国内首条！28/22nm ReRAM 12英寸产线试产
2月17日消息，据杭州日报报导，昕原半导体主导建设的国内首条28/22nm ReRAM（阻变存储器）12英寸中试生产线顺利完成了自主研发设备的装机验收工作，实现了中试线工艺流程的通线，并成功流片（试生产）。 目前，全球主流的新型存储器技术主要有PCM(相变存储器)、FeRAM(铁电存储器)、MRAM(磁性存储器)及ReRAM(阻变存储器)。相较于其他几项新型存储器技术而言，ReRAM的材料
reram
芯闻路1号 . 2022-02-18 3831
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