多晶硅表面纹理化的典型方法
湿化学蚀刻是多晶硅表面纹理化的典型方法,湿化学蚀刻法也是多晶体硅表面锯切损伤的酸织构化或氢氧化钾锯切损伤去除后的两步化学蚀刻,这些表面纹理化方法是通过在氢氟酸-硝酸-H2O的酸性溶液中进行化学蚀刻来实现的。在这种解决方案中，我们可以通过简单的工艺蚀刻多晶硅表面来降低反射光谱。在400 ~ 1100纳米范围内，氢氧化钾锯损伤去除后的酸性化学腐蚀获得了27.19%的反射率。这一结果比刚刚锯下的损伤
晶片
华林科纳半导体设备制造 . 2022-03-28 1480
氢氟酸水溶液中离子辐照LiNbO3的蚀刻
引言 用多能氩离子辐照x射线切割铌酸锂单晶，产生厚度为400纳米的均匀损伤表面层，研究其在HF水溶液中的腐蚀行为。使用不同的酸温度和浓度，表明可以通过将温度从24℃提高到55℃来提高蚀刻速率，同时保持该技术的高对比度。讨论了氟化氢在水溶液中的分解，并应用氟化氢蚀刻二氧化硅的反应动力学获得了蚀刻机理的信息。因此，分析了蚀刻速率的浓度依赖性，发现蚀刻过程可以描述为HF或HF 2的侵蚀，其由H+
溶液
华林科纳半导体设备制造 . 2021-12-23 846
- 1