所谓的后摩尔定律时代，IC业者面临什么挑战？
如今已近九旬高龄的英特尔（Intel）共同创办人Gordon Moore在1965年发表了一篇文章，提出了IC上晶体管数量会在接下来十年依循每年增加一倍的规律发展，其后这个理论根据数次演变，成为全球半导体产业界奉为圭臬的「摩尔定律」（Moore’s Law），伴随IC市场经历半世纪的蓬勃发展，催生无数让大众日常生活更加便利、更丰富多彩的科技。 2015年，摩尔定律欢庆50周年，Moore本人在接受
EUV微影
eettaiwan . 2017-02-06 800
物联网应用带动FD-SOI制程快速增长
物联网（IoT）应用将带动全耗尽型（Fully Detleted）制程技术加速成长。为满足低功耗、低成本、高效能之设计需求，格罗方德（GlobalFoundries）除持续发展14纳米及7纳米鳍式晶体管（FinFET）制程技术外，也投入全耗尽型绝缘层上覆硅（FD-SOI）市场，并推出22纳米及12纳米FDX制程平台，抢攻物联网商机。 格罗方德技术长暨全球研发资深副总裁Gary Patton
FD-SOI制程
新电子 . 2016-11-17 1040
半导体FD-SOI制程的决胜点在14nm！
产业资深顾问Handel Jones认为，半导体业者应该尽速转移14纳米FD-SOI （depleted silicon-on-insulator）制程，利用该技术的众多优势… 半导体与电子产业正努力适应制程节点微缩至28纳米以下之后的闸成本（gate cost）上扬;如下图所示，在制程微缩同时，每单位面积的逻辑闸或电晶体数量持续增加，其速率高于晶圆片成本增加的速率。在另一方面，当制程特征
FD-SOI制程
电子产品世界 . 2016-06-17 1490
Globalfoundries下一代FD-SOI制程正在研发
Globalfoundries技术长Gary Patton透露，其22FDX全空乏绝缘上覆矽（FD-SOI）制程技术可望今年稍晚上市，而目前该公司正在开发后续制程。 晶圆代工业者Globalfoundries技术长Gary Patton透露，其22FDX全空乏绝缘上覆矽（fully-depleted silicon-on-insulator，FD-SOI）制程技术可望今年稍晚上市，而目前该
FD-SOI制程
engadget . 2016-05-27 925
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