为满足三星需求，DS Techopia将NAND闪存芯片所需材料扩产50%
据韩媒报导，DS Techopia 计划在第三季度将其用于生产 NAND 闪存芯片的前体六氯乙硅烷 (HCDS) 的产能扩大多达 50%。 该公司表示，这样做是因为三星等客户正在扩大其整体 NAND 闪存产量。HCDS 用于在硅晶片上形成氧化硅 (SiO2) 和氮化硅 (SiN) 层。 该材料被认为比其他材料更稳定、更纯净，广泛用于生产 DRAM 和 NAND闪存芯片的低温沉积工艺。
三星
中国闪存市场 . 2022-04-07 2 1995
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