利用CMOS功率放大器优化单芯片手机方案
每年生产10多亿部手机的手机市场已成为半导体产业中竞争最激烈的领域。一直有这种说法：诸如砷化镓（GaAs）、横向扩散MOS（LDMOS）或硅锗（SiGe）双极CMOS（BiCMOS）等特殊工艺以不太精尖的几何精度就可提供制造商和设计师所需的短期成本优势和线性调制。但CMOS固有的规模经济驱使业界一直对其进行大量投入，因此其规模也一直且将继续领先于其他的工艺产品。 例如早先由英飞凌、恩智浦和
单芯片手机
本站整理 . 2012-05-02 1065
基于CMOS图像传感器OV7720的网络摄像机设计
网络摄像机具有联网功能，又最大限度地保持了模拟摄像机的功能，无疑是监控领域的新星。网络摄像机一般使用成品CCD摄像头做视频捕捉前端，CCD摄像头在硬件成本中占了很大的分量，且CCD摄像头输出的是模拟信号，系统中必须加视频A/D转换器。开发用于网络摄像机的CMOS摄像头对降低设计成本和复杂度有重要意义。 1 图像采集系统采用的芯片介绍 1.1 图像传感器OV7720 OV7720是一
OV7720
现代电子技术 . 2011-04-14 1370
CMOS整合硅纳米光子明年将实现商用化
IBM 声称，从2011年起，硅芯片将迈向以光脉冲(pulses of light)而非电荷(electrical charge)来进行沟通;该公司于12月1日在日本举行的Semicon Japan展会上，透露其 CMOS 整合硅纳米光子(CMOS Integrated Silicon Nanophotonics，CISN)技术的细节。 在该场展会上，IBM预言硅纳米光子将是实现未来“ex
硅纳米光子
IBM . 2010-12-03 950
3GHz CMOS低噪声放大器优化设计
3GHz CMOS低噪声放大器优化设计 摘 要： 基于0.18 μm CMOS工艺，采用共源共栅源极负反馈结构，设计了一种3 GHz低噪声放大器电路。从阻抗匹配及噪声优化的角度分析了电路的性能，提出了相应的优化设计方法。仿真结果表明，该放大器具有良好的性能指标，功率增益为23.4 dB，反向传输系数为-25.9 dB，噪声系数为1.1 dB，1dB压缩点为﹣13.05 dBm。 1 引
3GHz
不详 . 2010-04-13 1180
受量子薄膜技术威胁，CMOS影像传感器地位不保
受量子薄膜技术威胁，CMOS影像传感器地位不保 就像是“胶卷”已经几乎消失在大众视野里一样，一种新研发的量子薄膜(quantum film)可能会让数码相机里的CMOS影像传感器位置不保。 该种薄膜是以类似传统底片的材料所制成，即一种具备嵌入粒子的聚合物；不过不同于底片所使用的银颗粒，其所嵌入的粒子是量子点(quantum dots)。据发明该薄膜的公司InVisage表示，量子薄膜能反映分辨率更
受量子薄膜
不详 . 2010-03-25 975
CMOS探测器在射线检测中的设计应用
CMOS探测器在射线检测中的设计应用 概述：以CMOS探测器为记录介质的数字化射线检测技术，检测精度高、温度适应性好、结构适应性强。CMOS射线扫描探测器探测单元排成线阵列，需要在检测时进行相对扫描运动，逐线采集并拼成完整的透照投影图像。介绍了检测工装设计，完成了探测器的固定、位置调节及实现与检测工件的相对运动。介绍了检测应用中的探测器配置与校准、透照方式选取、运动速度控制、检测参数优化、缺陷定量
探测器
不详 . 2010-03-20 1220
CMOS构成的时间调节点焊机电路图
CMOS构成的时间调节点焊机电路图,点焊机电路,用CMOS器件组成的周波数控制电路,可以在1-99个周波内任意选择.在实际使用中,大多在10周波内调节就可以了.
时间调节
本站原创 . 2008-02-16 1030
CMOS和双向可控硅的接口电路-AC控制
如图所示,为CMOS电路触发双向可控硅的几种接口电路.
CMOS
本站原创 . 2008-02-16 1235
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