三星否认其HBM3E芯片通过英伟达测试
8月7日，有消息称，三星电子的第五代高频宽记忆体芯片HBM3E已经通过英伟达（Nvidia）测试，可用于英伟达的AI处理器上。 针对上述报道，三星电子表示：“我们无法证实与我们客户相关的报道，但该报道并不属实。” “正如我们在上个月的电话会议上所说的那样，质量测试正在进行中，自那以后没有任何变化。”三星电子的一位员工说。 当天早些时候，一些媒体援引三位匿名消息人士的话称，三星和英伟达预计将
三星
芯查查资讯 . 2024-08-07 2 4130
三星电子或将独家供应英伟达12层HBM3E内存
英伟达最快将从9月开始大量购买三星电子的12层HBM3E内存，后者有望成为英伟达12层HBM3E的独家供应商。
HBM3E
芯查查资讯 . 2024-03-26 1 1 3315
美光明年初大批量出货交付HBM3E，首要客户NVIDIA
随着NVIDIA A100/H100计算卡的热卖，对HBM(High Bandwidth Memory)的需求也空前高涨，动辄单卡几十GB，最近宣布的Grace Hopper超级芯片，双路系统就需要282GB HBM3E。 美光的HBM3E，又叫第二代HBM3，采用了1βnm工艺制造，单颗容量24GB，堆叠了八颗24Gb Die，数据率最高9.7GT/s，意味着峰值高达1.2TB/
内存
芯闻路1号 . 2023-09-30 1 2570
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