中芯国际联姻长电科技 “兵团作战”应对巨头
移动芯片时代，如何与国际巨头竞争？国内本土芯片企业选择兵团作战。 昨日，中国内地规模最大的集成电路晶圆代工企业中芯国际（0981.HK），与国内最大的封装服务供应商江苏长电科技股份有限公司（下称“长电科技”，600584.SH）联姻，双方共同投资国内首条完整的12英寸本土半导体制造产业链。 据中芯国际CEO邱慈云透露，该项目的投资总额预计1.5亿美元；其中初期投资5000万美元，由中芯
国产芯片
第一财经日报 . 2014-02-21 1575
移动内存需求剧增 3D IC步向成熟
由于技术上仍存在挑战，使得3D IC一直都成为半导体业界想发展，却迟迟到不了的禁区。尽管如此，国际半导体材料协会SEMI仍乐观认为，系统化的半导体技术仍将是主流趋势，这意味着 3D IC的发展将不会停下脚步。但在3D IC技术仍未成熟的现阶段，2.5D IC是最好的替代方案。 SEMI认为，目前2.5D IC从设计工具、制造、封装测试等方案都已准备就绪，目前将致力于将量产流程标准化，让2.
3DIC
CTTIMES . 2013-07-22 1325
手机芯片整合推动，3D IC上马势在必行
3D IC将是半导体业者站稳手机晶片市场的必备武器。平价高规智慧型手机兴起，已加速驱动内部晶片整合与制程演进；然而，20奈米以下先进制程研发成本极高，但所带来的尺寸与功耗缩减效益却相对有限，因此半导体厂已同步展开3D IC技术研发，以实现更高的晶片整合度，其中，三星已率先宣布将于2014年导入量产。 拓墣产业研究所半导体中心研究员蔡宗廷认为，MEMS技术将是手机设计差异化的关键，包括MEM
3DIC
新电子 . 2013-05-23 775
迈开3D IC量产脚步 半导体厂猛攻覆晶封装
半导体设备、封测厂今年将扩大高阶覆晶封装（Flip Chip）研发支出。随着半导体开始迈入3D IC架构，晶片封装技术也面临重大挑战，因此一线半导体设备厂、封测业者皆积极布局高阶覆晶封装，并改革相关技术、材料，期配合硅穿孔（TSV）制程发展，实现3D IC商用。 应用材料半导体事业群金属沉积产品全球产品经理欧岳生认为，半导体制程微缩须与封装技术同步演进，才能真正发挥效能提升、功耗锐减的效益。 应用
覆晶封装
新电子 . 2013-03-13 1120
分析：TSV 3D IC面临诸多挑战
2016年将完成多种半导体异质整合水平 TSV3DIC技术虽早于2002年由IBM所提出，然而，在前后段IC制造技术水准皆尚未成熟情况下，TSV3DIC技术发展速度可说是相当缓慢，DIGITIMESResearch分析师柴焕欣分析，直至2007年东芝（Toshiba）将镜头与CMOSImageSensor以TSV3DIC技术加以堆栈推出体积更小的镜头模块后，才正式揭开TSV3DIC实用化的
3DIC
eettaiwan . 2012-02-21 825
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