日清纺面向5G基站的吸收式SPDT开关“NT1819”开始提供样品
日清纺微电子从9月26日开始提供最适合5G基站使用且具有业界领先水平※1高隔离度的SPDT开关“NT1819”样品。
日清纺
NISSHINBO Micro Devices . 2024-10-11 1 3 2790
ADI推出为测试测量应用提供快速建立时间的SPDT开关HMC1118LP3DE
Analog Devices, Inc.(ADI)日前推出了一款专门用于9KHz至13GHz频段的吸收式单刀双掷(SPDT)开关HMC1118LP3DE，它具有48dB的高隔离度，在8GHz条件下运行时仅有0.6dB的低插入损耗。HMC1118LP3DE是ADI公司的新型RF和微波控制产品组合中的第一款产品，展现了硅工艺技术的固有优势，与传统的GaAs（砷化镓）RF 开关相比具有重大明显优势。这些
ADI
来源：互联网 . 2015-05-21 1260
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