X-FAB推出基于其110nm车规BCD-on-SOI技术的嵌入式数据存储解决方案
基于其高压BCD-on-SOI XT011这一110nm工艺节点平台，X-FAB可为客户提供符合AECQ100 Grade-0标准的32kByte容量嵌入式闪存IP，并配备额外的4Kbit EEPROM。
SONOS技术
X-FAB . 2024-12-09 965
华虹半导体90nm BCD已实现规模量产
据媒体报道，华虹半导体有限公司宣布，其90nm BCD工艺凭借高性能指标及较小的芯片面积等优质特色，受到众多客户青睐，在华虹无锡12英寸生产线已实现规模量产。 华虹半导体表示，华虹半导体的90nm BCD工艺拥有更佳的电性参数，并且得益于12英寸制程的稳定性，良率优异，为数字电源、数字音频功放等芯片应用提供了更具竞争力的制造方案。
华虹半导体
中国闪存市场 . 2021-06-05 1725
模拟芯片常用的BCD工艺国内外差距有多大？
在9月20日举行的“浣沙淘金，模拟论芯”2019年中国模拟半导体大会上，帝奥微电子产品事业部总监庄华龙分享了主题为《智能互联的差异化解决方案》的演讲。在演讲中，他指出，模拟芯片设计的根基在于工艺。在集成电路领域，常常需要用到各种各样的工艺和器件配合，想要做出好的产品，就需要选择最合适的工艺平台和器件。 图1：帝奥微电子产品事业部总监庄华龙在发表演讲。 目前最重要，应用也最广泛的模拟工艺技术非BCD
TSMC
电子发烧友 . 2019-09-25 1565
华润微电子宣布已成功开发出第三代0.18微米BCD工艺平台
2018年11月5日，华润微电子有限公司（“华润微电子”）旗下的华润上华科技有限公司（以下简称“华润上华”）宣布，公司已成功开发出第三代0.18微米BCD工艺平台。新一代BCD工艺平台在降低导通电阻的同时，提升了器件的可靠性，降低了工艺成本，可覆盖7V-40V的宽工作电压范围，为电源管理IC的设计提供了有竞争力的工艺方案。 华润上华第三代0.18微米BCD工艺基于大量的仿真和流片数据，对高压器件结
BCD
网络整理 . 2018-11-06 975
华虹半导体宣布第二代0.18微米5V/40VBCD工艺平台已成功量产
10月10日，华虹半导体有限公司（“华虹半导体”）宣布，其第二代0.18微米5V/40V BCD工艺平台已成功量产，该平台具有导通电阻低、高压种类全、光刻层数少等优势，对于工业控制应用和DC-DC转换器等产品是理想的工艺选择。 第二代0.18微米5V/40V BCD工艺平台40V DMOS击穿电压达到52V，其导通电阻低至 20 mOhm.mm2，达到该节点领先工艺水平，可提高产品的驱动能力，减小
BCD
网络整理 . 2018-10-10 1140
华虹半导体第二代0.18微米5V/40V BCD工艺平台成功量产
全球领先的特色工艺纯晶圆代工企业——华虹半导体有限公司(“华虹半导体”或“公司”，股份代号：1347.HK)宣布，其第二代0.18微米5V/40V BCD工艺平台已成功量产，该平台具有导通电阻低、高压种类全、光刻层数少等优势，对于工业控制应用和DC-DC转换器等产品是理想的工艺选择。 第二代0.18微米5V/40V BCD工艺平台40V DMOS击穿电压达到52V，其导通电阻低至 20 mOhm.
PMIC
华虹宏力 . 2018-10-10 1470
- 1