3GHz CMOS低噪声放大器优化设计
3GHz CMOS低噪声放大器优化设计 摘 要: 基于0.18 μm CMOS工艺,采用共源共栅源极负反馈结构,设计了一种3 GHz低噪声放大器电路。从阻抗匹配及噪声优化的角度分析了电路的性能,提出了相应的优化设计方法。仿真结果表明,该放大器具有良好的性能指标,功率增益为23.4 dB,反向传输系数为-25.9 dB,噪声系数为1.1 dB,1dB压缩点为﹣13.05 dBm。 1 引
3GHz
不详 . 2010-04-13 1175
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3GHz CMOS低噪声放大器优化设计 摘 要: 基于0.18 μm CMOS工艺,采用共源共栅源极负反馈结构,设计了一种3 GHz低噪声放大器电路。从阻抗匹配及噪声优化的角度分析了电路的性能,提出了相应的优化设计方法。仿真结果表明,该放大器具有良好的性能指标,功率增益为23.4 dB,反向传输系数为-25.9 dB,噪声系数为1.1 dB,1dB压缩点为﹣13.05 dBm。 1 引
3GHz
不详 . 2010-04-13 1175