技术 | 从欠阻尼到过阻尼：一文看懂GaN栅极波形如何“翻身”
增强型GaN HEMT具有开关速度快、导通电阻低、功率密度高等特点，正广泛应用于高频、高效率的电源转换和射频电路中。但由于其栅极电容小，栅极阈值电压低（通常在1V到2V之间）、耐受电压低（通常-5V到7V）等特点，使得驱动电路设计时需格外注意，防止开关过程中因误导通或振荡而导致器件失效。 为应对这一挑战，本文深入分析GaN HEMT在开通与关断时的振荡机制，通过合理配置驱动电阻与栅源间RC吸收支路
纳芯微
纳芯微电子 . 2025-07-24 1 520
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