CMOS整合硅纳米光子明年将实现商用化
IBM 声称，从2011年起，硅芯片将迈向以光脉冲(pulses of light)而非电荷(electrical charge)来进行沟通;该公司于12月1日在日本举行的Semicon Japan展会上，透露其 CMOS 整合硅纳米光子(CMOS Integrated Silicon Nanophotonics，CISN)技术的细节。 在该场展会上，IBM预言硅纳米光子将是实现未来“ex
硅纳米光子
IBM . 2010-12-03 890
3GHz CMOS低噪声放大器优化设计
3GHz CMOS低噪声放大器优化设计 摘 要： 基于0.18 μm CMOS工艺，采用共源共栅源极负反馈结构，设计了一种3 GHz低噪声放大器电路。从阻抗匹配及噪声优化的角度分析了电路的性能，提出了相应的优化设计方法。仿真结果表明，该放大器具有良好的性能指标，功率增益为23.4 dB，反向传输系数为-25.9 dB，噪声系数为1.1 dB，1dB压缩点为﹣13.05 dBm。 1 引
3GHz
不详 . 2010-04-13 1100
受量子薄膜技术威胁，CMOS影像传感器地位不保
受量子薄膜技术威胁，CMOS影像传感器地位不保 就像是“胶卷”已经几乎消失在大众视野里一样，一种新研发的量子薄膜(quantum film)可能会让数码相机里的CMOS影像传感器位置不保。 该种薄膜是以类似传统底片的材料所制成，即一种具备嵌入粒子的聚合物；不过不同于底片所使用的银颗粒，其所嵌入的粒子是量子点(quantum dots)。据发明该薄膜的公司InVisage表示，量子薄膜能反映分辨率更
受量子薄膜
不详 . 2010-03-25 930
CMOS探测器在射线检测中的设计应用
CMOS探测器在射线检测中的设计应用 概述：以CMOS探测器为记录介质的数字化射线检测技术，检测精度高、温度适应性好、结构适应性强。CMOS射线扫描探测器探测单元排成线阵列，需要在检测时进行相对扫描运动，逐线采集并拼成完整的透照投影图像。介绍了检测工装设计，完成了探测器的固定、位置调节及实现与检测工件的相对运动。介绍了检测应用中的探测器配置与校准、透照方式选取、运动速度控制、检测参数优化、缺陷定量
探测器
不详 . 2010-03-20 1055
CMOS构成的时间调节点焊机电路图
CMOS构成的时间调节点焊机电路图,点焊机电路,用CMOS器件组成的周波数控制电路,可以在1-99个周波内任意选择.在实际使用中,大多在10周波内调节就可以了.
时间调节
本站原创 . 2008-02-16 975
CMOS和双向可控硅的接口电路-AC控制
如图所示,为CMOS电路触发双向可控硅的几种接口电路.
CMOS
本站原创 . 2008-02-16 1215
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