上海贝岭150V SGT新品发布
上海贝岭推出150V SGT MOSFET系列产品。贝岭150V SGT系列产品采用业界先进工艺，使得器件具有良好的栅极漏电流IGSS性能；采用深沟槽、多层外延衬底以及多重浮空环终端结构，使得器件具有极低的导通电阻和较高的漏源间击穿电压Vdss；采用屏蔽栅极结构，器件获得优良的开关性能，使得150V SGT系列产品具有极低的开关损耗。 上海贝岭150V SGT MOSFET系列产品可广泛应用
上海贝岭
上海贝岭 . 2025-01-03 1095
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