X-FAB推出基于其110nm车规BCD-on-SOI技术的嵌入式数据存储解决方案
基于其高压BCD-on-SOI XT011这一110nm工艺节点平台,X-FAB可为客户提供符合AECQ100 Grade-0标准的32kByte容量嵌入式闪存IP,并配备额外的4Kbit EEPROM。
SONOS技术
X-FAB . 2024-12-09 1215
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基于其高压BCD-on-SOI XT011这一110nm工艺节点平台,X-FAB可为客户提供符合AECQ100 Grade-0标准的32kByte容量嵌入式闪存IP,并配备额外的4Kbit EEPROM。
SONOS技术
X-FAB . 2024-12-09 1215