TII技术可望微缩超越9nm 并降低芯片成本
最新的「倾斜离子注入」（TII）制程据称能够实现比当今最先进制程更小达9nm的特征尺寸… 美国柏克莱实验室（Berkeley Lab）的研究人员日前发表最新的「倾斜离子注入」（TIlted ion implantaTIon，TII）制程，据称能够降低制造先进芯片的成本、缩短研发时间，同时实现比当今最先进制程更小达的9奈米（nm）特征尺寸。 近年来，随着芯片制造成本和复杂度的快速增加，推迟了摩尔定律
TII技术
eettaiwan . 2017-02-07 1010
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