涨幅最高2成，SK海力士、三星电子或将陆续停产DDR3内存带动价格上涨
三星电子已向客户通知本季度末停止供应 DDR3；而 SK 海力士已于去年底完成无锡晶圆厂的产能转换，逐步淡出了 DDR3 的制造。
三星
芯查查资讯 . 2024-05-13 2 4 2530
本周市场热门芯片型号，走势稳定
根据芯查查企业SaaS监控数据显示，2022年9月7日-9月13日市场上通用热销、交易和关注度较多的收发器IC、DDR和MCU三类6个芯片型号中，基于用户预设的库存阈值和现有库存情况，可以看出（如下图）： 本周收发器IC、DDR和MCU的6个型号芯片产品，市场价格均保持平稳不变，收发器IC的MAX13487EESA+T和SP232EEN-L/TR、DDR的MT41K12
芯查查企业SaaS
芯查查热点 . 2022-09-15 1 9 5175
DDR内存模块插槽大盘点，总有一款适合您
当前，数据和通信行业的发展瞬息万变，技术创新已成为时代的常态。随着电信、网络以及先进计算平台向着小型化以及高性能演进，在新设计的推动下，对于服务器内存的需求也在日益增长。内存插槽对于整个系统的稳定运行至关重要。如果数据中心的服务器发生内存连接问题，那么故障的排查成本，以及可能造成的损失，简直不可估量。因此，内存插槽的选择，千万不能马虎。下面简单介绍一下目前几款主流的DDR内存插槽。
DDR
互联网 . 2021-12-01 1330
IP新锐芯耀辉多点破局DDR PHY技术瓶颈
近几年，云计算、5G、物联网、人工智能等产业的迅速发展使得对内存的需求大增。作为内存技术的关键模块，DDR PHY的市场需求也在高速增长。本文从新锐IP企业芯耀辉的角度，谈谈DDR PHY，以及芯耀辉在DDR PHY上的技术突破，助力服务芯片设计企业。 什么是DDR PHY DDR PHY是DRAM和内存控制器通信的桥梁，它负责把内存控制器发过来的数据转换成符合DDR协议的信号，并发送到DRAM；
芯耀辉
厂商供稿 . 2021-04-20 1533
DDR模块端接电阻的摆放位置需要注意些什么
目前业界对于DDR模块（一驱多）的端接电阻的摆放位置，就好像差分线对内要做等长，高速信号不能走直角，25G信号不能有很长的过孔stub一样，是一种SI常识性的范畴了。所以如果你遇到了一个DDR模块的端接电阻摆放错位置时，你觉得会怎么样？ 前面说的关于一驱多的DDR模块端接电阻的摆放位置是一个SI的常识，我们都会把它摆放在最后一个颗粒处，就像下图这样。 DDR端接电阻放在末端，大家会说，这种错误应该
差分线
一博科技 . 2021-03-28 1375
在FPGA上如何使用non-blocking cache设计框架
带宽是影响FPGA加速器的重要因素，因为大量的并行计算对数据量要求很大。如果加速器对数据的访问是不规则的，那么cache miss就会大大影响加速器性能。这篇来自FPGA2019会议的报告，向我们展示了如何来更好的处理cache miss问题，提高对缓存的利用率以及提高加速器效率。 1. Cache miss的问题 假设DDR可以提供12.8GB/s的带宽，FPGA上的并行加速器的数据输入带宽为0
fpga
AI加速 . 2020-11-11 1445
硬件失效的主要原因是什么
你是否长时间纠缠于线路板的失效分析？你是否花费大量精力在样板调试过程中？你是否怀疑过自己的原本正确的设计？也许许多硬件工程师都有过类似的心理对话。有数据显示，78%的硬件失效原因是由于不良的焊接和错误的物料贴片造成的。 导致工程师花费大量时间和精力在样板调试和分析中，耽误了项目进度。如果一时间找不出不良原因，工程师会怀疑自己的原本正确的设计，致使自己误入不正确的思维方向。 在真正做硬件调试的时候，
DDR
网络整理 . 2020-10-17 1240
简单介绍存储器DDR的发展历程
存储器的主要功能是存储程序和各种数据，并能在计算机运行过程中高速、自动地完成程序或数据的存取。 一、ROM和RAM的概念理解 常见存储器分类图示 首先，要了解一下存储的基础部分：ROM和RAM。 RAM：随机存取存储器（random access memory）又称作"随机存储器"，是与CPU直接交换数据的内部存储器，也叫主存(内存)。它可以随时读写，而且速度很快，通常作为操作系统或其他正在运行中
存储器
未知 . 2018-10-18 1470
DDR内存将死,未来需要高带宽的产品将转向HBM内存
这一年来有关国内公司进军内存产业的消息甚嚣尘上，紫光公司凭借原有的英飞凌、奇梦达基础在DDR3内存上已经作出了突破，小批量生产了DDR3内存，下半年还会推出更主流的DDR4内存芯片，正在努力追赶国际主流水平。但是放眼整个内存市场，DDR5内存很快就要来了，更可怕的是未来即便是DDR5内存也很可能被更新的技术淘汰。 业界已经有人提出了DDR内存将死的看法，未来需要高带宽的产品将转向HBM内存，202
DDR
未知 . 2018-03-22 1250
内存市场欠景气，都怪微软不给力？
IC Insights最近公布2015年McClean报告，显示最近十年的DRAM的位容量（bit volume）年均增长仅有43%，远低于从1995年到2005年的年均67%的成长率。 2008年发生的金融危机导致世界经济衰退，因此导致DRAM位容量增长在2009年创出历史新低，仅增长了21%，与1990~2000年期间年均70%以上的成长率相比较差距甚远。2010年得益于经济快速复苏以及D
DDR
-- . 2015-02-13 1410
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