日本以NaFlux法制成GaN基SBD用于LED驱动电路
日本以NaFlux法制成GaN基SBD用于LED驱动电路 丰田中央研究所和三垦电气分别利用以称为“NaFlux法”的结晶成长法制成的GaN底板，试制出了GaN类肖特基势垒二极管（SBD）。 NaFlux法是将氮气（N2）喷到钙（Ga）和钠（Na）的混合溶液中，令氮（N）溶解制成GaN结晶。大阪大学等的研究小组将用HVPE法制成的GaN结晶用作基础底板。特点是结晶成长越厚，错位越会大幅减少。另外
SBD
www.elecfans.com . 2010-03-04 980
- 1