Nerissa Draeger博士：全包围栅极结构将取代FinFET
FinFET在22nm节点的首次商业化为晶体管——芯片“大脑”内的微型开关——制造带来了颠覆性变革。与此前的平面晶体管相比，与栅极三面接触的“鳍”所形成的通道更容易控制。但是，随着3nm和5nm技术节点面临的难题不断累积，FinFET的效用已经趋于极限。 晶体管缩放的难题 在每个技术节点，设备制造商可以通过缩小晶体管的方法来降低器件面积、成本和功耗并实现性能提升，这种方式也称为PPAC（功
FinFET
来源：互联网 . 2021-01-25 910
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