5G带动砷化镓用量翻倍 射频元件厂2020起受惠
近日消息，研调机构集邦旗下拓墣产业研究院报告指出，由于现行射频前端元件制造商依手机通信元件功能需求，逐渐以砷化镓（GaAs）晶圆作为元件的制造材料，加上5G布建逐步展开，射频元件使用量较4G时代倍增，预期GaAs射频元件市场将自2020年起进入新一波成长期。 拓墣指出，由于射频前端元件特性是耐高电压、耐高温及高频等，在4G与5G时代有高度需求，传统如HBT和CMOS的硅（Si）元件已无法满足，厂商
砷化镓
yxw . 2019-07-09 930
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