深度好文：看懂3D晶体管的奥秘
近年来半导体业最大的新闻，莫过于各家厂商都推出了3D晶体管，一扫过去深度纳米制程毫无进展的阴天心情。原本卡在半空中很久的30纳米以下制程，以及大家都一致唱衰的摩尔定律必破论，似乎又被丢到了垃圾筒里去了。讲到这些就不得不提到Intel公开的Tri-Gate晶体管，还有台积电的FinFET制程，都是已经实现的代表。 AMD早在2002年，也做了一颗10纳米3D的FinFET晶体管，试图踩入这一
3D晶体管
电脑王 . 2015-12-28 1135
FinFET技术大规模应用水到渠成？没那么简单
FinFET技术是电子行业的下一代前沿技术，是一种全新的新型的多门3D晶体管。和传统的平面型晶体管相比，FinFET器件可以提供更显著的功耗和性能上的优势。英特尔已经在22nm上使用了称为“三栅”的FinFET技术，同时许多晶圆厂也正在准备16纳米或14纳米的FinFET工艺。虽然该技术具有巨大的优势，但也带来了一些新的设计挑战，它的成功，将需要大量的研发和整个半导体设计生态系统的深层次合作。
3D晶体管
电子工程专辑 . 2013-03-15 795
半导体厂商关注，TSV应用爆发一触即发
TSV技术应用即将遍地开花。随着各大半导体厂商陆续将TSV立体堆叠纳入技术蓝图，TSV应用市场正加速起飞，包括影像感应器、功率放大器和处理器等元件，皆已开始采用；2013年以后，3D TSV技术更将由8寸晶圆逐渐迈向12寸晶圆应用。 三维（3D）硅穿孔（Through Silicon Via， TSV）的应用已相当广泛，目前至少用于包含影像感应器、快闪记忆体、动态随机存取记忆体（DRAM）
3D晶体管
新电子 . 2013-01-27 1040
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