三安LED外延、芯片研发及产业化项目试生产
经过11个月的紧张施工，三安LED外延、芯片研发及产业化项目于近期开始试生产。项目二期工程也已开始施工，预计可于2017年5月建成投产。 三安LED外延、芯片研发及产业化项目于2014年4月落户火炬高新区，项目总投资100亿元，将建设规模为200台MOCVD的LED蓝、绿光外延片、芯片生产线，设计产能为年产超高亮度LED蓝、绿光外延片244万片、芯片512亿粒。该项目被列为2014年度厦门市
三安
来源：互联网 . 2015-05-21 860
高拓讯达芯片研发项目获科技部创新基金支持
高拓讯达芯片研发项目获科技部创新基金支持 高拓讯达研发芯片续科委专项计划批准项目后，又获殊荣。日前，高拓讯达芯片研发项目获科技部创新基金支持，高拓讯达一流的研发能力再度得到认可。 自高拓讯达的单多融合解调芯片量产以来，得益于卓越的芯片架构和设计实现，在香港等地的实际使用中表现出了优异的稳定性以及对复杂多径的处理能力，被业界称为“唯一能够妥善解决单频网环境下地面波接收的多径环境接收专家”。随着高拓讯
芯片研发
不详 . 2009-11-17 590
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