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  • 3GHz CMOS低噪声放大器优化设计

    3GHz CMOS低噪声放大器优化设计 　　摘  要： 基于0.18 μm CMOS工艺，采用共源共栅源极负反馈结构，设计了一种3 GHz低噪声放大器电路。从阻抗匹配及噪声优化的角度分析了电路的性能，提出了相应的优化设计方法。仿真结果表明，该放大器具有良好的性能指标，功率增益为23.4 dB，反向传输系数为-25.9 dB，噪声系数为1.1 dB，1dB压缩点为﹣13.05 dBm。 　　1 引

    3GHz

    不详 . 2010-04-13 1175

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