GaN步步紧逼，LDMOS路在何方？
在射频和功率应用中，氮化镓（GaN）技术正在变得日益盛行。 GaN器件分为射频器件和电力电子器件，射频器件产品包括PA、 LNA、开关器、 MMIC等，面向基站卫星、雷达等市场；电力电子器件产品包括SBD、常关型FET、常开型FET、级联FET等产品，面向无线充电、电源开关、包络跟踪、逆变器、变流器等市场。 而按工艺分，GaN器件则分为HEMT、HBT射频工艺和SBD、Power FET电力电子器
射频
工程师曾暄茗 . 2019-01-19 835
从LDMOS转到氮化镓的时间窗口只有三年
“现在正处于从LDMOS转到氮化镓的时间窗口，但只有三年。”能讯半导体总经理任勉表示，在氮化镓领域耕耘十二年，能讯半导体迎来关键时间节点，抓住5G基站建设机会，就可以在竞争中占据有利位置。 当前基站与无线回传系统中使用的大功率射频器件（功率大于3瓦），主要有基于三种材料生产的器件，即传统的LDMOS（横向扩散MOS）、砷化镓（GaAs），以及新兴的氮化镓（GaN）。市场调研机构Yole（Yole
氮化镓
未知 . 2018-10-19 835
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