富士通半导体将更名RAMXEED，专注FeRAM和ReRAM产品
富士通集团将会从2025年1月1日起，正式退出半导体市场，富士通半导体也将会在这一天更名为RAMXEED，并专注于铁电随机存储器（FeRAM）产品。
存储器
芯查查资讯 . 2024-11-18 1 4805
三星宣布世界首款搭载 MRAM 非易失磁阻内存的电脑：可用于 AI 运算
1 月 13 日消息，据外媒 techpowerup 报道，三星电子正式公布了世界首款搭载 MRAM 内存的电脑，相关论文发表在《Nature》网站，并即将在杂志上发表。论文题目为《用于内存内计算电脑的磁阻存储器件交叉阵列》，相关电脑可以用于 AI 运算。 （图片来源于三星官网） 这项技术是三星 SAIT 研究院与三星电子代工业务和半导体研发中心共同开发的，论文第一作者是 Seungchu
三星
芯闻路1号 . 2022-01-13 1 2658
PCM与MRAM将在非易失性存储器中处于领先地位
MKW Ventures的Mark Webb表示，在接下来的十年中，两种新兴的非易失性存储器类型（相变存储器和磁RAM）将在独立存储器中处于领先地位。 Mark Webb在最近的虚拟闪存峰会上做了一系列演讲。他得出的结论是，尽管目前正在开发中的新兴存储器技术种类繁多，但英特尔的相变存储器（称为3D XPoint存储器或Optane）将在2025年和2030年主导独立的新兴非易失性存储器市场，这是部
PCM
导体行业观察综合 . 2020-11-24 1300
三星大规模量产下一代内存芯片MRAM，更凸显互补优势
据报道，近日，三星宣布已在一条基于28纳米FD-SOI工艺的生产线上，开始大规模生产和商业运输嵌入式MRAM(eMRAM)解决方案。 MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器，能够应用于通用微控制器(MCU)、物联网、工业、消费类电子、汽车等，提升数据保存的能力。 报道指出，三星MRAM方案无需在数据记录期间擦除数据，并实现了比传统闪存快1000倍左右的写入速度。三星表示，由于它在断电时保存了存储的
三星
YXQ . 2019-03-25 1205
MRAM存储器在未来将得到更多的应用
MRAM是一种非易失性存储器，可与其他的NVM技术相媲美，如闪存，英特尔的Optane，以及FRAM和RRAM （图1）。每种NVM都有自己的优缺点。虽然MRAM的扩展性好，但其容量仍远低于NAND闪存， SSD中的高密度存储介质大都是NAND闪存。 1.嵌入式MRAM（eMRAM）现在具有竞争力，可以在未来取代NOR闪存等技术。（由Coughlin Associates和Objective An
存储器
xx . 2018-12-22 1190
IEDM：28nm嵌入式MRAM即将问世
包括三星、东芝、海力士等公司的研究团队将在IEDM发表有关MRAM的最新发展。 在今年即将于美国加州举行的国际电子元件会议（IEDM）上，来自三星（Samsung）、东芝（Toshiba）、海力士（SK Hynix）等公司的研究团队预计将发表多项有关磁阻式随机存取记忆体（MRAM）的最新发展。 此外，三星的研发团队以及旗下LSI业务部门显然也将再次发表其致力于开发MEMS的最新成果。
MRAM
eettaiwan . 2016-11-29 1150
28nm嵌入式磁阻式随机存取内存（MRAM）即将问世
包括三星、东芝、海力士等公司的研究团队将在IEDM发表有关MRAM的最新发展。 在今年即将于美国加州举行的国际电子组件会议（IEDM）上，来自三星（Samsung）、东芝（Toshiba）、海力士（SK Hynix）等公司的研究团队预计将发表多项有关磁阻式随机存取内存（MRAM）的最新发展。 此外，三星的研发团队以及旗下LSI业务部门显然也将再次发表其致力于开发MEMS的最新成果。 三星将分别透过
MRAM
eettaiwan . 2016-11-29 960
MRAM接班主流存储器指日可待
存储产业中的每一家厂商都想打造一种兼具静态随机存取存储（SRAM）的快速、快闪存储的高密度以及如同唯读存储（ROM）般低成本等各种优势的非挥发性存储。如今，透过磁阻随机存取存储（MRAM），可望解决开发这种“万能”存储（可取代各种存储）的问题。 遗憾的是，实际让非挥发性MRAM的速度更快、密度更高且更便宜（MRAM制造商的承诺）的最佳化步骤，似乎总是还得再等三年之久。如今，荷兰爱因霍芬科技
MRAM
eettaiwan . 2016-03-09 1150
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