浅谈运放电路的输入偏置电流Ib和输入失调电流Ios
模型图 众所周知，理想运放是没有输入偏置电流Ib和输入失调电流Ios 的。但每一颗实际运放都会有输入偏置电流Ib和输入失调电流Ios 。我们可以用下图 1 中的模型来说明它们的定义。 图 1 模型图 定义 由于运放两个输入极都有漏电流的存在。我们可以理解为，理想运放的各个输入端都串联进了一个电流源，正相输入端表示为：Ib+，反向输入端定义为：Ib-。这两个电流源的电流值一般为不相同。也就是说，实际
运放电路
面包板社区 . 2020-10-23 1415
高电压大功率运算放大器PA42的工作原理、特点及典型应用
1、概述 PA42是美国APEX公司推出的一种高电压单片场效应管大功率运算放大器，它具有工作电压高（350V），静态电流小、输出电流大（峰值120mA，连续输出电流可达120mA）、价格低廉等特点。使用该放大器可在提高可靠性的同时取得以前需在混合设计中才能达到的性能，它内部的输入保护电路避免了过高的共模、差模电压及静电泄放的影响，其安全工作区无二次击穿限制，因此只要选择合适的限流电阻就可驱动不同的
功率
电子设计工程 . 2020-07-31 1910
AC耦合电路设计案例解析
AC耦合电路 如下图所示，一只电容器与运算放大器的同相输入端串联以实现AC耦合，这是一种隔离 输入电压（VIN）的DC分量的简单方法。这在高增益应用中尤其有用，在那些应用中哪怕运算放大器输入端很小的直流电压都会限制动态范围，甚至导致输出饱 和。然而，在高阻抗输入端加电容耦合，而不为同相输入端的电流提供DC通路，会出现问题。 实际上，输入偏置电流会流入耦合的电容器，并为它充电，直到超过放大器输入电路
耦合电路
博客园 . 2020-07-13 2510
科信电子：如何看待国产分立器件的威胁和挑战？
“科技先导，诚信为本”，是科信始终坚守的经营理念。 “将无铅、无卤的环保产品内置到客户的产品设计中”，是科信持之以恒的追求。 科信公司展台 第 94 届中国电子展期间，广东科信电子有限公司（下文简称“科信”）携公司产品参展，科信公司总经理助理柯佳键接受了与非网记者的采访。 科信公司总经理助理柯佳键 科信创建于 1987 年，致力于 SMD 表面贴片器件生产、研发、销售工作，成立
分立器件
-- . 2019-11-05 1500
场效应管的识别与检测
场效应管是场效应晶体管的简称，具有输入电阻高、噪声小、功耗低、安全工作区域宽、受温度影响小等优点，特别适用于要求高灵敏度和低噪声的电路。场效应管和三极管都能实现信号的控制和放大，但由于它们的结构和工作原理截然不同，所以二者的差别很大。三极管是一种电流控制元件，而场效应管是一种电压控制器件。 1 场效应管的分类 场效应管可分结型场效应管（JFET）和绝缘栅型场效应管（MOSFET）两大类。结型场效应
场效应管
yxw . 2019-07-05 1510
技术 | 肖特基二极管与场效应管的区别
肖特基二极管自从替代传统的普通的二极管后受到了用户的的青睐和喜欢，但是有些时候也会有傻傻分不肖的时候，肖特基二极管和场效应管有什么区别？ 肖特基二极管是二极管，特点是低功耗、超高速、反向恢复时间极短、正向压降小，适合做整流电路；场效应管是三极管，特点是输入阻抗高、噪声小、功耗低、漏电流小，开关特性好，适合做放大电路或开关电路。 二极管与三极管完全是2种类型，不能相比，但同属电子元件类。
场效应管
YXQ . 2019-07-05 1235
二维材料于场效晶体管的应用
场效应晶体管（FETs）是电子世界的基本组成单元。人们生活中使用的电脑、手机等电子设备都由场效应晶体管组成。为了进一步提高场效应晶体管的运行速度和微型化程度，并保证器件高性能的同时降低其能耗，研究人员付出了巨大的努力。但是，当沟道长度不断缩短至几纳米时，硅基晶体管器件的性能开始显著下降，显然已经进入了研究的瓶颈期。 二维半导体包括过渡金属二硫属化合物（TMDs）和黑磷等，具有丰富的价带结构和可调的
场效应管
YXQ . 2019-06-04 1315
场效应管特性及单端甲类功放制作全过程
场效应管控制工作电流的原理与普通晶体管完全不一样，要比普通晶体管简单得多，场效应管只是单纯地利用外加的输入信号以改变半导体的电阻，实际上是改变工作电流流通的通道大小，而晶体管是利用加在发射结上的信号电压以改变流经发射结的结电流，还包括少数载流子渡越基区后进入集电区等极为复杂的作用过程。场效应管的独特而简单的作用原理赋予了场效应管许多优良的性能，它向使用者散发出诱人的光辉。 场效应管不仅兼有
功放制作
本站整理 . 2012-02-29 1330
常用晶体管场效应管资料大全
场效应 型号 反压 Vbe0 电流 Icm 功率 Pcm 放大系数 特征频率 管子类型 IRFU020 50V 15A 42W * * NMOS 场效应 IRFPG42 1000V 4A 150W * * NMOS 场效应 IRFPF40 900V 4.7A 150W * * NMOS 场效应 IRFP9240 200V 12A
晶体管
本站整理 . 2010-11-02 1535
场效应管特性及单端甲类功放的设计
场效应管特性及单端甲类功放的设计 场效应管不仅兼有普通晶体管和电子管的优点，而且还具备两者所缺少的优点。场效应管具有双向对称性，即场效应管的源极和漏极是可以互换的(无阻尼)，一般的晶体管是不容易做到这一点的，电子管是根本不可能达到这一点。所谓双向对称性，对普通晶体管来说，就是发射极和集电极互换，对电子管来说，就是将阴极和阳极互换。 场效应管控制工作电流的原理与普通晶体管完全不一样，
场效应管
不详 . 2009-12-24 1125
音响中的场效应管和双极型晶体管
1功率放大器用场效应管或双极型晶体管（以下简称晶体管）作前级和后级对信号进行放大处理。而采用场效应管做的功率放大器，重放的音乐温暖润滑，韵昧十足。用晶体管做的放大器也有其优点，不妨对场效应管和晶体管作一个对比。 1.场效应管主要有结型场效应管（JFET）和绝缘栅型场效应管（IGFET）。绝缘栅型场效应管的衬底（B）与源析（S）连在一起，它的三个极分别为栅极（G）、漏极（D）和源极（S）。晶体管分N
场效应管
不详 . 2006-04-19 1170
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