三星量产全新LPDDR5 DRAM芯片 支持5G和AI功能
7月19日消息，据外媒报道，随着无线网络和移动CPU的速度越来越快，便携式设备中使用的RAM速度实际上可能会成为性能瓶颈，从而阻止它们以峰值速度处理数据。三星正在竭尽全力提升下一代移动设备的性能，该公司今天宣布已经开始批量生产12GigabitLPDDR5DRAM芯片，旨在“在未来智能手机中支持5G和AI功能”。 三星此举非常重要，尤其是该公司在为其他移动设备制造商提供内存方面扮演着重要角色。三星
DRAM芯片
未知 . 2019-07-20 1085
避免被封杀！合肥长鑫重新设计DRAM芯片！
日前，据消息人士称，合肥长鑫存储为减少美国制裁威胁，已经重新设计了DRAM芯片，以尽量减少对美国原产技术的使用。 近日，媒体报道称合肥长鑫公司计划在今年底量产首款内存芯片，是8Gb LPDDR4颗粒，预计Q4季度产能约为2万片晶圆/月，不过产能最终会扩大到12.5万片晶圆/月。 在国内布局的三大存储芯片基地中，紫光旗下的长江存储240亿美元的投资主要是NAND闪存，DRAM内存有福建晋华以及合肥长
晶圆
yxw . 2019-06-14 1715
三星表示年底前对DRAM芯片需求不会有变 明年需求将持续强劲
三星电子高层金奇南 （Kim Ki-nam）12日表示，预计今年年底前对DRAM芯片需求不会有变。 12日三星电子（Samsung Electronics） 设备解决方案部门总裁金奇南 （Kim Ki-nam） 接受韩国联合通讯社采访时表示：“至少在今年底前 DRAM 芯片需求不会发生重大变化。” 谈及目前内存芯片持续强劲需求是否会在2019年终结？金奇南预测，明年芯片需求将持续强劲。 三星芯片业
三星
网络整理 . 2018-09-24 1025
美光表示：EUV光刻机在DRAM芯片制造上不是必须的，直到1α及1β工艺上都也不会用到它
今年台积电、三星及Globalfoundries等公司都会量产7nm工艺，第一代7nm工艺将使用传统的DUV光刻工艺，二代7nm才会上EUV光刻工艺，预计明年量产。那么存储芯片行业何时会用上EUV工艺？在美光看来，EUV光刻工艺并不是DRAM芯片必须的，未来几年内都用不上，在新一代工艺上他们正在交由客户验证1Y nm内存芯片，未来还有1Z、1α及1β工艺。 内存跟CPU等芯片虽然都是集成电路，生产
三星
网络整理 . 2018-06-07 1275
移动DRAM芯片供应紧俏 三星考虑购入SK存储芯片
19日，据国外媒体报道，三星电子移动业务主管J.K. Shin今日表示，三星正在考虑从SK海力士购入移动设备内存芯片。 据了解，购入芯片将用于未来产品，包括本月将推出的新旗舰智能手机Galaxy S4。 业内人士认为，若达成供应协议，这将提振SK海力士，该公司的移动动态随机存取内存芯片业务主要依赖的客户是苹果。这亦显示芯片供应趋紧，因移动设备制造商准备升级旗舰产品，提供更多样且内存容量
SK
赛迪网 . 2013-04-22 1310
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