IC 品牌故事 | STM32系列MCU神话缔造者——ST一波三折的成长史
ST是ST Microelectronics的简称，中文名叫意法半导体，成立于1987年，总部位于瑞士日内瓦。公司可提供通用微控制器、安全微控制器、存储器、数字ASIC、MEMS和专用影像传感器、分立和功率MOSFET、IGBT、碳化硅和氮化镓器件、模拟器件、工业芯片和功率转换芯片，以及专用汽车芯片等产品。2023年全年收入为173亿美元，全球超过50,000名员工，9,500名研发工程师（截至2
STM32
芯查查资讯 . 2024-09-09 13 11 8630
叶甜春：三条路径开辟中国集成电路发展新空间
中国的集成电路产业发展到现在的规模，在已有的路径上攻坚克难、继续发展的同时，也需要考虑新的赛道，开辟新的发展空间。
集成电路
芯查查资讯 . 2024-06-22 4 29 6070
意法半导体突破20纳米技术节点，提升新一代微控制器的成本竞争力
ST发布了一项基于 18 纳米全耗尽绝缘体上硅(FD-SOI) 技术并整合嵌入式相变存储器 (ePCM)的先进制造工艺，支持下一代嵌入式处理器升级进化。
MCU
意法半导体 . 2024-03-26 7 3460
传统元件结构尺寸已经接近极限，FD-SOI才是出路？
为求低功耗、高能效及高性价比之元件，市场逐渐开发出 FD-SOI(完全空乏型硅绝缘层金氧半晶体管)结构；而 FD-SOI 构造主要以 SOI 晶圆为核心，透过传统 Si 芯片制程方式，进而以水平式晶体管架构，取代线宽较大(16～12nm)之 FinFET 元件。 进一步分析 FD-SOI 市占情形，在各厂商相继投入开发资源下，2018 年整体元件市场规模达 160 亿美元，预估 2019 年整
FD-SOI
-- . 2019-05-22 1435
恩智浦开始将重点放在FD-SOI技术上，以快速布局智能物联网市场
近年来，随着物联网的快速发展以及人工智能在边缘计算领域中的应用，系统设计工程师希望采用的嵌入式处理器能够兼具高性能与低成本，同时具有更高的安全性。恩智浦半导体推出创新性的跨界处理器i.MX RT系列，填补了MCU和应用处理器之间空白。恩智浦资深副总裁兼微控制器业务线总经理Geoff Lees，深入解读在人工智能物联网快速发展的背景下，微控制器的市场前景，边缘计算技术的最新发展及应用。 关注人工智能
恩智浦
网络整理 . 2018-07-19 1585
落地成都更名格芯，GLOBALFOUNDRIES能否革新晶圆代工格局？
2017 年 2 月 10 日，GLOBALFOUNDRIES（格芯，原中文名为格罗方德，本文中格罗方德与格芯可互换）宣布，正式启动成都制造基地 12 英寸晶圆制造生产线的建设。该晶圆制造工厂为格芯与成都地方政府合资，共分两期建设，第一期为 12 英寸成熟工艺（180 纳米与 130 纳米 CMOS 逻辑及模拟混合等衍生工艺），技术主要从新加坡引进，计划将于 2018 年正式投产；第二期为 22
格芯
-- . 2017-02-12 2000
中国半导体工艺落后国际大厂 谈突破先了解FinFET和胡正明
日前，中科院微电子所集成电路先导工艺研发中心在下一代新型FinFET逻辑器件工艺研究上取得重要进展。微电子所殷华湘研究员的课题组利用低温低阻NiPt硅化物在新型FOI FinFET上实现了全金属化源漏（MSD），显著降低源漏寄生电阻，从而将N/PMOS器件性能提高大约30倍，使得驱动性能达到了国际先进水平。基于本研究成果的论文被2016年IEEE国际电子器件大会（IEDM）接收，并在IEDM的关键
FinFET
cnbeta . 2017-01-13 1500
判断FinFET、FD-SOI与平面半导体制程的市场版图还早
要判定FinFET、FD-SOI与平面半导体制程各自的市场版图还为时过早… 尽管产量仍然非常少，全空乏绝缘上覆矽（fully depleted silicon-on-insulator，FD-SOI）制程有可能继Globalfoundries宣布12纳米计画（参考阅读）之后快速成长；而市 场研究机构InternaTIonal Business Strategies （IBS）资深分析师Ha
FinFET
eettaiwan . 2016-09-14 1480
格罗方德半导体推出12nm FD-SOI工艺，拓展FDX路线图
12FDXTM 提供全节点缩放和超低功耗，并通过软件控制实现按需定制性能 格罗方德半导体今日发布了全新的 12nm FD-SOI 半导体工艺平台 12FDXTM，实现了业内首个多节点 FD-SOI 路线图，从而延续了其领先地位。新一代 12FDXTM 平台建立在其 22FDXTM 平台的成功基础之上，专为未来的移动计算、5G 连接、人工智能、无人驾驶汽车等各类应用智能系统而设计。 随着数以百万
格罗方德半导体
来源：互联网 . 2016-09-09 1360
在FinFET的重围下，FD-SOI的翻牌机会在哪里？
半导体工艺节点不断向前推进，在 28nm 以下大部分芯片厂商选择将自己的产品从平面工艺转向立体工艺，即从 bulk CMOS 工艺向 FinFET 工艺迈进，而且 FinFET 工艺得到了台积电等代工厂以及 EDA 工具厂商的大力支持，高通的芯片已进入量产阶段，ARM 在 7nm 与台积电签订长期合作协议，由此可见 FinFET 工艺的生态链越来越完整。 相对而言，虽然 FD-SOI 工艺也得
FD-SOI
-- . 2016-03-18 1030
三星的秘密武器 | 不仅已经搭建好28nm FD-SOI产业生态系统，还会不断扩大！
我们继续讲述媒体就三星的 FD-SOI 工艺现状进行的采访实录，接受采访的是 Kelvin Low，三星代工厂市场营销资深总监，以及 Axel Fischer，三星系统 LSI 业务欧洲区总监。以下是采访三部曲中的第三部分，谈及产业生态系统。（在第一部分，谈及技术的完备性。在第二部分，谈及设计问题。） 媒体：让我们聊聊 28nm FD-SOI 的 IP 情况？ Axel Fischer：有效的
28nm
-- . 2016-02-05 1710
工艺多元化这场豪赌，格罗方德胜算几何？
纯逻辑先进工艺方面，格罗方德（GLOBALFOUNDRIES）半导体公司应该是全世界拥有最多选项的半导体代工厂。既有获得三星授权的14nm FinFET工艺，又在准备由收购的原IBM微电子部门来独立开发10nm与7nm工艺，还有其独家力推的FD-SOI工艺。 在英特尔、三星与台积电等都坚持走FinFET（鳍式场效应管）路线时，格罗方德一直两线作战，在推进向FinFET工艺转进的同时，持续在
格罗方德
-- . 2015-09-22 1560
FinFET和FD-SOI两个在一起才更配哦！
在我们大多数人“非黑即白”、“非此即彼”的观念里，半导体业者应该不是选择FinFET就是FD-SOI制程技术；不过既然像是台积电(TSMC)、GlobalFoundrie或三星(Samsung)等晶圆代工厂，必须要同时提供以上两种制程产能服务客户，有越来越多半导体制造商也正在考虑也致力提供“两全其美”的制程技术。 例如飞思卡尔半导体(Freescale Semiconductor)最近就透露，
半导体
来源：互联网 . 2015-07-06 1735
三星成FD-SOI工艺救命稻草？
不少代工厂都宣称已经从意法半导体那里获得了FD-SOI技术的授权，然后就再没动静了。 GlobalFoundries在两年前就发表了这样的声明，三星在去年的设计自动化会议上也做出了类似的声明，但是这两家公司从那以后就再也没有给出更多的关于FD-SOI的消息。当然，关于14/16nm，人们最关注的还是FinFET，但事实上，把设计迁移到FinFET上的案例也相当少。 很多设计还是停留在28nm或更大
工艺
-- . 2015-02-11 1695
ST-Ericsson推出28nm FD-SOI制程多模LTE手机平台
意法爱立信（ST-Ericsson），推出高整合度 LTE 智慧型手机平台 NovaThor L8580 ModAp ，是一款支持LTE多模的智慧型手机平台，它整合了全套的无线连结（connecTIvity）功能，拥有速率可达2.5GHz的 eQuad 应用处理器，将在2013年第一季提供样品。 NovaThor L8580 将基于 ARM Cortex-A9的2.5GHz eQuad
意法爱立信
eettaiwan . 2013-01-29 1010
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