Si基半导体器件寸步难行？SiC与GaN游击战
1. 厚积薄发，应运而生 作为半导体材料“霸主“的 Si，其性能似乎已经发展到了一个极限，而此时以 SiC 和 GaN 为主的宽禁带半导体经过一段时间的积累也正在变得很普及。所以，出现了以 Si 基器件为主导，SiC 和 GaN 为"游击"形式存在的局面。 在 Si 之前，锗 Ge 是最早用于制造半导体器件的材料，随后 Si 以其取材广泛、易形成 SiO2 绝缘层、禁带宽度比 Ge 大的优势取
半导体材料
-- . 2020-08-04 500
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