仪式。这标志着湖南三安SiC项目二期通线在即，将为全面加速8吋SiC产业布局，实现产线正式投产奠定了良好的基础。据悉，湖南三安SiC项目总投资高达160亿人民币，旨在打造6吋/8吋兼容SiC全产业链垂直整合量产平台。项目达产后，将具备年产36万片6吋SiC晶圆、48万片8吋SiC晶圆的制造能力。 M6B作为湖南三安布局SIC产业的重要一环，其投产情况备受关注。预计到今年12月，M6B将实现点亮通线，8吋SiC芯片将正式投产，湖南三安半导体正式转型为8吋SiC垂直整合制造商。未来，湖南三安将充分发挥自身优势，加大研发投入、提高产能，共同推动8吋SiC芯片领域的发展，有望加速8吋SiC从材料到器件模块直至终端应用全流程的落地实施，为我国第三代半导体产业的发展注入强大动力。资料显示，湖南三安半导体是三安光电全资子公司，专注于电力电子领域，提供功率半导体产品及代工服务，SiC芯片/器件已累计出货超3亿颗。三安半导体拥有国内为数不多的SiC全产业链垂直整合制造服务平台，能提供长晶、衬底、外延、芯片、封测全流程制造服务，实现产品迭代、质量、交付的全方位管控，且产能规模、技术水平在全球同行业中具有竞争力。

湖南三安

芯查查资讯 . 22小时前 545
Molex：Micro-Fit+连接器系列产品

Micro-Fit+连接器系列产品可在空间受限的应用场合中连接大电流电路，具有多种功能选项，且其插配力降低40%，从而提高了设计灵活性和装配效率。 ▲Micro-Fit+连接器特色优势有助于防止电弧的出现连接接口两侧的触点完全隔离满足欧洲电气要求标准采用符合V-0标准且耐电热丝高温的树脂材料保证插座内端子的稳定性和安全性，便于操作人员进行装配采用增强型端子固位架（TPA）设计防止错配不同于标准的Micro-Fit 3.0连接器，独特的区分插接方向设计提供弹夹和焊盘，用于在电路板上进行表面贴装，以提高强度和可靠性，有助于灵活设计印刷电路板针座采用表面贴装技术（SMT）和通孔技术（THT）有助于确保正确的对配方向与标准的Micro-Fit 3.0连接器不兼容，塑壳可以全面区分插接方向耐受260摄氏度的回流焊高温提供耐受回流焊高温的选件插配力减少40% 与标准Micro-Fit 3.0相比，其独特的设计减轻了工作强度，减少了操作员在装配过程中的疲劳，降低人工成本，节省时间和资源便于设计人员进行灵活设计节省电路板空间市场和应用 01 消费类产品复印机冰柜 3D打印机冰箱自动售货机洗衣机 02电信/网络路由器和交换机服务器存储器清洁能源太阳能 03 医疗诊断设备病人监护仪汽车遥测非关键应用场合规格参数参考信息包装：袋子、托盘、卷盘 UL文件编号：E29179 CSA文件编号：LR19980 对配器件： 206832系列、206461系列、 215759系列、223794系列、配套器件： 206460系列、206461系列、 206461系列、206462系列、所用端子： 206460系列设计计量单位：毫米是否符合RoHS指令：是是否无卤素：是是否耐受电热丝高温：是电气参数电压（最大值）：600伏交流（有效值）或直流电流（最大值）：13.0安接触电阻（最大值）：10毫欧绝缘耐压：无击穿漏电流<5毫安绝缘电阻（最小值）：1000兆欧机械参数端子间距：3.00毫米触点插入力：14.7牛（3.3磅力）最大插入力触点对塑壳的抓握力：24.5牛（5.5磅力）对印刷电路板的插入力：13.7牛（3.1磅力）最小抓握力插配力（最大值）：每路7.0牛，镀锡版本每路1.0牛，镀金版本拔脱力（最小值）：每路1.4牛，镀锡版本每路0.2牛，镀金版本物理参数塑壳：玻纤填充液晶聚合物触点：高铜合金电镀：镀镍后镀金或锡印刷电路板厚度：1.57毫米标准厚度工作温度：-40至+105摄氏度

molex

Molex莫仕连接器 . 22小时前 465
新的UWB欧盟标准发布，应用场景更加丰富

2024 年 5 月 27 日发布的最新欧盟标准（2024/1467）标志着使用 UWB 技术基于位置服务的一个重要里程碑。这项标准涵盖了在机动车辆、铁路系统甚至飞机上使用UWB的相关内容的更新。这些更新也对UWB和相应的领域，尤其是RTLS，产生极大影响。 0 1 UWB的主要应用 UWB（Ultra-Wideband，超宽带）技术已经存在多年，但直到几年前，它仍是一项小众技术，只有少数公司采用。最近的市场增长数据显示，UWB在消费产品（如智能手机、智能手表、智能家居设备等）、汽车行业和工业实时定位系统（Real-Time Location Systems，RTLS）中的应用迅速增加。消费产品中的UWB 到目前为止，UWB技术在消费产品中的采用最为广泛，而且主要是在智能手机市场。2023年，约70%的UWB芯片被嵌入智能手机中。苹果公司显然处于领先地位，并已在其生态系统中的众多产品中添加了UWB功能，以支持设备的“空间感知”。其他主要的智能手机厂商如三星和小米也在其最新型号中采用了UWB技术。这一切的基础是FiRa联盟（Fine Ranging），该联盟致力于通过实现人和设备的精确位置感知来改变我们与环境的互动方式。FiRa联盟开发了一项标准，描述了一套通用协议，以支持物理访问控制、智能家居、室内导航、社交距离测量或资产跟踪等应用。随着FiRa2.0版本在2023年发布，我们将看到大量利用这一新标准的新产品上市。特别是在智能锁市场，预计会有一些新产品利用UWB的准确性和安全性，从而提升使用智能手机操作这些系统的体验。工业RTLS中的UWB UWB精确测距的能力是实时定位系统（RTLS）的理想选择。使用UWB技术，RTLS系统可以在复杂环境中提供精确到10至30厘米的实时定位。UWB RTLS主要应用于采矿业、制造业、分销业，还包括医疗、农业、零售甚至体育比赛。在UWB因智能手机普及而成为主流技术之前，UWB RTLS是该技术的主要用例驱动因素。然而，与消费产品的快速发展相比，RTLS技术的采用速度要慢得多。在工业环境中，技术更迭往往是缓慢且渐进的过程。然而，UWB需要在挑战性环境中证明其可靠性的时代已经过去。在今天，UWB RTLS被认为是精确室内定位的黄金标准。 FiRa联盟在2019年成立的同时，另一项名为Omlox的标准也应运而生。该标准专为工业RTLS应用设计，旨在提供RTLS系统供应商以及RTLS应用软件之间的互操作性。虽然该标准的初始版本从未投放市场，但2023年发布的Omlox版本2现在正在逐步推动标准的广泛采用。汽车中的UWB 汽车是UWB技术的另一个即将到来的应用领域，通过在车辆中嵌入这项技术以支持一系列功能。宝马、奔驰、大众汽车以及最近的特斯拉等主要制造商已经推出或正在积极研发带有UWB技术的车辆。智能迎宾”功能是推动这项技术的主要因素，它可以根据车钥匙的位置智能地锁定和解锁车辆。此外，即将出台的儿童存在检测（Child Presence Detection，CPD）标准可能会成为UWB技术的更大驱动力。为了支持这一功能，仅依靠UWB测距是不够的，还需要依赖UWB雷达能力，为此会有一系列新芯片投入市场中。这项技术采用的基础是国际标准。更值得注意的是，汽车连接联盟（Car Connectivity Consortium）已经标准化了用于支持不同汽车制造商之间车钥匙互操作性的UWB协议。该标准的最新版本CCC车钥匙3.0于2021年发布。 0 2 UWB的标准 UWB作为空间感知和基于位置服务的关键无线技术将长期活跃在人们视线中。UWB技术会继续被广泛采用，并逐步成为全球标准。此前IEE802.15.4 标准的明确定义指定了三个频段，总共产生 16 个无线电信道。随后的标准要求各国的监管机构定义其哪些频段可以在地理上能否使用，从而形成了明确的 UWB 标准。在日常的消费应用中，由于UWB 信道 5（6GHz）和 9（8GHz）可以全球使用，所以已被 FiRa 选择为主要 UWB 信道。 2024 年 5 月 27 日发布的最新欧盟标准（2024/1467）标志着使用 UWB 技术的基于位置的服务的一个重要里程碑。这项标准涵盖了在机动车辆、铁路系统甚至飞机上使用UWB的相关内容的更新。美国也在进行类似的标准讨论，目前还没有明确的发布时间。中国计划仅使用较高频率的UWB信道，这将与日本和韩国等其他亚洲地区更加一致。欧盟的最新标准放宽了对UWB的限制，其中最重要的更新是，标准允许更高的发射功率，并且统一了室内外的UWB部署。这些更新极大地支持了UWB的应用，可以更好的使该项技术服务于各行各业。提高室内UWB定位器的发射功率新标准带来的最显著好处是室内定位器的发射功率增加了 10 dB，从 -41.3 dBm/MHz 增加到 -31.3 dBm/MHz。理论上，这可以将标签（tag）到锚点（anchor）的距离扩大约三倍。这意味着RTLS系统的覆盖可以使用更少的锚点，从而降低基础设施成本并提高投资回报率（ROI）。此外，额外的功率裕度提高了信号穿透力，因此发射功率的增强使精确放置标签变得没有那么重要。总体而言，人工容错率的提高使得定位系统将更易于部署和维护。统一室内外UWB的使用规定新标准使得户外部署UWB更加轻松。此前，户外部署仅限于较低频段（频率范围从 3.1 GHz 到 4.8 GHz）的定位跟踪设备，而且欧盟各国的规则和审批流程各不相同，部署存在较大障碍。现在，UWB 信道5到9（频率范围从 6 GHz 到 8.5GHz）户外部署在整个欧盟范围内统一，户外安装必须遵守其他条件和要求，但无需审批流程，为UWB在户外部署铺平道路。 0 3 UWB芯片随着标准化日趋成熟，商用UWB芯片的可用领域正在迅速扩大。国内已有多家芯片厂商发布了UWB芯片。由芯邦科技开发的最新UWB芯片CBU5000V210是一款集成了UWB（6-9GHz）、蓝牙（BLE）和32位微处理器（MCU）的单芯片CMOS SoC，符合IEEE 802.15.4z、IEEE 802.15.4-2015和FiRa标准。这款芯片可以支持测距、3D AOA和雷达功能。BLE系统支持BLE5.0，具有低功耗特性，使得芯片可以支持更长的电池寿命。SoC集成了高性能的32位MCU、硬件安全平台和丰富的功能模块，使得芯片适用于通信、测距、物联网等应用。接下来UWB芯片的普及度会不断提高，应用越来越广泛。随着 2025 年即将推出的新 IEEE 802.15.4ab，将会有新一代UWB芯片进入市场，其功耗进一步降低，安全性提高，并支持流媒体音频。我们的生活将会因为这些智能家居设备而更加便捷，让我们拭目以待。

芯邦科技

芯邦科技 . 22小时前 2 495
英特尔AI解决方案为最新Meta Llama 3.1模型提供加速

为了推动“让AI无处不在”的愿景，英特尔在打造AI软件生态方面持续投入，并为行业内一系列全新AI模型提供针对英特尔AI硬件的软件优化。今日，英特尔宣布公司横跨数据中心、边缘以及客户端AI产品已面向Meta最新推出的大语言模型（LLM）Llama 3.1进行优化，并公布了一系列性能数据。继今年4月推出Llama 3之后，Meta于7月24日正式发布了其功能更强大的AI大模型Llama 3.1。Llama 3.1涵盖多个不同规模及功能的全新模型，其中包括目前可获取的、最大的开放基础模型—— Llama 3.1 405B（4050亿参数）。目前，英特尔丰富的AI产品组合已支持上述最新模型，并通过开放生态系统软件实现针对性优化，涵盖PyTorch及英特尔® PyTorch扩展包（Intel® Extension for PyTorch）、DeepSpeed、Hugging Face Optimum库和vLLM等。此外，企业AI开放平台（OPEA）亦为这些模型提供支持，OPEA这一全新的开放平台项目是由LF AI & Data基金会发起，旨在聚合生态之力，推动创新，构建开放、多供应商的、强大且可组合的生成式AI解决方案。 Llama 3.1多语言大模型组合包含了80亿参数、700亿参数以及4050亿参数（文本输入/文本输出）预训练及指令调整的生成式AI模型。其每个模型均支持128k长文本和八种不同的语言。其中，4050亿参数的Llama 3.1模型在基本常识、可操作性、数学、工具使用和多语言翻译方面具有行业领先的能力。同时，该模型亦帮助开发者社区解锁诸如合成数据生成和模型蒸馏（Model Distillation）等全新功能。以下内容展示了英特尔的部分AI产品组合运行Llama 3.1模型的初步性能结果，包括英特尔®至强®处理器、搭载英特尔®酷睿™ Ultra处理器和英特尔锐炫™显卡的AI PC产品。运行Llama 3.1时展现出卓越性能作为通用计算的基石，英特尔®至强®处理器为全球用户提供强大算力，现已通过各大云服务商面市。英特尔至强处理器在其每个核心中均内置了英特尔®高级矩阵扩展（AMX）AI引擎，可将AI性能提升至新水平。根据基准测试，在第五代英特尔至强平台上以1K token输入和128 token输出运行80亿参数的Llama 3.1模型，可以达到每秒176 token的吞吐量，同时保持下一个token延迟小于50毫秒。图1展示了运行支持128k长文本的80亿参数Llama 3.1模型时，下一个token延迟可低于100毫秒。图1. 基于第五代英特尔®至强®可扩展处理器的Llama 3.1推理延迟由英特尔®酷睿™ Ultra处理器和英特尔锐炫™显卡驱动的AI PC可为客户端和边缘提供卓越的设备端AI推理能力。凭借诸如英特尔酷睿平台上的NPU，以及锐炫显卡上英特尔® Xe Matrix Extensions加速等专用的AI硬件，在AI PC上进行轻量级微调和应用定制比以往更加容易。对于本地研发，PyTorch及英特尔PyTorch扩展包等开放生态系统框架可帮助加速。而对于应用部署，用户则可使用英特尔OpenVINO™工具包在AI PC上进行高效的模型部署和推理。AI工作负载可无缝部署于CPU、GPU以及NPU上，同时实现性能优化。图2. 在配备内置英特尔锐炫™显卡的英特尔®酷睿™ Ultra 7 165H AI PC上，Llama 3.1推理的下一个token延迟图3. 在使用英特尔锐炫™A770 16GB限量版显卡的AI PC上，Llama 3.1推理的下一个token延迟利用Llama 3.1和OPEA部署企业RAG解决方案英特尔AI平台和解决方案能够有助于企业部署AI RAG。作为OPEA的发起成员之一，英特尔正帮助引领行业为企业AI打造开放的生态系统，同时，OPEA亦助力Llama 3.1模型实现性能优化。基于可组合且可配置的多方合作组件，OPEA为企业提供开源、标准化、模块化以及异构的RAG流水线（pipeline）。此次测试中，微服务部署于OPEA蓝图的每一支细分领域中，包括防护（Guardrail）、嵌入（Embedding）、大模型、数据提取及检索。端到端RAG流水线通过Llama 3.1进行大模型的推理及防护，使用BAAI/bge-base-en-v1.5模型进行嵌入，基于Redis向量数据库，并通过Kubernetes（K8s）系统进行编排。图4：基于Llama 3.1的端到端RAG流水线，由英特尔Gaudi 2加速器和至强处理器提供支持目前，英特尔AI PC及数据中心AI产品组合和解决方案已面向全新Llama 3.1模型实现优化，OPEA亦在基于英特尔至强等产品上全面启用。未来，英特尔将持续投入软件优化，支持更多全新的模型与用例。产品与性能信息英特尔至强处理器：在第五代英特尔®至强®可扩展处理器上测量，使用：2个英特尔至强Platinum 8593Q、64核、超线程开启、睿频开启、NUMA 4、512GB（16x32GB DDR5 5600 MT/s [5600 MT/s]）、BIOS 3B07.TEL2P1、微码0x21000200、三星SSD 970 EVO Plus 2TB、CentOS Stream 9、5.14.0-437.el9.x86_64、使用PyTorch和IPEX 2.4运行的模型。英特尔于2024年7月22日进行测试。点击获取资源库。英特尔®酷睿™ Ultra：在搭载英特尔酷睿Ultra 7 165H平台的微软Surface Laptop 6上进行测量，使用32GB LPDDR5 7467Mhz总内存、英特尔显卡驱动程序101.5762、IPEX-LLM 2.1.0b20240718、Windows 11 Pro版本22631.3593、性能电源策略与核心隔离启用。英特尔锐炫™显卡仅适用于部分H系列英特尔®酷睿™ Ultra处理器驱动的系统，且双通道配置中系统内存至少为16GB。需要OEM支持，请咨询OEM或零售商了解系统配置详情。英特尔于2024年7月18日进行测试。英特尔锐炫™ A系列显卡：使用英特尔酷睿i9-14900K、华硕ROG MAXIMUS Z790 HERO主板、32GB (2x 16GB) DDR5 5600Mhz和Corsair MP600 Pro XT 4TB NVMe SSD，对英特尔锐炫A770 16GB限量版显卡进行测量。软件配置包括英特尔显卡驱动程序101.5762、IPEX-LLM 2.1.0b20240718、Windows 11 Pro版本22631.3593、性能电源策略与核心隔离禁用。英特尔于2024年7月18日进行测试。

英特尔

英特尔资讯 . 22小时前 520
国家发展改革委财政部印发《关于加力支持大规模设备更新和消费品以旧换新的若干措施》的通知

国家发展改革委财政部印发《关于加力支持大规模设备更新和消费品以旧换新的若干措施》的通知发改环资〔2024〕1104号各省、自治区、直辖市人民政府，国务院各部委、各直属机构：　　《关于加力支持大规模设备更新和消费品以旧换新的若干措施》已经国务院同意。现印发给你们，请认真贯彻落实。国家发展改革委财政部 2024年7月24日关于加力支持大规模设备更新和消费品以旧换新的若干措施　　为全面贯彻党的二十大和二十届二中、三中全会精神，认真落实党中央、国务院决策部署，根据《推动大规模设备更新和消费品以旧换新行动方案》（国发〔2024〕7号），现就统筹安排3000亿元左右超长期特别国债资金，加力支持大规模设备更新和消费品以旧换新，提出如下措施。　　一、加大设备更新支持力度　　（一）优化设备更新项目支持方式。安排超长期特别国债大规模设备更新专项资金加大对设备更新的支持力度。在工业、环境基础设施、交通运输、物流、教育、文旅、医疗等领域设备更新以及回收循环利用的基础上，将支持范围扩大到能源电力、老旧电梯等领域设备更新以及重点行业节能降碳和安全改造，并结合实际动态调整。统筹考虑不同领域特点，降低超长期特别国债资金申报门槛，不再设置“项目总投资不低于1亿元”要求，支持中小企业设备更新。相关项目由国家发展改革委采取投资补助等方式予以支持，简化申报审批流程，切实提高办事效率。　　（二）支持老旧营运船舶报废更新。加快高能耗高排放老旧船舶报废更新，推动新能源清洁能源船舶发展。支持内河客船10年以上、货船15年以上以及沿海客船15年以上、货船20年以上船龄的老旧船舶报废更新。在报废基础上更新为燃油动力船舶或新能源清洁能源船舶的，根据不同船舶类型按1500—3200元/总吨予以补贴；新建新能源清洁能源船舶，根据不同船舶类型按1000—2200元/总吨予以补贴；只提前报废老旧营运船舶的，平均按1000元/总吨予以补贴。　　（三）支持老旧营运货车报废更新。支持报废国三及以下排放标准营运类柴油货车，加快更新为低排放货车。报废并更新购置符合条件的货车，平均每辆车补贴8万元；无报废只更新购置符合条件的货车，平均每辆车补贴3.5万元；只提前报废老旧营运类柴油货车，平均每辆车补贴3万元。　　（四）提高农业机械报废更新补贴标准。聚焦保障粮食和重要农产品稳定安全供给，提高农民和农业生产经营组织报废更新老旧农机积极性，在《关于加大工作力度持续实施好农业机械报废更新补贴政策的通知》（农办机〔2024〕4号）基础上，报废20马力以下的拖拉机，单台最高报废补贴额由1000元提高到1500元；报废联合收割机、播种机等并新购置同种类机具，在现行补贴标准基础上，按不超过50%提高报废补贴标准；报废并更新购置采棉机，单台最高报废补贴额由3万元提高到6万元。各地区可结合实际自行确定新增不超过6个农机种类纳入补贴范围，并按现有规定测算确定补贴标准。　　（五）提高新能源公交车及动力电池更新补贴标准。推动城市公交车电动化替代，支持新能源公交车及动力电池更新。更新车龄8年及以上的新能源公交车及动力电池，平均每辆车补贴6万元。　　（六）提高设备更新贷款财政贴息比例。发挥再贷款政策工具作用，引导金融机构支持设备更新和技术改造。对符合《关于实施设备更新贷款财政贴息政策的通知》（财金〔2024〕54号）条件经营主体的银行贷款本金，中央财政贴息从1个百分点提高到1.5个百分点，贴息期限2年，贴息总规模200亿元。　　二、加力支持消费品以旧换新　　（七）支持地方提升消费品以旧换新能力。直接安排超长期特别国债资金，用于支持地方自主提升消费品以旧换新能力。国家发展改革委商财政部综合各地区常住人口、地区生产总值、汽车和家电保有量等因素，合理确定对各地区支持资金规模。各地区要重点支持汽车报废更新和个人消费者乘用车置换更新，家电产品和电动自行车以旧换新，旧房装修、厨卫等局部改造、居家适老化改造所用物品和材料购置，促进智能家居消费等。　　（八）提高汽车报废更新补贴标准。在《汽车以旧换新补贴实施细则》（商消费函〔2024〕75号）基础上，个人消费者报废国三及以下排放标准燃油乘用车或2018年4月30日（含当日）前注册登记的新能源乘用车，并购买纳入《减免车辆购置税的新能源汽车车型目录》的新能源乘用车或2.0升及以下排量燃油乘用车，补贴标准提高至购买新能源乘用车补2万元、购买2.0升及以下排量燃油乘用车补1.5万元。自《汽车以旧换新补贴实施细则》印发之日起申请补贴的消费者，按照本通知标准执行补贴。消费者按本通知标准申请补贴，相应报废机动车须在本通知印发之日前登记在本人名下。　　（九）支持家电产品以旧换新。对个人消费者购买2级及以上能效或水效标准的冰箱、洗衣机、电视、空调、电脑、热水器、家用灶具、吸油烟机等8类家电产品给予以旧换新补贴。补贴标准为产品销售价格的15%，对购买1级及以上能效或水效标准的产品，额外再给予产品销售价格5%的补贴。每位消费者每类产品可补贴1件，每件补贴不超过2000元。商务部指导各地区结合实际做好优惠政策衔接，确保政策平稳有序过渡。　　（十）落实废弃电器电子产品回收处理资金支持政策。2024年中央财政安排75亿元，采取“以奖代补”方式继续支持废弃电器电子产品回收处理工作，促进行业健康发展。截至2023年底，按照废弃电器电子产品处理基金补贴等规定回收处理废弃电器电子产品但尚未补贴的，经生态环境部核实核定后分期据实予以支持。　三、加强组织实施　　（十一）明确资金渠道。国家发展改革委牵头安排1480亿元左右超长期特别国债大规模设备更新专项资金，用于落实本通知第（一）、（二）条所列支持政策；直接向地方安排1500亿元左右超长期特别国债资金，用于落实第（三）、（四）、（五）、（七）、（八）、（九）条所列支持政策。财政部通过原有渠道安排275亿元中央财政资金，落实第（六）、（十）条所列支持政策。第（三）、（五）、（七）、（八）、（九）条涉及的支持资金按照总体9:1的原则实行央地共担，东部、中部、西部地区中央承担比例分别为85%、90%、95%。各省级财政根据中央资金分配情况按比例安排配套资金。各地区要严格执行本通知明确的相关领域支持标准，其他领域支持标准由各地区结合实际合理制定，确保资金投向符合政策要求，确保真金白银优惠直达消费者。若某地区用完中央下达资金额度，则超出部分由该地区通过地方资金支持，中央不再负担。截至2024年12月31日未用完的中央下达资金额度收回中央。　　（十二）强化组织领导。国家发展改革委、财政部统筹安排超长期特别国债资金及中央财政资金支持大规模设备更新和消费品以旧换新，会同有关部门制定相关实施方案和管理办法，明确工作要求，压实各方责任，细化操作流程。交通运输部、农业农村部、商务部等按职责分工细化相关领域补贴标准和实施细则，组织各地区落实好老旧营运车船更新、新能源公交车及动力电池更新、农业机械报废更新、汽车报废更新和个人消费者乘用车置换更新、家电产品以旧换新等支持政策。各省级人民政府要制定实施方案和专项管理办法，明确任务分工，细化落实举措，加强统筹推进，充分发挥创造力，推动加力支持大规模设备更新和消费品以旧换新各项政策落地见效。　　（十三）加强项目和资金管理。有关部门按照职责分工，加强对地方的督促指导，统筹开展线上监控预警和线下实地核查，对资金分配不及时、使用迟缓、挤占挪用等问题，及时提醒并督促整改。各省级人民政府是项目和资金管理第一责任主体，要严格管理超长期特别国债资金，不得用于平衡地方预算、偿还地方政府债务、地方“三保”，不得通过举债筹集配套资金。地方发展改革部门要发挥综合协调作用，牵头做好项目组织和资金分配。地方财政部门要配合地方发展改革和行业主管部门科学合理制定资金测算方案，把握力度节奏，合理拨付资金，做好监控预警，加强监督核查，切实提高资金使用效益。对于不符合上述要求、违反财经纪律的，要及时收回资金，严肃追究相关责任人员的责任。　　（十四）营造良好市场环境。各地区要一视同仁支持不同所有制、不同注册地企业参与大规模设备更新和消费品以旧换新。市场监管部门要及时跟进加强产品质量和价格监管，强化产品质量监督抽查，加大缺陷调查和召回力度，督促企业落实质量安全主体责任，严格查处价格欺诈等行为，大力维护消费者合法权益。对发现存在利用不正当手段骗取补贴资金等违法行为的，各地区要依法依规严肃处理，涉嫌犯罪的移送司法机关依法严厉查处。　　（十五）及时跟踪问效。交通运输部、农业农村部、商务部等部门和各省级人民政府要对工作推进、项目实施、资金使用、绩效目标实现等情况开展自评自查，及时将资金使用和绩效目标完成情况报送国家发展改革委、财政部。国家发展改革委商财政部汇总形成绩效评估报告，并将评估结果作为后续优化资金安排的重要依据。　　（十六）强化宣传引导。各地区各有关部门要通过政府网站、政务新媒体、政务服务平台等及时发布大规模设备更新和消费品以旧换新相关信息，强化政策解读，回应社会关切，引导社会各界积极参与，大力营造良好社会氛围。适时总结推广先进经验和典型做法。鼓励各地区、行业协会组织加强供需对接，促进先进产品和模式交流推广。

政策

国家发展改革委 . 22小时前 1 460
乾鸿微：应用于负压信号选通的高速SPDT模拟开关

某些功放产品（例如GaN功放），需要负电平精准控制功放的栅极电压。本文介绍一种简单的栅压控制方案，采用乾鸿微电子HS102EO型高速SPDT模拟开关进行栅压控制和高速切换。 HS102EO型低压高速单刀双掷(SPDT)模拟开关是由深圳市乾鸿微电子有限公司自主设计，并基于国内代工厂工艺流片的模拟集成电路产品。该产品基于CMOS工艺设计，可在2.5V~5.5V的电源范围内工作，除了常规的正电源应用外，还可以实现负电源的应用，具体应用电路图如下所示。 HS102负压应用电路图 VDD端口接最高电平0V，GND端口接负电源-5V，控制端口IN给的信号是-5V~0V的方波，就以实现对S1和S2导通状态的控制。当IN端的信号为0V时，通道S1导通，S2关断；当IN端的信号为-5V时，通道S2导通，S1关断，导通真值表如下所示。 HS102EO In Switch S1 Switch S2 0 On Off 1 Off On VDD端接0V，GND端接-5V时，控制端IN的逻辑高低电平的推荐值如下：逻辑电平 -40℃~125℃ 高电平逻辑1，VINH 0V 低电平逻辑0，VINL -5V HS102EO型单刀双掷模拟开关在此种电路应用下，就可以实现对电压范围为-5V~0V的传输信号导通和关断情况的控制。适用于一些需要切换传输负压信号的通信、视频、音频等应用场合或一些负压信号处理系统。该产品采用塑封 SOT23-6L，工业级，工作温度范围为-40℃~125℃。

乾鸿微

乾鸿微 . 22小时前 445
凌鸥创新：半桥高压栅极集成预驱动IC产品

栅极驱动芯片（Gate Driver）在电机控制中起着关键作用，它将微控制器（MCU）的控制信号进行放大，以驱动功率器件（IGBT/MOSFET）完成导通和关断工作，同时也将微控制器和驱动电路隔离开，保护微控制器的正常工作。凌鸥创芯&晶丰明源发布了新预驱产品LKS570和LKS571，它们是用于驱动 MOS/IGBT 半桥高压栅极集成驱动芯片，芯片有高侧驱动输出和低侧驱动输出两组，可同时驱动两个 MOS/IGBT 器件，其中高侧器件通过浮动管脚实现电压抬升，最高耐压达+250V，输入信号可兼容CMOS和 LSTTL电平。 LKS570和LKS571为同系列产品，两者区别在于低侧逻辑输入的有效电平不同，LKS570的LIN为低有效，LKS571的LIN为高有效。 01产品特性高侧驱动采用浮动电源设计，最高耐压+250V 驱动电流：+1.2A/-1.5A 可承受瞬时负压芯片电源供电范围 8~20V 高低侧欠压保护功能输入电平3.3V/5V/15V兼容内置250ns死区时间更低UVLO 7.5/7V 封装：SOP8 02 LKS570/571在电机驱动系统中的位置 03主要应用场景无刷直流电机有刷电机单相电机 04 主要应用市场电动自行车、滑板车无人机清洁电器逆变器等 05 典型应用图 06 拓展大电流负载应用图示（驱动产品Roadmap) 晶丰明源&凌鸥创芯控制驱动产品线涵盖多款颇具竞争力的MOSFET、IGBT栅极驱动芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时间控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路以及输出驱动电路。在电动自行车、家电、电动工具、工业控制等领域均应用广泛。

凌鸥创芯

凌鸥创芯 . 22小时前 440
英诺赛科100V车规级新品+1，持续推进汽车激光雷达市场

近年来，新能源汽车高速发展，电动化和智能化成为两大趋势，各大车企已逐步尝试将第三代半导体用于汽车系统，氮化镓高开关频率和高能效优势能够很好地帮助实现新能源汽车电动化与智能化的需求。车载激光雷达作为自动驾驶的关键组成部分，需要更高精度的感知技术。在自动驾驶中，L2辅助驾驶的识别距离受限于MOS方案，相对较短，功耗较大，而L2+/L3辅助驾驶则需要达到更远距离识别。氮化镓芯片所具备的窄脉冲、大峰值电流、高效的性能，能够达到更长的探测距离，并降低功率损耗和温升，更好地满足车载激光雷达系统所需。 2023年底，英诺赛科已推出适用于自动驾驶激光雷达系统的100V车规级氮化镓芯片 INN100W135A-Q（AEC-Q101认证），目前已在多个终端客户中导入设计。为了满足应用多样化的需求，英诺赛科基于100V技术平台研发了一款更小封装体积的（WLCSP 0.9mm x 0.9mm ）100V车规级氮化镓芯片INN100W800A-Q，延续低导阻、低栅极电荷、低开关损耗以及降低的反向恢复电荷等特性，并通过AEC-Q101 认证。 0 1 产品特性通过AEC-Q101车规级认证极低的栅极电荷超小封装 WLCSP 0.9mm x 0.9mm 零反向恢复充电电量 02应用领域车载激光雷达高功率密度DC-DC变换器高强度前照灯 D类音频 03 产品优势 INN100W800A-Q与传统Si器件相比，具备以下优势：开关速度提升13倍，脉冲宽度仅为Si的1/5 功率损耗更低，温升更低可满足L2+/L3辅助驾驶 INN100W800A-Q 规格书首页当前，INN100W0135A-Q和INN100W800A-Q均已成功量产，批量订单交付中。客户可基于不同应用需求进行规格选型。 Key performance parameters at TJ = 25 °C

英诺赛科

英诺赛科 . 22小时前 480
LDO芯片是如何进行工作的？

LDO是一种低压差线性稳压器，它的作用是将输入电压稳定到一个恒定输出电压。LDO是一个低功耗的芯片，它可用于电流主通道控制，芯片上集成了具有极低线上导通电阻MOS、取样电阻和分压电阻、肖特基二极管等器件，具有过温保护、精密基准源、差分放大器、过流保护、延迟器等功能。 LDO通常具有噪声水平较低特点，使得它在音频设备、数据转换器等需要高精度电压的场合中表现优异，低噪声特性有助于减少信号传输过程中的干扰，提高信号质量。LDO能够提供高精度的输出电压，满足对电压精度要求较高的应用场合。如图所示，LDO的工作原理是这样的，通常它由串联调整管 VT 、取样电阻 R3 和 R4 、比较放大器 A组成，取样电阻加在比较器 A的同相输入端，与加在反相输入端的基准电压 Vre相比较，两者的差值经放大器 A 放大后，控制串联调整管的开关，从而稳定输出电压。当LDO的输出电压 Vout 降低时，基准电压与取样电压的差值增加，比较放大器输出的驱动电流增加，串联调整管压降减小，从而使输出电压高。相反，若输出电压 Vout 超过所需要的设定值，比较放大器输出的前驱动电流减小，从而使输出电压降低供电过程中，输出电压校正连续进行，调整时间只受比较放大器和输出晶体管回路反应速度的限制。 LDO有可调LDO和固定输出的LDO，它们的区别就在于 R3 和 R4，可调 LDO 的 R3 和R4 未集成在芯片内部，而要求在外电路上添加，根据 R3和 R4 的比值来设置输出电压。固定输出的 LDO，其 R3 和 R4 是集成在芯片内部的，厂商会根据需要的输出值设定 R3 和 R4 的值。一般情况下，可调 LDO 的输出电压计算公式Vout= Vref(1+R2/R1)+ ladj*R2* ; ladj 的值很小，当 R2 的值较小时，ladj R2 值可忽略不计。但如果 R2 值较大，那 ladR2 的值就不能忽略了。一般稳压器如1117系列的adj 典型值在 50uA左右，如果 R2 取值为 2K 时，电压误差就达到 0.1V了。一般LDO 的Vref 值为 1.25V，也有些产品不一样。当然了，LDO线性稳压器的应用非常广泛，在智能手机、平板电脑、便携式媒体播放器、数字助听器、便携式音频播放器、路由器、交换机、蓝牙模块、Wi-Fi模块、工业控制器、指纹识别器、便携式血气分析仪、车载音响、导航系统等、血压监护仪、心电图机等都有应用。

合科泰

合科泰半导体 . 22小时前 455
意法半导体公布2024年第二季度财报

● 第二季度净营收32.3亿美元；毛利率40.1%；营业利润率11.6%，净利润3.53亿美元； ● 上半年净营收67.0亿美元；毛利率40.9%；营业利润率13.8%，净利润8.65亿美元； ● 业务展望（中位数）：第三季度净营收32.5亿美元；毛利率38%。意法半导体第二季度实现净营收32.3亿美元，毛利率40.1%，营业利润率11.6%，净利润为3.53亿美元，每股摊薄收益0.38美元。意法半导体总裁兼首席执行官Jean-Marc Chery表示：第二季度净营收高于我们业务预期的中位数，虽然个人电子产品营收增长，但汽车产品营收低于预期，抵消了部分增长空间。毛利率符合预期。上半年净营收同比下降21.9%，主要原因是微控制器子产品部与功率及分立器件子产品部营收下降。营业利润率为13.8%，净利润为8.65亿美元。本季度与我们之前的预期相反，工业客户订单情况并未转暖，同时汽车产品需求也出现下滑。第三季度业务展望（中位数）为净营收预计32.5亿美元，同比下降26.7%，环比增长0.6%;毛利率预计约38%，包含闲置产能支出增加350个基点的影响。我们将推进公司2024全年营收132至137亿美元计划。按照这个计划，我们预计毛利率约40%。 2024年第二季度总结回顾 01 净营收净营收总计32.3亿美元，同比下降25.3%。OEM和代理两个渠道的净销售收入同比分别降低14.9%和43.7%。净营收环比降低6.7%，比公司预测中位数高90个基点。 02 毛利润毛利润总计13亿美元，同比下降38.9%。毛利率为40.1%，与意法半导体业绩指引中预测的中值一致，与去年同期相比，下降890个基点，主要原因是产品结构和销售价格的综合影响，以及闲置产能支出增加。 03 营业利润营业利润3.75亿美元，比去年同期的11.5亿美元，下降67.3%。营业利润率（占净营收）为11.6%，比2023年第二季度的26.5%下降了1,490个基点。各产品部门与去年同期相比模拟、功率与分立器件、MEMS与传感器产品部（APMS）： ▣ 模拟、MEMS与传感器子产品部（AM&S） ● 营收下降10.0%，主要受影像业务滑坡影响。 ● 营业利润为1.44亿美元，降幅44.5%。营业利润率为12.4%，对比去年同期为20.0%。 ▣ 功率与分立（P&D）子产品部 ● 营收下降24.4%。 ● 营业利润为1.10亿美元，降幅57.9%。营业利润率为14.7%，对比去年同期为26.4%。微控制器、数字IC与射频产品部（MDRF）： ▣ 微控制器子产品部（MCU） ● 营收下降46.0%，主要受通用微控制器业务下降影响。 ● 营业利润为7,200万美元，降幅87.1%。营业利润率为8.9%，对比去年同期为37.2%。 ▣ 数字IC和射频子产品部（D&RF） ● 虽然射频业务有所增长，但受ADAS业务下滑影响，总体营收下降7.6%。 ● 营业利润为1.5亿美元，降幅23.8%。营业利润率为29.1%，对比去年同期为35.2%。业务展望公司2024年第三季度营收指引中位数： ● 净营收预计为32.5亿美元，环比提高约0.6%，上下浮动350个基点； ● 毛利率约38%，上下浮动200个基点； ● 本业务展望假设2024年第三季度美元对欧元汇率大约1.07美元 = 1.00欧元，包括当前套期保值合同的影响； ● 第三季度封账日是2024年9月28日。

意法半导体

意法半导体中国 . 22小时前 1 510
不断变化的网络安全形势下FPGA何去何从

网络威胁目前已经达到前所未有的程度，各个领域制定有弹性的安全战略迫在眉睫。据《福布斯》报道，自2021年以来，数据泄露事件同比增长了72%，增幅之大令人震惊。平均每次数据泄露会给组织造成445万美元的惊人损失，很明显，在当今的数字时代，网络弹性对任何企业的生存和健康发展都至关重要。然而构建这种弹性网络并非易事。网络安全格局正在发生深刻的变化：更高级的威胁不断涌现、技术需求不断变化、新的行业法规不断出台。这使得系统开发人员和安全专业人员难以实施有效的策略来保护其组织免受恶意攻击。在最新的莱迪思安全研讨会上，莱迪思安全专家与Secure-IC的合作伙伴一起讨论了不断变化的网络安全环境以及现场可编程门阵列（FPGA）技术在构建网络弹性中的作用。市场需要更强大的安全解决方案在网络威胁横行的时代，网络安全战略从未如此重要。基于FPGA的系统在互连设备之间提供多方面的支持，实现可信数据处理和抵御量威胁，成为现代网络安全战略的重要组成部分。FPGA对于应对当前的网络威胁以及应对未来不断变化的条件和法规仍然至关重要。保障互连设备的安全随着人工智能互连系统的分布式计算与日剧增，确保设备安全变得至关重要。如今安全性对于每台连接的设备来说都是必不可少的，尤其是在提供各类增值服务时，例如依托电信行业基于位置的服务和移动金融服务等。莱迪思FPGA具有可重构特性，从上电到产品寿命结束的整个周期内，都能提供可靠的安全保护。这是使用强大的专用硬件可信根（HRoT）技术实现的，可帮助系统实现零信任架构。零信任是由传统安全模型转变而来，它假设所有用户或设备都是不可信的，需要持续的警惕和身份验证。这种方法增强了威胁预防、检测和响应，无论数据位于何处，都能提供保护。FPGA中的HRoT功能提供安全启动和防篡改功能，是各行各业寻求安全解决方案的理想选择。莱迪思MachXO3D™、MachXO5D-NX™和Mach-NX™就是如此，它们提供了强大的HRoT基石，拥有用于自我验证的、安全、不可变的唯一ID、快速的安全启动以及一整套经过验证的器件原生安全服务。这确保了系统的完整性并降低未经授权的访问风险。此外，凭借其集成的双引导可锁定闪存功能，它们能够抵御“拒绝服务”攻击，确保系统中始终存在持续的信任基础。与其他所有莱迪思FPGA一样，这些器件也具有小尺寸、高能效的特点，适用于各种系统设计。 FPGA通过在数据交换之前验证用户和设备身份来增强安全性。它们还可以通过平台固件保护恢复（PFR）功能保护静态和动态固件。此功能使组织能够通过监控固件中的恶意软件或拒绝服务攻击来对抗实时攻击。如果检测到恶意软件，FPGA会阻止恶意软件并将固件无缝恢复到已知的受信任状态。通过提供实时、动态的保护、检测和恢复功能，有助于最大限度地减少系统内固件攻击漏洞。使用莱迪思Sentry™解决方案集合的莱迪思FPGA还可以采用PFR机制来确保固件在整个系统运行过程中的完整性和真实性。这使得客户能够非常轻松地使用莱迪思HRoT器件和莱迪思Sentry来快速开发系统的网络弹性功能。数据溯源建立数据溯源是提高AI/ML和数字孪生模型信任度和保真度的关键。然而当今大多数AI/ML和数字孪生模型都缺乏有效的数据溯源。事实上，大多数国家都未出台可以遵循的、必要的规范、实施程序或普遍认可的标准。这使得今天的技术容易受到数据中毒、恶意训练和数据漂移的影响。开发人员可以通过采用标准化做法（如对数据进行签名和身份验证、利用不可变数据选项以及实施强大的合规性框架）来提高对这些技术的信任和可靠性。这些步骤在处理安全问题时会让结果更具可预测性。在数据处理流中嵌入FPGA能帮助组织实现卓越的速度、适应性和安全性。这种集成创建的平台可用于开发值得信赖、具有完整可信数据源的AI解决方案。莱迪思FPGA还有助于实现安全可靠的数据管理，在整个AI系统开发生命周期中实现安全识别和跟踪。组织可以利用FPGA的内置安全功能（包括加密和身份验证机制）来增强数据安全性，从而在处理过程中保护和安全地标记数据。由于其高度可定制化的特性，FPGA可以随着时间的推移进行编程或重新编程，执行特定任务。这种灵活性优化了数据处理流水线，确保了对溯源信息的高效捕获和管理。此外，它还使组织能够根据其独特的环境和要求定制溯源机制，提高溯源记录的准确性和相关性。后量子加密网络安全领域的另一个新兴趋势是向后量子加密（PQC）的转变，这有助于增强抵御未来量子计算攻击的能力。量子计算机预计将于2030年上线，届时将能够破解当今大多数安全控制所依赖的公钥基础设施（PKI）算法。然而，尽管量子技术尚未成熟，但组织仍然容易受到“现在窃取，之后解密”这种模式的攻击，攻击者可以在量子技术最终可用时收集机密数据。这种策略使存储在云环境中的敏感信息面临重大的短期和长期风险，进一步加剧了对PQC迁移的需求。监管机构已经注意到了这种威胁，并提出了严格的要求，使固件和系统能够抵御量子攻击。莱迪思FPGA具有“加密敏捷”功能，其固有的灵活性和可重编程性是加快未来PQC算法实施的理想选择。基于FPGA的系统具有创新的加密敏捷功能，可以在现场安全更新，因此美国国家标准与技术研究院（NIST）在未来几年推出新的PQC算法时，这一特性就显得尤为重要。这些趋势表明，开发人员越来越重视主动安全措施，并利用基于FPGA的架构更轻松地过渡到法规要求的PQC算法。应对不断发展的安全法规随着安全威胁的发展，为抵御威胁而实施的法规也在不断变化。各国已经或即将出台的各种监管法规都有助于确保网络弹性和安全性。这些法规包括即将出台的《商业国家安全算法套件2.0》（CNSA 2.0）、《欧盟网络弹性法案》（CRA）和《欧盟数字运营弹性法案》（DORA）。组织必须做好充分准备，应对这些不断发展的法规，从而满足合规要求。 CNSA 2.0 美国国家安全局（National Security Agency）计划发布的CSNA 2.0将要求国家所有的安全系统所有者、运营商和供应商在2025年之前为所有新软件过渡到PQC算法。到2030年，所有当前部署的软件都必须完成迁移。开发人员可以利用FPGA进行更新，确保已在现场部署的软件在法规规定的期限内完成更改。 CRA 欧盟CRA给制造商提出了网络安全要求。这些要求强调安全的产品开发生命周期、减少网络攻击漏洞和事件快速报告。这些法规旨在确保将产品引入欧洲市场的组织在产品的整个生命周期中注重安全性，并在解决安全漏洞方面承担责任。 FPGA可以实现无线固件更新，这是开发人员遵循CRA安全开发生命周期的一种战略方式。有了FPGA，安全更新的实施无需新的流片或更换器件，从而延长系统的使用寿命。 DORA DORA预计将于2025年1月生效，该法案重点关注能源、金融、运输和废物管理等行业主要基础设施提供商的网络弹性。该法案要求这些部门识别和报告网络威胁，组织风险管理计划，并有计划地进行事件响应测试。 FPGA的PFR功能可实现持续的攻击监控，帮助组织遵守DORA并确保关键基础设施的安全。 FPGA和网络安全的未来随着监管环境的发展，基于FPGA的解决方案因其灵活性、适应性和内置安全特性而大有需求。它们可以不断重新编程，以遵循更新的安全标准，并允许开发人员快速发布更新，减轻安全威胁，而无需完全重新设计系统。不断升级的网络风险加上不断变化的法规，凸显了对稳健的网络安全战略的迫切需求。由于面临巨大的财务影响，组织必须在未来几年优先考虑网络弹性和安全性。不断变化的格局只会进一步推动对FPGA技术的需求。

Latticesemi

Latticesemi . 22小时前 455
类比半导体：DR7808在新能源汽车中的应用

在当前新能源汽车产业迅猛发展的大潮中，中国汽车芯片的国产化进程显得尤为迫切和重要。随着国家对自主可控技术的高度重视和支持，电机预驱技术正经历着一场深刻的变革。从早期依赖分立元件和继电器的控制方式，到现在向高度集成化的IC解决方案转型，这一转变不仅响应了市场对更高性能、更低成本、更小尺寸、更高安全性和更多元化功能的需求，同时也符合国家推动产业链自主可控、提升关键核心技术的政策导向。上海类比半导体技术有限公司（以下简称“类比半导体”或“类比”）作为国内领先的模拟及数模混合芯片设计商，成功设计并生产了DR7808预驱芯片，不仅在技术层面实现了重大突破，更在实际应用中展现出卓越的性能和可靠性。DR7808预驱芯片以其优化的集成度和增强的功能性，能够轻松应对当前汽车电子系统设计面临的挑战，同时高效满足客户在多样化应用场景下的具体需求。 1. 八半桥电机驱动DR7808应对电机驱动的前沿挑战在新能源汽车领域，随着车辆电气化程度的加深，电机预驱技术面临着前所未有的挑战。传统电机控制方法，如分立元件与继电器的组合，逐渐显露出局限性，无法满足行业对高性能、成本效率、尺寸紧凑性、安全性和多功能性的新需求。在此背景下，类比半导体推出了DR7808八半桥电机驱动芯片，旨在解决行业痛点，推动技术进步。与国际竞品相比，DR7808不仅全面覆盖了基础功能，更在支持4路PWM信号输入、过流保护阈值的精细化调节、高低边驱动模式的智能切换、上下管握手逻辑的强化以及离线诊断与在线电流检测等多个方面进行了深度优化和增强。这些创新设计，不仅满足了客户对灵活设计应用的追求，同时也确保了系统运行的稳定性和安全性。表1 DR7808与国际主流竞品参数对照表表2 DR7808的产品参数与硬件框架 2. DR7808性能特点与技术创新 2.1 PWM4功能与应用：四路PWM驱动，覆盖更多应用场景对于座椅记忆功能及其他需要协调四个电机同步工作的应用，DR7808的EN_PWM4引脚展现出了其独特的优势。通过巧妙地设置CSA_OC_SH寄存器中的HB6_PWM4_EN位，EN_PWM4可以转换成为第四个PWM输入，专门用于驱动HB6桥臂。这一设计突破了行业界限，显著区别于最大仅支持三个PWM通道的竞品，为多电机同步控制开辟了新的可能性。如下示意图，我们简单概述了PWM正向控制与反向控制的配置流程及信号流向。通过将EN_PWM4引脚映射至HB6，HB6内的HS和LS可根据HB6_MODE寄存器的设定转换为有源MOSFET，进而实现PWM驱动下的正向与反向操作。当HB6由EN_PWM4信号驱动时，外部MOSFET的充电与放电过程受到精细化管理，而这一过程的静态电流则由ST_ICHG寄存器中的HB6ICHGST位精准调控。值得注意的是，EN_PWM4引脚在默认状态下担任芯片使能的角色。一旦HB6_PWM4_EN位被激活，即使EN_PWM4引脚被拉低，芯片也不会随即进入禁用状态。正常应用下，可通过SPI配置重新HB6_PWM4_EN为低来复位EN_PWM4引脚为芯片使能。同时VDD电源下电或是看门狗超时，HB6_PWM4_EN将被复位，EN_PWM4引脚将重新承担起使能职责。随后，当EN_PWM4引脚再次被断言为低电平时，芯片将执行重置操作。为了确保系统的稳定性和可靠性，一个推荐的软件实践是在喂狗前连续读取0x00寄存器三次，若读取数据三次完全一致，则视为喂狗成功；相反，若未能满足这一条件，则需将EN_PWM4引脚设置为高电平状态，以防后续看门狗超时引发的意外重置。图1 正向PWM操作示例图2 反向PWM操作示例 2.2 栅极驱动与过流保护：精细调节与成本优化 DR7808芯片在栅极驱动电流调节与过流保护方面展现出卓越的性能。其过流保护门限覆盖了从0.075V至2V的宽泛范围，提供16档精细调节，这一设计显著优于竞品0.15V至2V的8档位调节范围，使DR7808得以在小电流应用领域展现出色的适应性和安全性。不仅如此，DR7808每个栅极驱动器能够通过32个档位精确控制1.0mA至约100mA的电流变化，这一特性直接挑战了传统做法中通过在门级驱动回路中串接不同阻值电阻来改变边沿斜率，以减小MOS开启瞬间电流尖峰的做法。DR7808的这一创新设计无需额外电阻，减少了外围组件数量，从而降低了成本，简化了设计流程，同时也使得调试工作变得更加便捷。 DR7808芯片在栅极驱动器设计上实现了对有源MOSFET和续流MOSFET的充电与放电电流的精密控制，具体配置步骤如下：初始化配置：首先，通过设置GENCTRL1寄存器中的REG_BANK位，确定即将访问的控制寄存器组。有源MOSFET电流控制： 🔸 充电电流：利用PWM_ICHG_ACT寄存器（当REG_BANK=0时），精确设定有源MOSFET的充电电流。 🔸 放电电流：通过PWM_IDCHG_ACT寄存器（同样在REG_BANK=0时），配置有源MOSFET的放电电流。续流MOSFET电流控制：借助PWM_ICHG_FW寄存器（在REG_BANK=1时），同时配置续流MOSFET的充电和放电电流，确保其在PWM操作下的性能最优。图3 PWM操作时可配置的放电电流图4 PWM操作时可配置的充电电流 2.3 高级检测与保护机制：确保H桥驱动的稳定与安全 2.3.1 上下管死区控制与保护优化在H桥功率驱动应用中，上下管的死区控制是确保系统稳定性和安全性的关键环节。传统方法依赖于MCU算法计算死区时间，采用软件方式进行控制，然而在极端条件下，这种做法的可靠性备受质疑。例如，死区时间设置不当、Cgd对栅极电压的耦合效应、极限占空比等因素都可能导致上下管同时导通，引发系统故障。针对这一挑战，类比半导体在DR7808芯片中引入了一系列创新技术，包括动态死区监控、栅极Hardoff抗耦合、PWM占空比补偿和极限占空比补偿，以解决传统方法的不足。用户只需简单设置相关参数，芯片内置的握手检测机制便会通过电压逻辑判断，当上桥MOS开启时，自动对下桥MOS实施内部Hardoff电流强下拉，确保在任意死区配置下，上下桥MOS绝不会同时开启，从而实现系统运行的稳定与可靠。 2.3.2 丰富诊断保护机制示例 DR7808芯片配备了全面的诊断与保护机制，以应对各类潜在故障。以下以供电电压VM异常为例，展示芯片的响应流程：当供电电压VM从正常值12V骤降至4.5V时，芯片立即触发欠压保护机制。在数据格式中，0x08的Global status Byte(GEF)值表明SUPE位被置1，芯片检测到Power error，并自动上传故障标志。同时，General Status Register将提供更详尽的故障信息，确保故障状态的及时上报与处理。图5 VM过压欠压下的输出行为图6 VM欠压时的GEF数据捕获及上传 2.4 Off-brake保护机制：守护电机与系统安全在特定工作场景下，如工厂装配线上的尾门自动调整或座椅折叠过程，若电池未能及时为控制板供电，电机在运动中产生的反向电动势（Back EMF）可能逆向流入电源端，对周边电路元件构成威胁，尤其是对敏感的TVS（瞬态电压抑制器）和MOSFET造成潜在伤害。为应对这一挑战，DR7808芯片集成了off-brake保护功能，有效地化解了这一风险。当DR7808芯片处于passive模式时，其内置传感器持续监测供电电压VS。一旦检测到VS电压超过安全阈值32.5V，芯片即刻响应，自动启动LS4至LS1的MOSFET，迫使电机迅速进入刹车状态。这一动作迅速削减了反向电动势，避免了电机的非计划旋转，同时保护了系统免受高电压冲击。随后，系统将自动监控VS电压的下降趋势，直至其稳定降至30V以下。此时，off-brake机制自动解除，LS4至LS1的MOSFET随之关闭，恢复正常操作状态。这一连贯的off-brake保护过程确保了VS电压始终保持在安全范围内，有效防止了TVS和MOSFET因过压而损坏，维护了整个系统的稳定性和安全性。图7 off-brake保护机制波形 2.5 离线诊断机制：精密检测与故障排查 DR7808芯片通过离线状态诊断功能，能够精准实现输出端对电源短路、对地短路以及负载开路的检测，这一机制在设计上独具匠心，为每个MOSFET的栅极驱动器提供了上拉电流（典型值为500µA），并在驱动器激活状态（BD_PASS=0）时，于SHx引脚处提供下拉电流（典型值为1000µA），确保了诊断过程的稳定与精确。 2.5.1 诊断步骤与原理 MOSFET对地短路检测：设置BD_PASS=0，HBx_MODE为00b或11b，并激活HBxIDIAG=0，同时开启内部上拉电流，将SHx电压拉至接近VDRAIN。待一定时间后，通过读取HBxVOUT寄存器，若其值为0b，则表明MOSFET存在对地短路现象。 MOSFET对电池短路检测：同样将BD_PASS设为0，HBx_MODE配置为00b或11b，但此时HBxIDIAG应设为1，以启用内部下拉电流，将SHx电压拉至接近SL。随后，读取HBxVOUT寄存器，若读得值为1b，则说明MOSFET与电池相连，存在短路状况。空载检测：此步骤涉及HBx与HBy之间的电机连接检测。首先，将BD_PASS设为0，HBx_MODE与HBy_MODE均配置为00b或11b，HBxIDIAG设为0以激活HBx通道的上拉电流，同时HBy通道的HBxIDIAG设为1以启用下拉电流。等待一段时间后，读取HBxVOUT和HByVOUT寄存器。若电机正常连接，SHx与Shy均会被下拉至SL，此时HBxVOUT与HByVOUT读数均为0b；若电机断开，SHx将被上拉至VDRAIN，而Shy则下拉至SL，HBxVOUT读数为1b，HByVOUT读数为0b。值得注意的是，上述离线检测功能的有效发挥，需满足桥驱动程序处于活动状态（即BD_PASS=0），并且相应半桥处于断开模式（HBxMODE=00b或11b）的前提条件。每个栅极的下拉电流驱动器由HBIDIAG寄存器中的控制位HBxIDIAG激活，这一精细控制确保了诊断过程的准确执行。在微控制器执行离线状态诊断时，为确保检测的准确性，相关半桥的VDSOV阈值桥接器需通过软件配置，设置为2V的标称值。这一配置步骤是实现离线诊断功能的关键，确保了检测过程中的信号稳定与结果的可靠性。通过以上精心设计的配置步骤，微控制器能够准确获取HBxVOUT的状态，从而高效、可靠地完成离线诊断任务，为设计者提供了强大而实用的故障排查工具，增强了DR7808芯片在复杂应用场景下的适应能力和系统维护的便利性。 2.6 精准电流检测：实时监测与优化 DR7808芯片内部集成了两个高精度CSA电流检测运放，其在offset精度上展现出色表现，误差仅约1mV，这一特性显著优于国际大厂竞品。芯片设计的灵活性体现在其支持多种电流检测方式，既可在电源端串联检流电阻，亦可在接地端使用分流电阻，甚至在电机内部串联分流电阻进行检测，其中电机端检测的独特优势在于能够实时监测双向电流，确保了电机运行状态的全面掌握。为避免PWM信号引起电流检测运放输入端的高共模电压摆动，建议将PWM信号应用于未连接分流电阻的半桥端。这一布局方式可有效减少信号干扰，确保电流检测的准确性与稳定性。如图8所示，展示了PWM与分流电阻在电机中的典型应用布局，直观地呈现了这一优化连接策略。图8 PWM和分流电阻应用在电机示意图在某些应用场景下，PWM信号不可避免地需要应用于分流电阻所在的半桥。此时，为消除高共模电压跳变导致的CSA输出电压毛刺，应通过设置CSAx_SH_EN寄存器（x=1,2）启用CSA PWM抑制功能。同时，CSAx_SEL寄存器的配置需指向需采样的半桥，确保在PWM切换期间，CSA输出保持采样状态，有效避免电压毛刺的产生。采样与保持时间由tcp与tblank决定，这一机制进一步提升了电流检测的精度与可靠性。 3. DR7808：拓展应用的无限可能 DR7808芯片凭借其8个独立可控的半桥设计，展现出了卓越的灵活性与拓展性。每个半桥的上下管均可独立控制，意味着单颗芯片即可支持高达4个H桥配置，或灵活配置为8路高边驱动或低边驱动。这一设计突破了传统方案的局限，为设计人员提供了前所未有的自由度，尤其是在功能域场景中，能够满足大量高边或低边驱动的需求。传统应用中，大量高边驱动通常依赖于分立器件，如达林顿管和继电器的组合。然而，这些方案存在明显的缺点，包括器件面积大、机械开关寿命短、噪声问题以及高压触点粘连风险，加之需要额外电路实现保护功能，增加了设计的复杂性和成本。相比之下，DR7808的高度集成化设计展现出显著优势，不仅提供了单芯片8路高边或低边驱动的能力，还内建了丰富的保护机制，涵盖过流、过压、欠压和过温等多重防护，配合SPI通信故障诊断上传机制，为系统级功能安全奠定了坚实的基础。在高低边应用中，DR7808的设计团队特别针对不同场景进行了优化，当用于高边应用时，可以省略低边MOS的使用，反之亦然。这一设计上的考量不仅简化了电路布局，还大幅降低了物料成本，提升了系统的整体性价比。在拥有大量高低边设计需求的场景下，DR7808相比国际竞品展现出更加明显的优势，无论是成本控制还是性能表现，均能脱颖而出。图9 DR7808设计及应用场景 4. 总结类比半导体的电驱产品系列，以其与市面上通用产品BOM的无缝兼容性，不仅简化了软件设计流程，还确保了硬件设计的简洁高效，为行业树立了全新的设计标准。在性能层面，我们超越了市场上的竞争对手，不仅在关键指标上领跑，更深入挖掘客户需求，引入了一系列创新功能，直击行业痛点，重塑电机驱动领域的技术格局。作为类比半导体电驱产品线的杰出代表，DR7808八半桥预驱芯片凭借其卓越的电流精度、强化的握手逻辑、出色的稳定性和可靠性，完美贴合了市场对多电机控制日益增长的需求。在汽车工业迈向智能化与中央集成化的大趋势下，DR7808以其独特的优势，不仅为客户提供了一站式解决方案，包括GUI软件和C语言底层驱动在内的完整技术服务，更助力客户产品在全球竞争中脱颖而出，为智能出行时代注入强劲动力。

新能源汽车

类比半导体 . 22小时前 470
做项目时核心板怎么选，米尔全志T113、T507、T527核心板

我们在做项目时，选择核心板通常会从项目需求、功能拓展、兼容性等多方面进行考虑。然而，随着这几年“贸易战”的升级，选择国产处理器也是需要重点考虑的一个问题（我了解到的，目前国内很多公司只选国产处理器了，不知道你们公司是不是也这么要求？）。国产CPU厂商有很多，做嵌入式Linux应用开发用到的具有性价比的国产处理器，还得是全志处理器。全志处理器说起全志的处理器，做嵌入式开发的朋友应该都不陌生，其处理器凭借性价比占领了很大一部分市场，发展成为了今天国内知名的处理器厂商全志科技成立于2007年，起初以研发高清视频、模拟芯片和网络应用方向的处理器，随后研发出了多款通用处理器，因此迅速壮大，目前全志有多个系列的处理器：除了性价比之外，全志的处理器也是包含市面上嵌入式处理器的众多优点，比如：高性能、工业级、外设资源和接口丰富、具有高效的音视频处理能力（编解码）等。全志处理器在芯片设计层、基础软件层都能应对千变万化的嵌入式应用，所以，米尔电子基于全志处理器做了很多工业级的核心板及开发板。米尔基于全志处理器核心板目前，米尔基于全志处理器做了多款核心板，比如T113、 T507、 T527等都有核心板及开发板。 1、配置多、选择多其实，前面都给大家推荐过多款米尔基于全志CPU做的核心板，我感觉还是不错，他们家的特点就是：核心板及开发板系列全、配置（型号）多。说的直接一点：用户的选择多！比如T113系列，目前包含T113-i和T113-S等不同类型处理器，根据不同用户需求有128MB、256MB、4GB、8GB等多个型号： T113是一款具有性价比的处理器，前面也给大家分享了T113入门开发指南。，时长00:14 除了全志的板卡，米尔电子还包含了其他厂商（如：ST、TI、NXP、赛灵思、芯驰、瑞萨等）核心板及开发板同时，还提供工控机、单板机等成品。 2、强大视频编解码处理能力全志最初定位就是以高清视频为发展方向，目前米尔基于全志T507、T527核心板就具备强大的视频处理能力，支持4K高清视频解码，支持HDMI、RGB以及CVBS多种显示输出接口。全志T507是一款车规级处理器，米尔电子推出的MYC-YT507H核心板及开发板同样具有强大的视频编解码能力：目前米尔推出了基于全志T527处理器的MYC-LT527核心板及开发板还推出了基于全志T527处理器的商显板：MYD-LT527 为了方便用户快速开发应用，米尔还推出了基于全志T527的工控板：MYD-LT527-GK 以及微型工控机：MYD-LT527-GK-B 3、丰富的开发文档为了方便用户快速开发应用（二次开发），米尔各种板卡都提供了其丰富的开发文档、各种软件资源及开发指南。 4、工业级全志T系列处理器米尔核心板自带防尘屏蔽罩、具备防信号干扰等特点。米尔电子覆盖了全志T系列处理器，型号众多，想怎么选就怎么选： 5、打折活动米尔基于全志T527、T113、T113i等开发板现在活动打7折 T113-S开发板抢购链接：https://detail.tmall.com/item.htm?id=716984037547 T113-i开发板抢购链接：https://detail.tmall.com/item.htm?id=742437708720 T527开发板抢购链接：https://detail.tmall.com/item.htm?id=758523182967 更多关于米尔基于全志T系列处理器的核心板、开发板选型内容，大家可以点击【阅读原文】或参看官方介绍： https://www.myir.cn/lists/98.html?manufacturer=5

T113核心板

米尔 . 昨天 1 3 1030
2023年汽车图像传感器市场实现两位数增长

需求助力增长根据TechInsights传感器半导体频道最新发布的报告，由于图像传感器在高级驾驶辅助系统（ADAS）和查看应用中的采用率不断提高，汽车图像传感器市场呈现增长势头，2023年总收入超过20亿美元。市场对具有更高分辨率的图像传感器产品需求强劲，以满足ADAS系统中的摄像头功能。由于图像传感器的采用范围扩大，以满足L1和L2级ADAS功能的需求，甚至满足L3级ADAS需求，产品组合的转变导致平均售价（ASP）增长。 onsemi领跑市场从竞争格局来看，2023年，onsemi以超过40%的市场份额领跑市场。该供应商在tier-1市场中继续占据主导地位，并拥有针对ADAS应用的优质图像传感器的强大产品组合。2023年，豪威以超过25%的市场份额位居第二，并且凭借具有竞争力的图像传感器产品，将其销售量扩展至倒车摄像头以外的应用领域。2023年，索尼半导体位居第三，紧随其后的是三星和其他供应商。

安森美

TechInsights . 昨天 2 905
动态电压调节(DVS)有什么用？

稳压器一般用于生成恒定的输出电压。利用控制环路，可通过未经调节的输入电压生成稳定、精准的输出电压。动态电压调节(DVS)有什么作用？动态电压调节意味着可以在运行期间调节电源的输出电压。进行此类调节有多种原因。在轻载运行条件下，提高PFC级的转换效率用于功率补偿的功率因数校正(PFC)级，可将电网电压的交流电压提升至直流中间电路电压。在240 V交流系统中，这种中间电路电压一般为380 V，如图1所示。ADP1047 PFC控制器可以使用DVS，在不影响设定的380 V电压的情况下独立降低输出电压负载，例如，降低至360 V。在采用部分负载运行期间，此举可以提高电源的转换效率。图1. 带下游ADP1046直流-直流转换器的ADP1047 PFC级。微控制器在各种工作状态下高效运行另一个DVS使用示例如图2所示。在此示例中，ADP2147 降压型开关稳压器为数字信号处理器(DSP)供电。在许多应用中，都可以使用微控制器、DSP或FPGA来提高系统效率，方法是：在处理器处于待机模式时降低内核电压。在VDD_INT电压（内核电压）降低（例如，在DSP在低负载状态下运行时，从1.2 V降低至1.0 V）时，多种DSP，包括ADI提供的ADSP-BF527 都可以更高效地运行。处理器的功耗在很大程度上与其时钟频率和工作电压的平方成比例。将ADSP-BF527的电源电压降低25%，动态功耗会降低超过40%。ADI的许多DSP都具有类似特性。图2. 具有DVS功能的ADP2147开关稳压器可实现ADSP-BF527的高效运行。改善负载瞬态后的恢复速度如之前的两个示例所示，使用DVS的常见原因是提高效率或降低损耗。但是，也存在其他一些有趣的应用。许多系统都要求采用经过精准调节的电源电压。对于图3所示的电压范围，可以使用1.2 V内核电压。该电压可以为1.2 V ± 10%。在这个示例中，在静态负载下和负载动态变化时都要保持电压不变。如果将反馈控制设置在允许范围的中间，一半范围适用于静态误差源，也适用于负载瞬态之后的动态电压变化。有一个小技巧，即在低负载时稍微提高输出电压，在高负载时稍微降低输出电压。在高负载情况下，有时会采用更低负载，此时一般出现小幅度电压过冲。可以通过稍微降低高负载的设定点电压，将这种电压过冲保持在允许范围内，如图3所示。左侧为高负载，右侧为低负载。图3. 基于负载电流动态调节电源电压。相反的情况自然也适用。当负载较低时，它在某个时间点会上升。可能动态出现电压过冲。在低负载下，电压稍微升高，因此仍保持在允许范围内。对于这种特性，通常称之为电压自动定位。除了上述应用外，还有许多其他应用的动态变化电压也是有利的。例如控制直流电机、操作执行器，或驱动Peltier元件进行温度调节。动态电压调节是指动态调节生成的电压，对于许多应用，这种调节非常有帮助，甚至是必要的。特别是在数字控制电源中，DVS很常见，也很容易实现。

ADI

亚德诺半导体 . 昨天 930
圣邦微：具有模拟电流检测功能的双通道车规级高压侧驱动器 SGM42203Q

SGM42203Q 是一款汽车 Q1 级，操作电压 4.5V 到 36V，60V (ABS)，80mΩ 电流可设双通道高边驱动器。芯片过流门限值可通过 CL 引脚编程：2.5A、5A、10A、15A 和 22A；支持高达 260mJ 感性负载钳位能量；当 VCC 出现低能量尖峰，内部 VCC 电压钳位会保护器件；器件集成精确的比例电流检测功能，用于通过电流检测引脚的输出来检测负载电流，当发生过载电流、过热或 VCC 短路，电流检测引脚将报告这些故障，电流限制可在过载情况下保护设备；内置输出电流限制屏蔽时间（可通过 DLY 引脚设置）允许电流限制在预设（可调）时间延迟后折回预设（可选）下限电平，以根据应用需求更稳健地保护负载；支持 TSSOP-16A (Exposed Pad) 带扩大的散热片封装。芯片适用于汽车应用中的驱动电阻、电感负载和电容负载。表 1 SGM42203Q 具有以下保护功能表 2 SGM42202Q/3Q 主要优势图 1 SGM42203Q 应用电路图做到实现上述开关驱动、功能保护和故障诊断功能，我们还帮客户做了如下板级应用测试：汽车 EMI/EMC ISO7637-2 测试； BCI 大电流注入干扰的评估测试； AEC-Q100-012 重复短路次数和 SOA 寿命测试。表 3 高边驱动等效短路测试条件

车规级

圣邦微电子 . 昨天 945
英飞凌600 V CoolMOS™ 8 新一代硅基MOSFET技术助力电力电子行业变革

在日新月异的电力电子行业，对更高效、更强大、更紧凑元器件的需求持续存在。对于新一代硅基MOSFET，英飞凌进行了巨大的研发投入，以重新定义系统集成标准，使其在广泛的电力电子应用中能够实现更高功率密度和效率。在英飞凌，CoolMOS™ 8的推出意味着这些投入已经取得了成效。它是一项先进的MOSFET技术，集成快速体二极管，能够让设计人员和工程师前所未有地获益。该技术是对英飞凌现有宽禁带半导体技术的有力补充，将对数据中心、可再生能源和消费电子等行业产生深远影响。在了解关键特性和益处之前，我们先来看看CoolMOS™ 8的起源。CoolMOS™ 8是英飞凌新一代硅基MOSFET技术，旨在取代现有的高/低功率开关电源（SMPS）的CoolMOS™ 7产品系列。它是CoolGaN™和CoolSiC™宽禁带半导体技术的有力补充。该产品组合将使设计人员能够满足不同类型的电力电子应用需求。CoolMOS™ 8主要面向消费和工业终端市场；这意味着，该系列并未包含适用于汽车应用的器件。汽车应用的设计人员可以继续使用现有的车规级CoolMOS™ 7器件。 CoolMOS™ 8的创新之处在于，该系列所有器件中都集成了快速体二极管，使得设计人员能将该系列产品用于目标应用中的所有主要拓扑。600 V CoolMOS™ 8产品系列具有完善的产品组合，英飞凌最先将供应直插封装、表面贴装和顶部冷却（TSC）器件。CoolMOS™ 8 MOSFET还比同类竞品具有更高的电流处理能力，且拥有最小的导通电阻（RDS(on)）与面积乘积。但这对设计人员和工程师意味着什么呢？CoolMOS™ 8在最终面向消费和工业市场推出后，将大大简化英飞凌客户的产品选型；因为相比已有的CoolMOS™ 7产品系列，它的产品数量减少了50%以上。在CoolMOS™ 7产品系列下，拥有快速体二极管的器件通过在产品名称中包含“FD”来进行区分。CoolMOS™ 8系列下的所有产品都拥有快速体二极管（无论导通电阻（RDS(on)）值为何），这意味着它无需再遵循之前的命名规则。当前供应的600 V CoolMOS™ 8产品组合（2024年） CoolMOS™ 8 的关键特性上面我们回顾了一些产品开发背景和原理，现在我们来看看CoolMOS™ 8的一些关键特性。这包括用于谐振拓扑的最佳快速体二极管性能，先进芯片焊接技术，以及创新的顶部冷却（TSC）封装技术。相比CoolMOS™ 7系列同类器件，CoolMOS™ 8技术的关断损耗（Eoss）降低10%，输出电容（Coss）降低50%。CoolMOS™ 8器件相比CoolMOS™ 7还将热阻降低至少14%，大大改进了热性能。能够实现这一改进，是因为使用了英飞凌专有的互连技术（.XT），该技术提高了将硅芯片连接至引线框架时的热导率。这些性能优势使得CoolMOS™ 8比CoolMOS™ 7 具有更高效率。（3.3 kW）LLC级与（2.5 kW）PFC级之间的相对效率比较 CoolMOS™ 8 MOSFET采用的创新ThinTOLL 8 × 8封装，相比ThinPAK 8 × 8封装具有更优的性能，有助于保持引脚兼容性。ThinTOLL 8 × 8封装占板面积小，有助于实现高功率密度；且充分利用了英飞凌先进的互连技术，提高了热性能。ThinTOLL封装尽管尺寸小巧，但在电路板温度循环试验中的故障率与采用TOLL封装的器件非常接近，且二者具有几乎相同的性能因数。新ThinTOLL 8 × 8封装与ThinPAK 8 × 8封装的尺寸比较封装的升级不仅有助于实现大批量组装和改进电路板设计，还通过帮助实现高引脚数器件的全自动处理，使得在成本高昂的组装工厂进行光学焊接检测更容易。凭借在最近七年里累计交付的超过67亿颗器件中，仅有过5次现场故障，CoolMOS™ 8无疑巩固了英飞凌在可靠性方面的卓越声誉。对系统集成的益处 CoolMOS™ 8对系统集成的益处，可通过英飞凌利用该系列器件进行的参考设计来证明。例如，一台3.3 kW高频率和超紧凑整流器可达到97.5%的效率，以及95 W/in3的功率密度，尺寸为1U时也是如此。能达到如此高的工作效率和功率密度，是因为在设计中联合使用了CoolMOS™ 8、CoolSiC™及CoolGaN™ 技术；它采用了创新的集成式平面磁性结构，并对图腾柱功率因数校正（PFC）级和半桥GaN LLC DC/DC功率变换级进行完全数字化控制。单独提供的2.7 kW配套评估板展示了利用无桥图腾柱PFC和LLC DC/DC功率变换级构建的高效率（>96%）电源装置（PSU）。这一高功率密度的设计联合使用了650 V CoolSiC™和600 V CoolMOS™ 8开关技术。该PSU可利用XMC1404控制器（控制PFC级）和XMC4200控制器（控制LLC级）进行数字化控制，使得可以控制和调整PFC开关频率，以进一步减小电感器尺寸，和/或降低功耗。试验表明，该PSU在高负载条件下的效率提高了0.1%，使其相比利用CoolMOS™ 7 MOSFET构建的类似设计，拥有更低功耗和更好的散热性能。当前供应的评估板（2.7-kW PSU和3.3-kW HD/HF SMPS）主要应用 CoolMOS™ 8器件是工业和消费市场中不同SMPS应用的理想选择。但它们仍然尤其适用于数据中心和可再生能源等重要终端市场。在数据中心应用领域，CoolMOS™ 8通过实现利用硅器件可能达到的、尽可能最高的系统级功率密度，来帮助设计人员达成能源效率和总拥有成本目标。在可再生能源应用领域，采用顶部冷却（TSC）封装的CoolMOS™ 8器件，可帮助减小系统尺寸和降低解决方案成本。面向目标应用的DDPAK和QDPAK封装产品由于600 V CoolMOS™ 8还拥有极低的导通电阻（RDS(on)）值（7 mΩ），因此在日益壮大的固态继电器应用（S4）市场，它适合作为替代CoolSiC™ 的、更具性价比的技术。相比机械继电器，固态继电器拥有更快开关速度，不产生触点拱起或弹跳，因而能够延长系统寿命。它们还具有良好的抗冲击、抗振动能力，以及低噪声。另外，通过将CoolMOS™ 8与CoolSiC™ 器件结合使用，设计人员还可优化系统级性价比。对于2型壁挂式充电盒、轻型电动交通工具、无线充电器、电动叉车、电动自行车和专业工具充电，CoolMOS™ 8还可帮助实现更具成本竞争力的设计。在更宽泛的消费类应用领域，CoolMOS™ 8可让终端产品更容易满足静电放电要求，并助力实现更灵活的系统设计。与此同时，顶部冷却（TSC）封装还有助于进一步降低组装成本，并提高功率密度。与先进MOSFET设计有关的下一步计划我们不久就会推出用于驱动CoolMOS™ 8 MOSFET的新一代栅极驱动器，使其能够在开关应用中实现最优的RDS(on)性能。这些EiceDRIVER™栅极驱动器将具有单极驱动能力，以及封装共模瞬变抗扰度（@600 V），能够帮助简化系统认证与合规。由于厚度减小，CoolMOS™ 8器件非常适合使用QDPAK TSC封装，甚至可被置于散热片的下面。英飞凌还计划在未来几年内推出采用多种不同封装的CoolMOS™ 8 MOSFET。 600 V CoolMOS™ 8新一代硅基MOSFET技术的推出，推动电力电子领域取得了一次重大进展。集成快速体二极管、先进芯片焊接技术以及创新封装技术等重要配置，凸显出英飞凌致力于提供先进解决方案以满足设计人员和工程师的更高需求的坚定决心。通过极低的现场故障率可以证明，这项技术还具有良好的热性能及可靠性。随着CoolMOS™ 8器件逐渐出现在不同的SMPS应用中，尤其是数据中心和可再生能源等应用领域，它们将帮助实现更节能、更紧凑和更具性价比的设计。未来，通过充分发挥CoolMOS™ 8 MOSFET与即将推出的新一代栅极驱动器之间的协同作用，英飞凌将采取一体化方法来推进MOSFET的设计和应用。这一旅程将帮助巩固英飞凌的半导体技术领先地位，并为未来的发展奠定坚实基础。

英飞凌

英飞凌官微 . 昨天 945
Meta Llama 3.1模型现已在亚马逊云科技正式可用

亚马逊云科技宣布，Meta刚刚发布的新一代Llama模型现已在Amazon Bedrock和Amazon SageMaker中提供。客户也可以在基于Amazon Trainium和Amazon Inferentia自研芯片的Amazon Elastic Cloud Compute（Amazon EC2）实例中部署这些模型。Llama 3.1模型是一系列预训练和指令微调的大语言模型（LLMs），支持8B、70B和405B三种尺寸，适用于广泛的使用场景。开发人员、研究人员和企业可以用此模型进行文本摘要和分类、情感分析、语言翻译和代码生成。 Meta表示，Llama 3.1 405B是目前最优秀和最大的开源基础模型（foundation models, FMs）之一，为生成式AI能力设立了新标准。它特别适用于合成数据生成和模型蒸馏，这能在后续训练中提升较小尺寸Llama模型的性能。Llama 3.1 405B还在通用知识、数学、工具使用和多语言翻译方面有出色的表现。得益于大幅增加的训练数据和规模，所有新的Llama 3.1模型相比之前的版本都有明显改进。这些模型支持128K的上下文长度，相较于Llama 3增加了12万个标记（Token），模型容量是上一版本的16倍，并提升了在以下八种语言对话场景中的推理能力，即英语、德语、法语、意大利语、葡萄牙语、印地语、西班牙语和泰语。 Llama 3.1模型还增强对语言细微差别的理解能力，即能更好地理解上下文，并能更有效地处理复杂问题。该模型还可以从长篇文本中获取更多信息，以做出更明智的决策，并利用更丰富的上下文数据生成更加细致和凝练的回应。亚马逊云科技首席执行官Matt Garman表示："我们与Meta保持着长期合作关系，今天很高兴能将他们最先进的模型提供给我们的客户。客户普遍希望根据他们的具体用例自定义和优化Llama模型，通过在亚马逊云科技上访问Llama 3.1，客户可以利用最新的领先模型来负责任地构建AI应用。" 过去十年间，Meta一直致力于为开发人员提供工具，并促进开发人员、研究人员和企业之间的合作共赢。Llama模型提供各种参数尺寸，允许开发人员选择最适合其需求和推理预算的模型。亚马逊云科技上的Llama模型打开了充满无限可能的新世界，开发人员无需再担心扩展性或基础设施管理等问题。亚马逊云科技提供了一种简单的开箱即用的方式来使用Llama。 Meta创始人兼首席执行官马克•扎克伯格表示："开源是让AI造福所有人的关键。我们一直在与亚马逊云科技合作，将整个Llama 3.1模型集成到Amazon SageMaker JumpStart和Amazon Bedrock中，这样开发人员就可以全面使用亚马逊云科技的各种能力来构建出色的应用，例如用于处理复杂任务的高级智能体。" Llama 3.1模型的优势 Llama 3.1 405B 适用于构建企业应用程序和研发用例包括：长篇文本生成、多语言和机器翻译、编码工具使用、增强的上下文理解，以及高级推理和决策 Llama 3.1 70B 适用于内容创建、对话AI、语言理解和研发用例包括：文本摘要、文本分类、情感分析和细微推理、语言建模、代码生成和遵循指令 Llama 3.1 8B 适用于计算能力和资源有限的情况以及移动设备更快的训练时间用例包括：文本摘要和分类、情感分析和语言翻译亚马逊云科技提供对多种大语言模型的轻松访问 Amazon Bedrock为数万名客户提供安全、便捷的模型访问，提供性能卓越、完全托管的大型语言模型和其他基础模型选择，并具有领先的易用性，是客户开始使用Llama 3.1的便捷途径，其中8B和70B参数模型已经正式可用，405B版本现提供预览。客户希望访问Llama 3.1模型并利用亚马逊云科技的所有安全性和功能，这些通过Amazon Bedrock提供的一个简单的API即可轻松实现，同时无需管理任何底层基础设施。客户还可以使用Llama 3.1提供的负责任AI能力，该功能能够与Amazon Bedrock的数据治理和评估功能配合使用，例如Guardrails和模型评估。客户还可以使用Amazon Bedrock即将推出的微调功能来自定义模型。 Amazon SageMaker是数据科学家和机器学习工程师预训练、评估和微调基础模型的绝佳平台，能够提供先进的技术和精细的控制能力来部署基础模型，以满足生成式AI用例在准确性、延迟和成本方面的严格要求。今天，通过Amazon SageMaker JumpStart，客户仅需几次点击即可发现和部署所有Llama 3.1模型。随着即将推出的微调功能，数据科学家和机器学习工程师将能够更进一步使用Llama 3.1，例如在短短几小时内将Llama 3.1适配于他们的特定数据集。亚马逊云科技首席执行官Matt Garman表示："Amazon Bedrock是使用Llama 3.1进行快速构建的简单途径，提供行业领先的隐私和数据治理评估功能和内置保护措施。Amazon SageMaker提供的工具选择和精细控制，则使各行各业的客户能够轻松训练和调整Llama模型，以推动亚马逊云科技上的生成式AI创新。" 对于希望通过自管理机器学习工作流的方式在亚马逊云科技上部署Llama 3.1模型的客户，Amazon EC2提供广泛的加速计算选项，以为其提供更大的灵活性和对底层资源的控制。Amazon Trainium 和Amazon Inferentia2能够为微调和部署Llama 3.1模型提供高性能和成本效益。客户可以通过使用Amazon EC2 Trn1和Inf2实例在亚马逊云科技自研AI芯片上开启使用Llama 3.1的旅程。客户已经在亚马逊云科技上使用Llama模型全球金融服务集团野村控股（Nomura）的业务覆盖30个国家和地区。该集团正在使用Amazon Bedrock中的Llama模型简化海量行业文档的分析，以提取相关的商业信息，使员工可以将更多时间专注于从日志文件、市场评论或原始文档等数据源中提取洞见和获取关键信息。领先的外包数字服务和客户体验提供商TaskUs使用Amazon Bedrock中的Llama模型来支持其专属生成式AI平台——TaskGPT。TaskUs在该平台上构建智能工具，自动化部分客户服务流程，释放团队成员处理更复杂的问题，并提供更好的客户体验。

大模型

美通社 . 昨天 1249
艾迈斯欧司朗：采用 OSLON® Pure 1414 的多光谱照明机器视觉系统

机器视觉是指从数字图像中自动提取信息的过程，涉及识别/解码（条形码、二维码）、定位/导航（位置、方向）、测量/计数（尺寸、公差、数量）和检测（缺陷、瑕疵）。采用艾迈斯欧司朗OSLON® Pure 1414的照明解决方案尺寸小巧，色彩组合丰富，可满足多种检测目的，从而简化了每次更换和重新设置照明色彩的繁琐过程，节省宝贵时间。应用优势 LED特点设计灵活性全色谱覆盖，包括色温从 1800K 至 6500K 的白光，为灯组照明提供更好的选择紧凑型封装 1.4 x 1.4 mm²，更易于实现产品微型化出色的光通量密度在紧凑小巧的封装中实现高通量 LED 出色的可靠性和使用寿命大多数色彩下都具有出色的稳健性，L70 使用寿命达 90000 小时以上各角度色彩均匀朗伯辐射模式 (120° FWHM)，色彩均匀；在 ±60° 时，白色 delta u'v' 约为 0.01 脉冲处理能力根据允许的脉冲处理能力，灯光能以频闪模式运行

艾迈斯欧司朗

艾迈斯欧司朗 . 昨天 945
如何设计电池充电速度快4倍的可穿戴设备

本文将介绍模拟真无线立体声(TWS)耳机应用电源架构的参考设计。它能将应用的快速充电速度提高近4倍，同时优化解决方案尺寸和系统BOM成本。使用热敏电阻和热成像测量得出的测试结果显示，与传统解决方案相比温度更低。该设计展示了采用单电感、多输出(SIMO)架构且具有自动裕量跟踪功能的解决方案所提供的众多优势。随着可穿戴设备革新的持续推进，对稳健电源架构的需求不断增加。在过去十年中，我们看到可穿戴健康监测设备大幅增长，这些设备的下一代可能会在相同的小尺寸解决方案中集成更多功能。可穿戴设备通常要求支持Wi-Fi、蓝牙®并具备生命体征监测(VSM)功能。对更多功能的需求，要求系统级和IC级设计人员更明智地选择可穿戴设备电源架构。 🎧无线耳机的电源挑战真无线立体声耳机应用目前需要将多个独立的稳压器放到一个小尺寸解决方案中——毕竟，整个系统需要放入我们的口袋中！ TWS耳机应用的典型电源系统如图1a所示。充电座和耳机之间的DC-DC转换器用于将电压从VSYS提升至5 V USB电平。这样可以为耳机的线性充电器提供足够的裕量，避免出现电压下降的情况。然而，该解决方案有一个缺点，那就是由于耳机线性充电FET上的压差和损耗，效率损失很大。当耳机电池电量较低时，尤其明显。低效率充电会增加发热量，导致系统电池寿命缩短和产品可靠性降低。在某些情况下（图1b），增加电力线通信(PLC)，并借助充电座侧的降压-升压调节器跟踪线性充电器的裕量，可以提高系统效率。图1a. TWS耳机应用的典型电源架构图图1b. 带PLC的TWS耳机应用的典型电源架构图然而，可穿戴产品的解决方案尺寸非常宝贵。为可穿戴设备的外设供电的降压输出所需的PLC芯片和电感，会直接影响这两种传统解决方案的产品尺寸和成本。 🎧更好的解决方案：SIMO架构和自动裕量跟踪 SIMO电源管理IC (PMIC)提供了满足紧凑设计要求所需的架构和效率。电池供电的可穿戴应用还能受益于一种称为自动裕量跟踪的技术，它可以充分减少电池充电电路上的压降，同时提供优化裕量来调节充电电流。这就减少了充电电路中的功率损耗和发热量，而无需额外的元器件，可穿戴设备在充电时可以保持较低温度，甚至可以更快速地充电。 MAX77659 是一款SIMO PMIC，旨在提高可穿戴消费和医疗设备的效率，并缩减系统板上空间和BOM尺寸。该PMIC具有三个使用同一电感的降压-升压输出，效率高达90%。它还包含一个额外的低压差(LDO)稳压器，适用于需要高电源电压抑制比(PSRR)的敏感应用，例如VSM。此外，SIMO架构在效率方面具有内在优势，并且其静态电流非常低，解决方案尺寸极小。图2. 针对典型锂离子电池充电周期的自动裕量跟踪 MAX77659的自动裕量跟踪功能使用SIMO输出之一来充分减少电池充电晶体管上的压降，同时提供优化裕量来调节充电电流。其结果是晶体管上的功率损耗和发热量减少，所有这些都不需要额外的元器件。图2显示了对整个快速充电过程中的自动裕量跟踪。 🎧MAX77659参考设计图3所示的参考设计将MAX77659 SIMO PMIC解决方案与典型的线性充电解决方案进行了比较。MAX77659 SIMO PMIC具有自动裕量跟踪功能，因此可以省去传统解决方案（图3，充电座B）中使用的降压-升压稳压器（图3，充电座A）。它提高了充电效率，延长了整个系统的电池寿命，并且减小了解决方案尺寸，降低了BOM成本。图3. 参考设计框图，比较了TWS耳机的建议解决方案和传统解决方案图4显示了MAX77659参考设计的完整PCB。该设计包括两对充电座/耳机解决方案，其中一对采用MAX77659 SIMO PMIC设计（充电座/耳机A），另一对采用典型的线性充电器设计（充电座/耳机B），使用 MAX77734 线性充电器。基板上的按钮可切换A和B分支的充电，OLED显示屏显示耳机的 MAX17260 电量计测得的充电电流和温度。屏幕还显示充电器状态，以及充电器何时因过热必须降低充电电流。图4. MAXREFDES1323参考设计板 🎧电池管理系统充电标准日本电子和信息技术工业协会(JEITA)发布了与电池管理系统相关的标准，这些标准提供了严格而稳健的方法，通过减少系统和电池磨损来提高系统安全性和可靠性，为最终用户提供保障。终端应用通常利用集成的JEITA保护功能，在电池充电的恒流(CC)和恒压(CV)阶段降低充电电流和电压水平。如果系统变得太热，可以降低充电电流和电压，以使电路降温。对电流的这种限制可以保护最终用户，使其不会感到不适，并保持系统的可靠性和使用寿命。遗憾的是，限制充电电流也意味着充电周期变慢。集成JEITA功能的需求代表了一种设计权衡，这给可穿戴设备设计带来了压力。长时间接受高充电电流也能保持较好热性能的解决方案可以缓解这种压力。 🎧性能比较为了检验传统解决方案和建议解决方案的热性能，我们在270 mA CHG_CC（正常CC电流）和75 mA JEITA_CC（高于JEITA_WARM温度阈值的CC电流）下进行了1分钟充电测试。目标是显示这段时间内的热差异，并检查两种解决方案是否可以在不触发JEITA保护的情况下保持较高充电速度。为了提供可重复性，并将温升限制为仅IC所经历的温升，我们使用了电池仿真器。该测试使用的热阈值为45°C，比环境温度高21°C。参考设计的PCB是6层板，铜厚度分别为0.0014英寸、0.0007英寸、0.0007英寸、0.0007英寸、0.0007英寸和0.0014英寸。测试条件如表1所示，结果如表2所示。表1. JEITA充电测试条件表2. JEITA充电测试结果在测试过程中，MAX77659 SIMO解决方案在1分钟内升温11.1°C，并且在前30秒后其升温速度明显减慢。所提出的解决方案在测试过程中的任何时候都没有进入JEITA模式。采用典型线性充电解决方案时，器件在短短15秒内升温近20°C，并触发JEITA保护，在仅30秒内就限制了充电电流。 🎧热成像结果此外，为了在未启用JEITA保护的情况下检查热行为，我们进行了单独的测试，并使用热像仪来测量SIMO PMIC解决方案和线性充电器解决方案的温度。参数与第一次测试相同，只不过禁用了JEITA保护。图5. 并排充电器解决方案的热成像在2分钟的测试过程中，线性解决方案的温度升至58.1°C，而SIMO PMIC仅升至37.5°C。基于这些结果可知，与线性充电解决方案相比，SIMO解决方案能够将温升降低约72%。 🎧结论本文在模拟TWS耳塞应用中，将MAX77659 SIMO PMIC与传统线性充电解决方案进行了比较，展示了自动裕量跟踪和开关充电器解决方案的优势。结果表明，SIMO PMIC解决方案在热方面实现了巨大改进（热量减少72%），能够安全地维持几乎是传统线性充电解决方案4倍的充电电流。这有助于系统快速充电，同时保持低温和舒适性，从而解决可穿戴设备的关键难点。 MAX77659 SIMO PMIC为下一代可穿戴设备提供安全、可靠、舒适的充电解决方案，同时提高了效率，减少了必要的解决方案尺寸和系统BOM数量。如需了解更多信息，请访问ADI公司全面的SIMOPMIC和电量计平台，查看适用于下一代可穿戴设备的出色低功耗解决方案。

无线耳机

ADI智库 . 昨天 1 960
领慧立芯LHA5657：集成真轨到轨缓冲器高精度32位ΣΔ ADC

领慧立芯

领慧立芯 . 昨天 925
革新ZVS软开关技术，Qorvo SiC FET解锁高效率应用潜能

从石器时代到信息时代，人类对高效率的追求从未停止。如今，随着人工智能、电动汽车和可再生能源系统等前沿科技的蓬勃发展，电力电子设备面临的挑战与日俱增。开关损耗一直是影响电力电子设备性能的关键因素之一，也成了人们对高效率追求路上的拦路虎。面对这一挑战，尽管电力电子工程师们早就掌握了理论上能够达到零损耗的ZVS软开关这一秘密武器，但在纷繁复杂的实际应用中，由于寄生参数、控制精度、热效应、材料特性等种种因素，仍会不可避免地产生损耗。在前不久PowerUP Asia 2024论坛的在线研讨会中，Qorvo高级产品应用工程师Mike Zhu分享了Qorvo SiC FET在ZVS（零电压开关）软开关技术应用中的卓越表现。 ZVS也无法避免的损耗是怎么来的？在传统的硬开关操作中，开关器件在高电压下导通，导致开关损耗显著，这不仅降低了效率，还产生了大量的热量。特别是在高频操作中，开关损耗会急剧增加，成为制约系统效率和性能的关键因素。为了解决这一问题，软开关技术，尤其是零电压开关技术，被开发出来，旨在实现开关元件在无电压或极低电压状态下导通，从而极大程度地减少开关损耗，提高效率。零电压开关技术依赖于开关器件（如MOSFET或IGBT）的特性，这些器件在导通时具有较低的电阻，而在关断时具有较高的电阻。在ZVS应用中，开关在电压为零或接近零时导通，这意味着开关的电流在导通时不会突然增加，从而减少了开关损耗。图1 ZVS软开关波形及不同开关阶段半桥电路的主要能量损耗来源图1展示了一个ZVS技术的典型示例。根据其波形图我们可以看出，尽管ZVS避免了开通损耗，但仍然存在死区时间，这一阶段会带来死区传导损耗。之后栅极导通，电流得以流过器件，ZVS应用中的主要损耗就发生在这里，这一部分就是开通损耗。当器件需要关断时，ZVS应用的关断方式依旧是硬开关式，关断损耗也就因此产生了。在零电压开关应用中，功率器件的选择和设计需要特别考虑到几个关键性能指标，以确保系统在效率、热管理以及整体性能上达到最优。Mike 将其总结为以下几点：低开通损耗：在ZVS应用中，器件的开通损耗是首要关注的损耗问题，尤其是在第一或第三象限操作时。这要求器件在开通时能够迅速且高效地转移电流，同时最小化电压和电流的重叠，从而减少能量损耗。低关断损耗：尽管ZVS技术旨在降低开通损耗，但关断过程中的硬开关损耗依然存在，是第二大损耗来源。因此，器件在关断时应具备快速的电压转换能力和低损耗特性，以减少能量在关断过程中的消耗。低栅极电荷（Qg）：ZVS应用由于消除了关断损耗，可以支持更高的开关频率。较低的栅极电荷意味着在高开关频率下，栅极驱动损耗更小，特别是在轻负载条件下，这有利于提高效率和系统稳定性。低时间相关输出电容（Coss）：输出电容影响电压降至零的速度，进而影响死区时间。较低的输出电容可以缩短死区时间，提高占空比，从而向负载输送更高功率，同时有助于实现ZVS条件，减少开关损耗。低热阻：功率器件的热阻决定了其在高功率密度应用中散热的效率。低热阻可以有效降低器件的结温，提高器件的热稳定性和可靠性，从而延长产品的使用寿命。 SiC FET的革新技术这样实现TVS效率提升 Qorvo SiC FET，作为ZVS技术的革新者，凭借其独特的设计和材料科学的进步，为电力电子行业带来了前所未有的变革。图2. SiC MOSFET与用于共源共栅电路SiC JFET的截面比较与平面SiC MOSFET对比，Qorvo SiC FET采用了共源共栅结构，其核心在于使用了沟槽JFET。这一设计消除了平面SiC MOSFET中存在的沟道电阻，取而代之的是一个低压硅MOSFET的沟道电阻。由于硅材料的导电性能优于SiC，且工作在较低的电压下，因此其导通电阻显著减小，仅占共源共栅器件总电阻的5%-10%。这一创新设计大幅度降低了器件的导通电阻，使得Qorvo SiC FET在单位面积上的导通电阻比最接近的SiC MOSFET结构低两倍以上。图3. Qorvo SiC FET与其他厂商的开关器件导通电阻对比此外，Qorvo SiC FET还通过其独特的结构设计，进一步优化了开关性能。平面SiC MOSFET在第三象限导通时，体二极管压降较高，例如，在零偏置情况下传导30A电流时，压降约为4.8V。而在Qorvo SiC FET中，由于其共源共栅结构，高压SiC JFET在第三象限导通时始终处于同步导通模式。这使得在栅极偏置为0V且第三象限电流为30A时，Qorvo SiC FET的体二极管压降仅为2.5V。得益于其低沟道电阻和低体二极管压降，Qorvo SiC FET还提供了非常低的时间相关输出电容（Coss），这使得开关速度大大加快，并有效地缩短了所需的死区时间。针对ZVS应用中的另一大损耗来源——开关损耗。Mike将Qorvo的U1B半桥模块与其他厂商的SiC MOSFET进行了对比，结果显示在100A电流条件下，Qorvo的器件在关断时的开关损耗比其他厂商的器件低74%。这种性能优势主要归因于Qorvo器件的更快的dV/dt，即电压变化率。快速的dV/dt可以减少电流和电压的重叠，进而降低关断损耗。当使用缓冲器控制电压尖峰和振铃时，这种效果尤为明显。缓冲器可以帮助限制电压的上升速度，同时允许更小的栅极电阻，这有利于降低开关损耗。在电动汽车充电站等实际应用中，使用Qorvo器件可以实现更高的效率，更低的结温，以及可能更高的开关频率，从而减小系统尺寸和降低成本。更小的芯片尺寸带来诸多优点的同时，也增加了热阻。在高功率密度的应用中，有效的散热设计至关重要。Qorvo通过采用银烧结芯片贴装技术，显著提升了其SiC FET的热性能。银烧结技术的导热率是传统焊接技术的六倍，这意味着热量能够更高效地从芯片表面转移到散热器，从而降低了器件的运行温度，延长了器件的使用寿命，并提升了整体系统的可靠性和效率。结语 Qorvo SiC FET的创新技术不仅在零电压开关（ZVS）应用中展现了卓越的性能，还为电力电子行业带来了显著的效率提升和成本降低。通过优化设计和材料科学的进步，Qorvo SiC FET在高频、高压操作中表现出色，满足了现代电力电子设备对高效率和高功率密度的需求。无论是在电动汽车、可再生能源系统，还是在工业电机驱动和数据中心电源等领域，Qorvo SiC FET都为实现更紧凑、更可靠的系统设计提供了无限可能。随着电气化和智能化的不断推进，Qorvo将继续引领技术创新，助力全球向更可持续的未来迈进。

Qorvo半导体

Qorvo半导体 . 2024-07-25 955
默克计划1.55亿欧元收购Unity-SC

近日，默克发布声明，宣布将收购半导体计量和检测仪器提供商Unity-SC，交易金额包括1.55亿欧元（约合人民币12.23亿元）的价款和进一步支付基于里程碑的潜在款项。该笔交易在满足相关要求的情况下，预计于2024年底前完成。默克表示，对Unity-SC的收购补充了其在半导体领域的关键产品组合，增强了公司作为集成解决方案提供商，从人工智能应用的增长机会中受益的能力。声明中称，Unity-SC的测量技术与默克在半导体材料领域的产品相结合，将有助于开发计算机芯片，这是人工智能和其他应用创新下一步所必需的。据了解，Unity-SC的高精度计量测量设备可以进一步优化与人工智能（AI）、高性能计算（HPC）和高带宽内存（HBM）相关的应用中使用的芯片质量、产量和制造成本。此外，Unity-SC专门从事通过“先进封装”、“异构集成”技术生产的芯片的测试，这一类芯片往往具备更高性能，适用于人工智能数据中心、自动驾驶汽车、5G、VR等领域的应用。

默克Merck

芯查查资讯 . 2024-07-25 895
世界先进新加坡厂2024年下半年动工

据台媒报道，世界先进（VIS）新加坡12英寸晶圆厂将在今年下半年开始动工兴建，新厂制程节点为0.13um～40nm，来自于台积电的技术移转，主要应用为PMIC、Analog、混合信号，主要应用以工业及车用为主，少部分的消费性产品。该晶圆厂由世界先进（VIS）和恩智浦半导体（NXP）在新加坡成立的合资公司VSMC投建，总投资额为78亿美元。世界先进此前预期，新厂约自2026年底开始移入设备，2027年开始小量生产，预估2027年的月产能约1万片，2028年为月产能3万片，2029年总产能达到单月5.5万片产能。在首座晶圆厂成功量产后，合作双方将考虑继续建造第二座晶圆厂。

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