英特尔于2020年推出144层QLC NAND
9月26日，韩国首尔，英特尔在“ Memory＆Storage Day 2019”活动上公布了SSD产品的技术路线图。其中，该公司还详细阐述了SSD产品（如英特尔660p）中使用的QLC NAND技术。 继96层QLC之后，将于2020年作为Arbordale + DC推出144层QLC 图1：NAND闪存随着SLC，MLC，TLC，QLC发展 3D NAND是当前SSD中常用的闪存技术。换句话说
英特尔
电子发烧友 . 2019-10-04 1495
总投资超2000亿元!紫光存储3D NAND Flash厂落户四川
6月26，根据紫光官方消息，紫光集团联席总裁王慧轩在接受采访时表示，紫光在四川布局宏大，总投资将超过2000亿元，主要包括服务器芯片、安全芯片、存储芯片和移动通讯相关芯片的研发，建设周期将长达3-5年。 目前正在建设的存储3D NAND Flash厂，一期建设完毕后会有一个月10万片产能，三期全部完工后每月产能30万片。 紫光成都存储芯片项目于2018年10月中旬动工，预计2020年12月主体完工
3D NAND Flash
YXQ . 2019-07-02 730
紫光240亿美元!成都建3D NAND Flash厂
6月26，根据紫光官方消息，紫光集团联席总裁王慧轩在接受采访时表示，紫光在四川布局宏大，总投资将超过2000亿元，主要包括服务器芯片、安全芯片、存储芯片和移动通讯相关芯片的研发，建设周期将长达3-5年。 目前正在建设的存储3D NAND Flash厂，一期建设完毕后会有一个月10万片产能，三期全部完工后每月产能30万片。 紫光成都存储芯片项目于2018年10月中旬动工，预计2020年12月主体完工
3D NAND Flash
YXQ . 2019-07-01 585
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