IGBT走虚拟IDM之路：设计与加工是分离还是统一？
电子科技大学微电子与固体电子学院教授、副院长 张波 目前我国IGBT产业在国家政策及重大项目的推动及市场牵引下得到了迅速发展，呈现出大尺寸区溶（FZ）单晶材料、IGBT芯片工艺和IGBT模块封装技术全面蓬勃发展的大好局面。 我国IGBT成就显著 天津中环半导体股份有限公司研制的6英寸FZ单晶材料已批量应用，在国家“02”科技重大专项的推动下，8英寸FZ单晶材料已取得重大突破；电磁灶
芯片工艺
中电网 . 2012-02-16 1075
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