韩媒：Eugene Tech已开始研发10nm 级DRAM工艺新设备
据韩媒报导，韩国半导体前端工艺设备公司 Eugene Tech 已开始为 10nm 级 DRAM 工艺开发新设备。该设备计划用于形成DRAM中电容器的电极膜。Eugene Tech从去年底开始研发TiN（氮化钛）ALD（原子层沉积）设备。 TiN是一种结合了钛和氮的材料，具有高硬度和耐腐蚀性，并具有优良的导电性，可以测量流过物体的电流程度。在半导体工业中，主要用于在电路中储存电荷的电容器（
Eugene Tech
中国闪存市场 . 2022-03-22 1770
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