Vishay推出超小外形尺寸的P沟道功率MOSFET
宾夕法尼亚、MALVERN — 2013 年 9 月5 日---日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，扩充其采用超小PowerPAK SC-70封装的TrenchFET® Gen III P沟道功率MOSFET。今天推出的Vishay Siliconix MOSFET是为在便携式电子产品中节省空间及提高效率而设计的，占位面积只有2mm x
导通电阻
来源：互联网 . 2013-09-05 835
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