PCM与MRAM将在非易失性存储器中处于领先地位
MKW Ventures的Mark Webb表示，在接下来的十年中，两种新兴的非易失性存储器类型（相变存储器和磁RAM）将在独立存储器中处于领先地位。 Mark Webb在最近的虚拟闪存峰会上做了一系列演讲。他得出的结论是，尽管目前正在开发中的新兴存储器技术种类繁多，但英特尔的相变存储器（称为3D XPoint存储器或Optane）将在2025年和2030年主导独立的新兴非易失性存储器市场，这是部
PCM
导体行业观察综合 . 2020-11-24 1420
多态存储器可实现未来技术的神经形态计算?
10月14日消息，ARC未来低能耗电子技术卓越中心（FLEET）的科学家发表研究报告称，“超越二进制 ”的 “多状态存储器 ”数据存储有望成为未来的数据存储方式。 研究人员表示，多状态存储器是未来数据存储的一种极有前途的技术，它能够以超过一个比特（即0或1）的方式存储数据，使得存储密度（单位面积存储的数据量）大大提高。 这就规避了 “摩尔定律 ”历史上提供的平缓效益，即组件尺寸大约每两年减少一半。
PCM
贤集网 . 2020-10-15 1105
交换机数字中继PCM故障
浅谈数字中继PCM故障的原因与清除方法。 1.告警产生的原因 某一PCM系统与对端的相应系统的连接中由于单板配置、数据配置、虚焊、光路中断或其它原因而导致的传输故障即引起该告警。 2.告警清除方法 1)检查单板 根据告警模块号、告警参数来确定所对应的DT单板。 2)检查PCM系统 根据告警参数来确定出现告警的是该DT单板上的哪个PCM系统。 查看对应的告警灯
数字中继
本站整理 . 2011-09-15 765
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