英特尔推出Hybrid Bonding技术 推进高端封装演进
近日，英特尔对外分享了英特尔封装技术路线图。英特尔院士、封装研究与系统解决方案总监Johanna Swan分享道，从标准封装到嵌入式桥接时，凸点间距从 100 微米变为 55-36 微米。到Foveros封装时，英特尔将芯片堆叠在一起，实现横向和纵向的互连，凸点间距大概是50微米。未来，英特尔将通过采用Hybrid Bonding（有两种翻译：混合键合、混合结合）技术，计划实现小于 10 微米的凸
封装
科技热点说 . 2021-06-28 1746
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